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题名一种用于卫星导航的超低噪声放大器
被引量：2
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作者
张晓朋
高博
陈雪龙
李朋
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机构
河北新华北集成电路有限公司
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第2期122-127,共6页
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文摘
采用增强型GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了一款具有超低噪声系数、低功耗的放大器芯片。采用电流复用型共源结构,源极加入负反馈电感,输入级采用低损耗的片外匹配结构,降低了噪声系数,提高了增益。采用有源偏置电路,提高了芯片电流一致性。设计过程中对封装管壳、键合丝等建模仿真,增益、噪声等测试结果与仿真结果基本一致。该芯片采用4.0 mm×4.0 mm×0.8 mm扁平无引线封装,芯片直流功耗仅为36 mW,在卫星导航工作频段内增益大于30 dB,噪声系数小于0.55 dB。该芯片具有噪声性能好、功耗低、增益高等优点,可以用于各类GPS和卫星导航终端。
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关键词
增强型赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)
低噪声放大器
卫星导航
超低噪声系数
低功耗
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Keywords
enhanced pseudomorphic high electron mobility transistor(PHEMT)
low noise amplifier
satellite navigation
ultra-low noise figure
low power consumption
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分类号
TN967.1
[电子电信—信号与信息处理]
TN722.3
[电子电信—电路与系统]
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