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Si(111)衬底上3C-SiC的超低压低温外延生长
1
作者
严飞
郑有炓
+5 位作者
陈平
孙澜
顾书林
朱顺明
李雪飞
韩平
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
2002年第11期65-66,11,共3页
研究发展了一种Si衬底上低温外延生长 3C SiC的方法。采用LPCVD生长系统 ,以SiH4 和C2 H4 为气源 ,在超低压 (30Pa)、低温 (90 0℃ )的条件下 ,在Si(111)衬底上外延生长出了高质量的 3C SiC薄膜材料。采用俄歇能谱 (AES)、X射线衍射 (X...
研究发展了一种Si衬底上低温外延生长 3C SiC的方法。采用LPCVD生长系统 ,以SiH4 和C2 H4 为气源 ,在超低压 (30Pa)、低温 (90 0℃ )的条件下 ,在Si(111)衬底上外延生长出了高质量的 3C SiC薄膜材料。采用俄歇能谱 (AES)、X射线衍射 (XRD)和原子力显微镜 (AFM )等分析手段研究了SiC薄膜的外延层组分、晶体结构及其表面形貌。AES结果表明薄膜中的Si/C的原子比例符合SiC的理想化学计量比 ,XRD结果显示了3C SiC外延薄膜的良好晶体结构 ,AFM揭示了 3C SiC薄膜的良好的表面形貌。
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关键词
SI(111)衬底
3C-SIC
超低压低温外延生长
碳化硅
异质
外延
生长
低压
化学气相淀积
半导体材料
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职称材料
题名
Si(111)衬底上3C-SiC的超低压低温外延生长
1
作者
严飞
郑有炓
陈平
孙澜
顾书林
朱顺明
李雪飞
韩平
机构
南京大学物理系
出处
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
2002年第11期65-66,11,共3页
基金
973规划 (G2 0 0 0 0 683 )
国家自然科学基金 (60 13 60 2 0 )资助项目
文摘
研究发展了一种Si衬底上低温外延生长 3C SiC的方法。采用LPCVD生长系统 ,以SiH4 和C2 H4 为气源 ,在超低压 (30Pa)、低温 (90 0℃ )的条件下 ,在Si(111)衬底上外延生长出了高质量的 3C SiC薄膜材料。采用俄歇能谱 (AES)、X射线衍射 (XRD)和原子力显微镜 (AFM )等分析手段研究了SiC薄膜的外延层组分、晶体结构及其表面形貌。AES结果表明薄膜中的Si/C的原子比例符合SiC的理想化学计量比 ,XRD结果显示了3C SiC外延薄膜的良好晶体结构 ,AFM揭示了 3C SiC薄膜的良好的表面形貌。
关键词
SI(111)衬底
3C-SIC
超低压低温外延生长
碳化硅
异质
外延
生长
低压
化学气相淀积
半导体材料
Keywords
Silicon carbide (SiC), Heteroepitaxial growth, Low pressure chemical vapor deposition (LPCVD)
分类号
TN304.05 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
Si(111)衬底上3C-SiC的超低压低温外延生长
严飞
郑有炓
陈平
孙澜
顾书林
朱顺明
李雪飞
韩平
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
2002
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