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PdSe_(2)半导体薄膜的真空硒化法制备研究
1
作者
王慧
张淑娟
+3 位作者
陈亭伟
张传林
罗豪甦
郑仁奎
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第7期779-784,共6页
PdSe_(2)薄膜主要通过机械剥离法和气相沉积法制得,本研究采用一种简单有效的可在SiO_(2)/Si衬底上制备PdSe_(2)薄膜的方法。通过高真空磁控溅射技术在SiO_(2)/Si衬底上沉积一层Pd金属薄膜,将Pd金属薄膜与Se粉封在高真空的石英管中并在...
PdSe_(2)薄膜主要通过机械剥离法和气相沉积法制得,本研究采用一种简单有效的可在SiO_(2)/Si衬底上制备PdSe_(2)薄膜的方法。通过高真空磁控溅射技术在SiO_(2)/Si衬底上沉积一层Pd金属薄膜,将Pd金属薄膜与Se粉封在高真空的石英管中并在一定的温度下进行硒化,获得PdSe_(2)薄膜。根据截面高分辨透射电镜(HRTEM)照片可知PdSe_(2)薄膜的平均厚度约为30 nm。进一步研究硒化温度对PdSe_(2)薄膜电输运性能的影响,当硒化温度为300℃时,所制得的PdSe_(2)薄膜的体空穴浓度约为1×10^(18)cm^(–3),具有最大的室温迁移率和室温磁阻,分别为48.5cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)和12%(B=9T)。值得注意的是,本实验中通过真空硒化法获得的薄膜空穴迁移率大于通过机械剥离法制得的p型PdSe_(2)薄膜。随着硒化温度从300℃逐渐升高,由于Se元素容易挥发,Pd薄膜的硒化程度逐渐减小,导致薄膜硒含量、迁移率和磁电阻降低。本研究表明:真空硒化法是一种简单有效地制备PdSe_(2)薄膜的方法,在贵金属硫族化合物的大面积制备及多功能电子器件的设计中具有潜在的应用价值。
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关键词
贵金属硫族化合物
硒化
电输运性能
磁阻
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职称材料
题名
PdSe_(2)半导体薄膜的真空硒化法制备研究
1
作者
王慧
张淑娟
陈亭伟
张传林
罗豪甦
郑仁奎
机构
南昌大学材料科学与工程学院
中国科学院上海硅酸盐研究所
江西科技师范大学材料机械工程学院
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第7期779-784,共6页
基金
National Natural Science Foundation of China(11974155)。
文摘
PdSe_(2)薄膜主要通过机械剥离法和气相沉积法制得,本研究采用一种简单有效的可在SiO_(2)/Si衬底上制备PdSe_(2)薄膜的方法。通过高真空磁控溅射技术在SiO_(2)/Si衬底上沉积一层Pd金属薄膜,将Pd金属薄膜与Se粉封在高真空的石英管中并在一定的温度下进行硒化,获得PdSe_(2)薄膜。根据截面高分辨透射电镜(HRTEM)照片可知PdSe_(2)薄膜的平均厚度约为30 nm。进一步研究硒化温度对PdSe_(2)薄膜电输运性能的影响,当硒化温度为300℃时,所制得的PdSe_(2)薄膜的体空穴浓度约为1×10^(18)cm^(–3),具有最大的室温迁移率和室温磁阻,分别为48.5cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)和12%(B=9T)。值得注意的是,本实验中通过真空硒化法获得的薄膜空穴迁移率大于通过机械剥离法制得的p型PdSe_(2)薄膜。随着硒化温度从300℃逐渐升高,由于Se元素容易挥发,Pd薄膜的硒化程度逐渐减小,导致薄膜硒含量、迁移率和磁电阻降低。本研究表明:真空硒化法是一种简单有效地制备PdSe_(2)薄膜的方法,在贵金属硫族化合物的大面积制备及多功能电子器件的设计中具有潜在的应用价值。
关键词
贵金属硫族化合物
硒化
电输运性能
磁阻
Keywords
noble metal dichalcogenide
selenization
electronic transport property
magnetoresistance
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
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作者
出处
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1
PdSe_(2)半导体薄膜的真空硒化法制备研究
王慧
张淑娟
陈亭伟
张传林
罗豪甦
郑仁奎
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
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