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阻抗变换夹具在大功率负载牵引测试中的应用
被引量:
3
1
作者
邱志青
黄登山
曾大杰
《电子设计工程》
2014年第18期69-70,73,共3页
为了实现对大功率RF LDMOS晶体管的精确测试,提出了一种应用切比雪夫阻抗变换夹具进行负载牵引测试的方法。这种方法通过将阻抗变换夹具的S参数在负载牵引系统中去嵌入,使得测试端面的特性阻抗从传统的50Ω变换到10Ω,扩大了系统的测试...
为了实现对大功率RF LDMOS晶体管的精确测试,提出了一种应用切比雪夫阻抗变换夹具进行负载牵引测试的方法。这种方法通过将阻抗变换夹具的S参数在负载牵引系统中去嵌入,使得测试端面的特性阻抗从传统的50Ω变换到10Ω,扩大了系统的测试范围,能准确有效地完成大功率负载牵引测试。实际测试飞思卡尔公司的AFT09S282N的结果表明,该方法达到了预期效果。
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关键词
大功率RF
LDMOS晶体管
切比雪夫阻抗变换
负载牵引系统
特性阻抗
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职称材料
固态微波功率器件测试方法研究
被引量:
2
2
作者
王文娟
项道才
胡菊萍
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第12期974-978,共5页
固态微波功率器件由于其大功率、高频率、宽频带的特性,使其微波电参数的测试成为一大难点,特别是对非同轴、无内匹配的功率器件而言,微波参数的测量难度更大。介绍了固态微波功率器件测试的整体方案,针对某款SiC器件的尺寸及特性,设计...
固态微波功率器件由于其大功率、高频率、宽频带的特性,使其微波电参数的测试成为一大难点,特别是对非同轴、无内匹配的功率器件而言,微波参数的测量难度更大。介绍了固态微波功率器件测试的整体方案,针对某款SiC器件的尺寸及特性,设计制作了相应的测试夹具及校准件,利用矢量网络分析仪及阻抗调谐器搭建测试平台,通过负载牵引技术调整输入输出阻抗,并通过TRL校准技术消除夹具引入的误差,将被测端面移动到被测件的两端,得到被测器件的真实特性。经实验验证,在器件工作频率范围内测试系统的阻抗都能达到良好匹配,并得到被测器件的最佳性能指标。
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关键词
微波功率器件
测试夹具
校准件
负载牵引系统
去嵌入
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职称材料
RF LDMOS器件与高效率功率放大器设计
被引量:
1
3
作者
郑云飞
王一哲
+3 位作者
张小苗
罗玲
曾大杰
宋贺伦
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第1期46-49,共4页
为满足人们高速通信的需求,多载波、宽带已经成为新的发展方向,这对功率器件和放大器需要提出新的要求。文中基于改进后CMOS工艺模块。针对GSM基站频段,通过对RFLDMOS版图的优化,制备了实际的RFILDMOs芯片。使用负载牵引系统测出器...
为满足人们高速通信的需求,多载波、宽带已经成为新的发展方向,这对功率器件和放大器需要提出新的要求。文中基于改进后CMOS工艺模块。针对GSM基站频段,通过对RFLDMOS版图的优化,制备了实际的RFILDMOs芯片。使用负载牵引系统测出器件在940MHz时P3db压缩点输出功率52.6dBm,效率72%。并使用负载牵引系统测量出的数据制作了一款工作于920~960MHz的高效率功率放大器,通过对匹配电路地优化,p1db压缩点达到52.7dBm,P1db压缩点效率为65%,在功率回退8dB时效率为32.8%,线性增益18dB。
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关键词
功率器件
漏极效率
互补金属氧化物半导体工艺
功率放大器
负载牵引系统
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职称材料
SiGe HBT的线性度研究(英文)
4
作者
张贵恒
张为
+1 位作者
付军
王玉东
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第2期139-144,共6页
应用一种改进的片上线性度测试方法来对上海华虹宏力半导体制造有限公司生产的SiGe HBT进行测试,得到了一个较好的测试结果,同时对其线性度随偏置情况的变化以及引起变化的机制进行了分析和讨论。通过分析表明:在集电极偏置电流较小时,S...
应用一种改进的片上线性度测试方法来对上海华虹宏力半导体制造有限公司生产的SiGe HBT进行测试,得到了一个较好的测试结果,同时对其线性度随偏置情况的变化以及引起变化的机制进行了分析和讨论。通过分析表明:在集电极偏置电流较小时,SiGe HBT的线性度主要受器件跨导和雪崩倍增效应的限制;在中等大小的集电极偏置电流下,SiGe HBT的非线性主要由集电结势垒电容所产生;在大的集电极偏置电流下,大电流效应是产生非线性的主要原因。
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关键词
锗化硅异质结晶体管
负载牵引系统
线性度
非线性因素
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职称材料
题名
阻抗变换夹具在大功率负载牵引测试中的应用
被引量:
3
1
作者
邱志青
黄登山
曾大杰
机构
西北工业大学
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
出处
《电子设计工程》
2014年第18期69-70,73,共3页
文摘
为了实现对大功率RF LDMOS晶体管的精确测试,提出了一种应用切比雪夫阻抗变换夹具进行负载牵引测试的方法。这种方法通过将阻抗变换夹具的S参数在负载牵引系统中去嵌入,使得测试端面的特性阻抗从传统的50Ω变换到10Ω,扩大了系统的测试范围,能准确有效地完成大功率负载牵引测试。实际测试飞思卡尔公司的AFT09S282N的结果表明,该方法达到了预期效果。
关键词
大功率RF
LDMOS晶体管
切比雪夫阻抗变换
负载牵引系统
特性阻抗
Keywords
high power RF LDMOS transistor
Chebyshev transformer
load-pull system
characteristic impedance
分类号
TN98 [电子电信—信息与通信工程]
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职称材料
题名
固态微波功率器件测试方法研究
被引量:
2
2
作者
王文娟
项道才
胡菊萍
机构
中国电子技术标准化研究院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第12期974-978,共5页
文摘
固态微波功率器件由于其大功率、高频率、宽频带的特性,使其微波电参数的测试成为一大难点,特别是对非同轴、无内匹配的功率器件而言,微波参数的测量难度更大。介绍了固态微波功率器件测试的整体方案,针对某款SiC器件的尺寸及特性,设计制作了相应的测试夹具及校准件,利用矢量网络分析仪及阻抗调谐器搭建测试平台,通过负载牵引技术调整输入输出阻抗,并通过TRL校准技术消除夹具引入的误差,将被测端面移动到被测件的两端,得到被测器件的真实特性。经实验验证,在器件工作频率范围内测试系统的阻抗都能达到良好匹配,并得到被测器件的最佳性能指标。
关键词
微波功率器件
测试夹具
校准件
负载牵引系统
去嵌入
Keywords
microwave power device
test fixture
calibration device
load pull system
deembedding
分类号
TN307 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
RF LDMOS器件与高效率功率放大器设计
被引量:
1
3
作者
郑云飞
王一哲
张小苗
罗玲
曾大杰
宋贺伦
机构
西安电子科技大学天线与微波国家重点实验室
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第1期46-49,共4页
文摘
为满足人们高速通信的需求,多载波、宽带已经成为新的发展方向,这对功率器件和放大器需要提出新的要求。文中基于改进后CMOS工艺模块。针对GSM基站频段,通过对RFLDMOS版图的优化,制备了实际的RFILDMOs芯片。使用负载牵引系统测出器件在940MHz时P3db压缩点输出功率52.6dBm,效率72%。并使用负载牵引系统测量出的数据制作了一款工作于920~960MHz的高效率功率放大器,通过对匹配电路地优化,p1db压缩点达到52.7dBm,P1db压缩点效率为65%,在功率回退8dB时效率为32.8%,线性增益18dB。
关键词
功率器件
漏极效率
互补金属氧化物半导体工艺
功率放大器
负载牵引系统
Keywords
power device
drain efficiency
CMOS process
power amplifier
loadpull system
分类号
TN385 [电子电信—物理电子学]
TN722.7 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
SiGe HBT的线性度研究(英文)
4
作者
张贵恒
张为
付军
王玉东
机构
天津大学电子信息工程学院
清华大学微电子学研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第2期139-144,共6页
文摘
应用一种改进的片上线性度测试方法来对上海华虹宏力半导体制造有限公司生产的SiGe HBT进行测试,得到了一个较好的测试结果,同时对其线性度随偏置情况的变化以及引起变化的机制进行了分析和讨论。通过分析表明:在集电极偏置电流较小时,SiGe HBT的线性度主要受器件跨导和雪崩倍增效应的限制;在中等大小的集电极偏置电流下,SiGe HBT的非线性主要由集电结势垒电容所产生;在大的集电极偏置电流下,大电流效应是产生非线性的主要原因。
关键词
锗化硅异质结晶体管
负载牵引系统
线性度
非线性因素
Keywords
SiGe heterojunction bipolar transistor(HBT)
load-pull system
linearity
nonlinearity com-ponents
分类号
TN431 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
阻抗变换夹具在大功率负载牵引测试中的应用
邱志青
黄登山
曾大杰
《电子设计工程》
2014
3
在线阅读
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职称材料
2
固态微波功率器件测试方法研究
王文娟
项道才
胡菊萍
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
RF LDMOS器件与高效率功率放大器设计
郑云飞
王一哲
张小苗
罗玲
曾大杰
宋贺伦
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
4
SiGe HBT的线性度研究(英文)
张贵恒
张为
付军
王玉东
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2015
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
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