溶液、熔体中负离子配位多面体生长基元的分布与缔合 被引量：14

1

作者 仲维卓 张学华 +1 位作者 罗豪甦 华素坤 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期195-199,共5页

根据对晶体生长溶液、熔体拉曼光谱的测试结果,剖析了溶液和熔体中负离子配位多面体的分布及其缔合过程,总结出了不同过饱和溶液和不同过冷度熔体中负离子配位多面体生长基元的缔合形式和维度的规律。在靠近晶体的边界层处已出现与晶体... 根据对晶体生长溶液、熔体拉曼光谱的测试结果,剖析了溶液和熔体中负离子配位多面体的分布及其缔合过程,总结出了不同过饱和溶液和不同过冷度熔体中负离子配位多面体生长基元的缔合形式和维度的规律。在靠近晶体的边界层处已出现与晶体结构相同或相似的大维度生长基元。实验表明,生长基元的分布和缔合与溶液过饱和度和熔体过冷度密切相关,从而提出用拉曼光谱进行实时监控,寻找最佳生长物化条件,优化晶体生长边界层的厚度和大维度生长基元的数量,为选择最佳工艺条件提出理论依据。 展开更多

关键词 溶液 熔体 拉曼光谱 负离子配位多面体生长基元 生长基元缔合 边界层 晶体 生长机理

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负离子配位多面体生长基元和晶体形貌(英文) 被引量：11

2

作者 仲维卓 罗豪甦 +1 位作者 华素坤 许桂生 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期475-478,共4页

本文运用负离子配位多面体生长基元理论模型讨论了负离子配位多面体在异质同构和同质异构晶体中的结晶方位和其形态之间的关系 ,发现晶体的生长习性与负离子配位多面体在不同面族上相互联结的稳定性密切相关。负离子配位多面体以顶角相... 本文运用负离子配位多面体生长基元理论模型讨论了负离子配位多面体在异质同构和同质异构晶体中的结晶方位和其形态之间的关系 ,发现晶体的生长习性与负离子配位多面体在不同面族上相互联结的稳定性密切相关。负离子配位多面体以顶角相联最稳定 ,以边相连次之 ,以面相连最不稳定。同时 ,本文用负离子配位多面体生长基元理论模型对极性晶体ZnO和ZnS的生长习性也做了一定的解释。 展开更多

关键词 负离子配位多面体生长基元 晶体 异质同构 同质异构 极性晶体 氧化锌 硫化锌

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晶体表面结构和负离子配位多面体生长基元(英文) 被引量：8

3

作者 仲维卓 罗豪甦 +1 位作者 华素坤 许桂生 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期471-474,共4页

本文讨论了晶体表面结构和负离子配位多面体结晶方位的关系。指出了晶体表面结构 ,显示了负离子配位多面体在晶体生长过程中的结晶轨迹。因此 ,运用负离子配位多面体生长基元理论模型 ,晶体的生长机制可以通过对晶体表面结构的分析得以... 本文讨论了晶体表面结构和负离子配位多面体结晶方位的关系。指出了晶体表面结构 ,显示了负离子配位多面体在晶体生长过程中的结晶轨迹。因此 ,运用负离子配位多面体生长基元理论模型 ,晶体的生长机制可以通过对晶体表面结构的分析得以解释。 展开更多

关键词 晶体 表面结构 负离子配位多面体生长基元 生长机制 多形性 螺旋结构

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负离子配位多面体生长基元与晶体表面结构(Ⅲ) 被引量：5

4

作者 仲维卓 许桂生 +1 位作者 罗豪甦 华素坤 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期221-226,共6页

本文用负离子配位多面体生长基元理论模型讨论了多型性晶体表面螺旋结构的形成 ,提出在多型性晶体中配位多面体呈层状分布 ,配位多面体的面为层的边界 ,上、下层负离子配位多面体不是呈镜象对称的 ,在三方晶系和六方晶系的晶体中是沿晶... 本文用负离子配位多面体生长基元理论模型讨论了多型性晶体表面螺旋结构的形成 ,提出在多型性晶体中配位多面体呈层状分布 ,配位多面体的面为层的边界 ,上、下层负离子配位多面体不是呈镜象对称的 ,在三方晶系和六方晶系的晶体中是沿晶轴a、b错开 ,上、下两层负离子配位多面体体呈交叉对应 ,从而达到稳定平衡。晶轴c与负离子配位多面体高次对称轴平行 ,配位多面体往界面叠合是绕着c轴转动的 ,其叠合轨迹为螺旋或同心环结构。从多型性晶体螺旋结构的规律性可以看出 ,晶体生长基元为负离子配位多面体 ,由于负离子配位多面体的面与呈现螺旋结构的晶面平行 ,所以生长速率慢 ,是一个显露面积大的稳态面。螺旋结构只是在该面族上显露。 展开更多

关键词 多型性晶体 螺旋结构 表面结构 负离子配位多面体 生长基元

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熔体温度对负离子配位多面体生长基元聚集体结构的影响 被引量：1

5

作者 仲维卓 罗豪甦 +2 位作者 葛文伟 金蔚青 华素坤 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期437-441,共5页

据Na2S iO3与BaB2O4晶体和熔体的高温拉曼光谱测试结果综合分析后提出:熔体的温度对负离子配位多面体生长基元相互联结的聚集体结构有影响。在高温熔体中,高电价、离子半径小的阳离子配位多面体往往孤立存在。当熔体过冷度大时,孤立的... 据Na2S iO3与BaB2O4晶体和熔体的高温拉曼光谱测试结果综合分析后提出:熔体的温度对负离子配位多面体生长基元相互联结的聚集体结构有影响。在高温熔体中,高电价、离子半径小的阳离子配位多面体往往孤立存在。当熔体过冷度大时,孤立的负离子配位多面体顶角上的氧与低电价、离子半径大的阳离子配位构成大维度的聚集体。同质异构晶体的熔体拉曼谱都显示出相同的孤立负离子配位多面体振动峰。 展开更多

关键词 高温拉曼谱 负离子配位多面体生长基元 同质异构 聚集体

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晶体中负离子配位多面体结晶方位、形变与晶体压电、铁电性 被引量：1

6

作者 仲维卓 张学华 +1 位作者 罗豪甦 华素坤 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期1-5,共5页

本文研究了压电、铁电晶体中负离子配位多面体的结晶方位与形变,提出了压电晶体中同一种负离子配位多面体的结晶方位是一致的。在铁电晶体中,负离子配位多面体发生形变,伴随着晶体发生顺电-铁电相变,并从这一基本过程出发,对铁电体相变... 本文研究了压电、铁电晶体中负离子配位多面体的结晶方位与形变,提出了压电晶体中同一种负离子配位多面体的结晶方位是一致的。在铁电晶体中,负离子配位多面体发生形变,伴随着晶体发生顺电-铁电相变,并从这一基本过程出发,对铁电体相变的形成机理进行了讨论。 展开更多

关键词 负离子配位多面体 压电性 铁电性 自发极化 相变

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晶体中负离子配位多面体的结晶方位与晶体形貌 被引量：1

7

作者 仲维卓 罗豪甦 +1 位作者 许桂生 华素坤 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期241-,共1页

本文研究了晶体中负离子配位多面体的结晶方位与在各个面族上联结的稳定性 ,讨论了晶体各个面族的显露机率与表面结构的关系。提出了稳态面一般是以面相联结的 ,其稳定性差 ;以顶角相联结的面族生长速率快 ,一般显露面积较小或消失 ;以... 本文研究了晶体中负离子配位多面体的结晶方位与在各个面族上联结的稳定性 ,讨论了晶体各个面族的显露机率与表面结构的关系。提出了稳态面一般是以面相联结的 ,其稳定性差 ;以顶角相联结的面族生长速率快 ,一般显露面积较小或消失 ;以棱相联结时生长速率居于两者之间 ,经常显露 ,但显露面积不大。晶体表面结构花纹特征显示出负离子配位多面体往界面上迭合的轨迹 ,例如人工水晶c( 0 0 0 1 )面上的三方锥面 ,它是 [Si O4]4 四面体构成的共轮螺旋环在c( 0 0 0 1 )面的投影 ,故该面显三方结构 ,其结晶方位与晶体左右形一致。晶体表面结构上螺旋花纹一般都在稳态面上出现 ,例如CdI2 ,CdCl2 晶体 ,它们与 [Cd I6]4 ,[Cl I6]4 八面体在晶体中的结晶方位相同 ,在 [0 0 0 1 ]面上都是以八面体的面相联结 ,故稳定性差 ,生长速率慢是稳态面。由于相比邻的八面体 ,在[0 0 0 1 ]方向是以面相联 ,故八面体中的阳离子相斥 ,促使八面体相互沿a轴方向错动 ,其错动轨迹构成螺旋结构或同心圆结构。同理 ,SiC晶体在c( 0 0 0 1 )面上螺旋花纹也屡见不鲜 ,但在其它生长快的面族上则螺旋结构花纹从未见显露。 展开更多

关键词 负离子配位多面体 结晶方向 晶体形貌 晶体表面结构

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晶体中正负离子半径比(R^+/R^-)与晶胞和结晶形态

8

作者 仲维卓 华素坤 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期3-6,共4页

本文研究了ＡＢ型晶体中正负离子半径比（Ｒ＋／Ｒ－）与晶胞和单形的显露以及硅酸盐系列晶体中的络阴离子结晶方位和对称分布与晶体的形貌的密切相关性，从中找出与结晶形态的相关性。提出晶胞界线是以负离子配位多面体的面、棱和角为... 本文研究了ＡＢ型晶体中正负离子半径比（Ｒ＋／Ｒ－）与晶胞和单形的显露以及硅酸盐系列晶体中的络阴离子结晶方位和对称分布与晶体的形貌的密切相关性，从中找出与结晶形态的相关性。提出晶胞界线是以负离子配位多面体的面、棱和角为界面而划分的；晶体中负离子配位多面体的对称性与晶体形态的对称性是对应一致的。由此进一步阐明了组成晶体结晶形态的结构基元是负离子配位多面体。 展开更多

关键词 负离子配位多面体 电负性 络阴离子 晶体结构基元 晶体生长基元

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水热条件下Cu_2O的连生习性 被引量：12

9

作者 陈之战 施尔畏 +2 位作者 李汶军 郑燕青 仲维卓 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期369-374,共6页

Cu2 O具有立方体、八面体、菱形十二面体、四角三八面体、三角三八面体等多种单形。其形貌特征因不同的制备方法而各异。本文首次发现在水热条件下 ,Cu2 O出现取向连生的形貌特征。{ 10 0 }面为连生面。

关键词 氧化亚铜 连生现象 负离子配位多面体 生长基元 水热条件 CU2O 晶体习性

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晶体生长溶液、熔体结构与生长基元 被引量：14

10

作者 仲维卓 郑燕青 +1 位作者 施尔畏 华素坤 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期425-431,共7页

根据喇曼光谱、红外光谱测试了晶体生长的水溶液、溶剂和熔体的结构 ,并且在水热条件下进行了外加直流电场的实验 ,证实了晶体生长基元为负离子配位多面体 ,在不同的温度和溶液浓度条件下 ,负离子配位多面体相互联结成不同结构形式和不... 根据喇曼光谱、红外光谱测试了晶体生长的水溶液、溶剂和熔体的结构 ,并且在水热条件下进行了外加直流电场的实验 ,证实了晶体生长基元为负离子配位多面体 ,在不同的温度和溶液浓度条件下 ,负离子配位多面体相互联结成不同结构形式和不同维度的生长基元 (聚集体 ) ,不同维度的生长基元往晶体各个面族上的叠合速率是各不相同的 ,表现在同一种晶体在不同的生长条件下 ,其结晶形态可以各不相同 ,由此进一步阐述了负离子配位多面体生长基元理论模型的合理性。 展开更多

关键词 晶体生长 溶液 熔体结构 生长基元 喇曼光谱 负离子配位多面体 晶体生长习性

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氢氧化镁晶须的制备及其生长机理探讨 被引量：11

11

作者 王杰 张保林 +2 位作者 陈可可 程亮 史亚龙 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期703-707,共5页

以MgCl2和NaOH为原料,采用直接沉淀法制备氢氧化镁晶须。研究了添加不同晶控剂对氢氧化镁晶须生成的影响,同时对添加硬脂酸锌制备氢氧化镁晶须的工艺进行研究。采用扫描电子显微镜和粒度分析仪对产品进行表征。结果表明,硬脂酸锌和氯化... 以MgCl2和NaOH为原料,采用直接沉淀法制备氢氧化镁晶须。研究了添加不同晶控剂对氢氧化镁晶须生成的影响,同时对添加硬脂酸锌制备氢氧化镁晶须的工艺进行研究。采用扫描电子显微镜和粒度分析仪对产品进行表征。结果表明,硬脂酸锌和氯化铁对氢氧化镁晶须的生成具有导晶作用;所得产品为长径比10.7的氢氧化镁晶须。采用负离子配位多面体生长基元理论可以有效地解释氢氧化镁晶须的生成。 展开更多

关键词 氢氧化镁晶须 晶控剂 负离子配位多面体 生长基元

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高温体系合成六方片状氢氧化镁晶体生长机理的研究 被引量：10

12

作者 范天博 王怀士 +3 位作者 张研 李雪 贺存学 刘云义 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第9期2276-2280,2285,共6页

采用不同镁盐溶液在120℃下,水热法一步合成六方片状氢氧化镁。利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和激光粒度分布仪对产品进行表征。并采用Materials Studio软件对氢氧化镁晶胞结构进行了模拟,同时计算出晶体结构参数和各面族的表面能... 采用不同镁盐溶液在120℃下,水热法一步合成六方片状氢氧化镁。利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和激光粒度分布仪对产品进行表征。并采用Materials Studio软件对氢氧化镁晶胞结构进行了模拟,同时计算出晶体结构参数和各面族的表面能。根据负离子配位多面体理论解释了氢氧化镁晶体的形成机理,通过生长基元的形成和生长基元在各面族的叠合过程来解释了六方片形貌的形成过程。 展开更多

关键词 生长机理 六方片 氢氧化镁 水热法 负离子配位多面体

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碱式氯化镁晶须的水热合成及生长机理探讨 被引量：6

13

作者 路绍琰 马来波 +5 位作者 王俐聪 骆碧君 张亚南 王玉琪 王亮 黄西平 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期170-175 186,186,共7页

以六水氯化镁、氢氧化钠为原料,采用水热法合成碱式氯化镁晶须[9Mg(OH)_2·MgCl_2·5H_2,basic magnesium chloride,BMC],并分析了镁离子浓度、镁离子与氢氧化钠的摩尔比R、反应时间、反应温度对晶体制备的影响。用场发射扫描... 以六水氯化镁、氢氧化钠为原料,采用水热法合成碱式氯化镁晶须[9Mg(OH)_2·MgCl_2·5H_2,basic magnesium chloride,BMC],并分析了镁离子浓度、镁离子与氢氧化钠的摩尔比R、反应时间、反应温度对晶体制备的影响。用场发射扫描电镜、透射电镜、X射线衍射仪、选区衍射等对产物的形貌和组成进行表征。结果表明,180℃反应6h合成的BMC晶须长度为150μm以上,直径在0.5~1μm,长径比为150~400;BMC的生长实质上是以负离子配位多面体[Mg-(OH)_4]^(2-)及[Mg-Cl_4]^(2-)为生长结构基元,不同的晶体取向和叠合速度而形成的晶须。 展开更多

关键词 碱式氯化镁 晶须 水热合成 负离子配位多面体

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BaY_2F_8晶体生长基元与结晶机理的探讨 被引量：2

14

作者 张守超 阮永丰 +1 位作者 李广慧 李文润 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期485-489,共5页

本文通过对BaY2F8晶体结构的分析,从晶体的生长基元为负离子配位多面体理论出发,对自然冷却条件下BaY2F8晶体自发结晶习性进行了研究,提出了以Ba2+为中心的近八配位十二面体和以Y3+为中心的近八配位十二面体是晶体生长的基元。并根据自... 本文通过对BaY2F8晶体结构的分析,从晶体的生长基元为负离子配位多面体理论出发,对自然冷却条件下BaY2F8晶体自发结晶习性进行了研究,提出了以Ba2+为中心的近八配位十二面体和以Y3+为中心的近八配位十二面体是晶体生长的基元。并根据自发结晶的BaY2F8的XRD,说明了BaY2F8晶体的{200}、{130}、{021}、{330}、{-111}、{111}、{221}、{002}等面族比较发育的原因。本文证实了仲维卓的负离子配位多面体理论对BaY2F8晶体生长的适用性,并对探索新的BaY2F8单晶生长方法有参考作用。 展开更多

关键词 自发结晶 负离子配位多面体 自发成核 生长速率 生长基元

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晶体的生长习性 被引量：2

15

作者 李汶军 施尔畏 +1 位作者 郑燕青 殷之文 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期24-,共1页

晶体的生长习性是在一定条件下经常出现的晶体形貌。它不仅由晶体的内部结构决定 ,而且受其外部条件的影响。有关晶体生长习性的实验工作已经作了大量报道。但是其理论研究工作却存在许多问题。BFDH法则从晶体的面网密度角度预测晶体的... 晶体的生长习性是在一定条件下经常出现的晶体形貌。它不仅由晶体的内部结构决定 ,而且受其外部条件的影响。有关晶体生长习性的实验工作已经作了大量报道。但是其理论研究工作却存在许多问题。BFDH法则从晶体的面网密度角度预测晶体的生长习性 ;PBC理论从键链角度给出了晶体的理论生长习性 ,但上述模型在解释晶体生长习性的问题上存在着一定的不足 ,例如不能合理地解释极性晶体 (如ZnO ,SiO2 )以及一些非极性晶体 (如α Al2 O3 )的生长习性。1 994年仲维卓教授首先提出负离子配位多面体生长基元模型。解决了晶体生长过程中生长基元的存在问题。本文在此基础上提出一种新的生长习性判断法则———配位多面体生长习性法则。其主要内容为 :晶体各面族的界面上的生长速度与晶体中配位多面体在各界面上显露的元素 (包括顶点、棱、面 )有关。如配位多面体在各面族的界面上显露的元素种类不同 ,则显露配位多面体顶点的面族的生长速度快 ,显露配位多面体的棱的面族次之 ,显露配位多面体面的面族生长速度最小。如配位多面体在界面上显露的元素 (包括顶点、棱、面 )种类相同 ,则各面族的生长速度与配位多面体在界面上显露的元素的数目有关 ,配位多面体在界面上显露的元素的数目多的面族的生长速度快。采用此法则? 展开更多

关键词 生长习性 ZNO α-Al_2O_3 TiO_2 负离子配位多面体

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Al_3(SO_4)_2(OH)_5H_2O与α-Al_2O_3晶须的制备及其生长机制 被引量：4

16

作者 吴健松 张正贺 林志仙 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期1421-1424,共4页

采用液相沉淀及烧结方法制备了Al3(SO4)2(OH)5H2O与α-Al2O3晶须,样品采用XRD、SEM及G-DTA等对样品物相、形貌及热行为进行了表征,结果表明晶须样品的分散性好,粒度分布均匀、表面光滑,Al3(SO4)2(OH)5H2O与α-Al2O3晶须品质优良。又从&q... 采用液相沉淀及烧结方法制备了Al3(SO4)2(OH)5H2O与α-Al2O3晶须,样品采用XRD、SEM及G-DTA等对样品物相、形貌及热行为进行了表征,结果表明晶须样品的分散性好,粒度分布均匀、表面光滑,Al3(SO4)2(OH)5H2O与α-Al2O3晶须品质优良。又从"生长基元"角度出发,讨论了Al3(SO4)2(OH)5H2O晶须的形成机制,其生长过程是生长基元是八面体[Al-(OH)6]3-与HSO4-往某一晶面稳定叠合生长的结果,Al3(SO4)2(OH)5H2O晶须经热分解后,其形貌不变,最终变为α-Al2O3晶须。 展开更多

关键词 Α-AL2O3 负离子配位多面体生长基元模型 晶须

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水热法生长KBBF单晶 被引量：3

17

作者 唐鼎元 叶宁 +1 位作者 浦小掦 仲维卓 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1321-1324,共4页

氟代硼鈹酸钾KBe2BO3F2(KBBF)晶体是至今发现的可相位匹配的倍频波长最短的晶体。但是,由于该晶体具有很大的面间距,层状生长习性十分明显,因此,至今采用熔盐法生长的晶体厚度较薄,无法按照相位匹配方向切割成倍频器件。我们尝试了采用... 氟代硼鈹酸钾KBe2BO3F2(KBBF)晶体是至今发现的可相位匹配的倍频波长最短的晶体。但是,由于该晶体具有很大的面间距,层状生长习性十分明显,因此,至今采用熔盐法生长的晶体厚度较薄,无法按照相位匹配方向切割成倍频器件。我们尝试了采用水热法生长KBBF晶体并获得了成功。我们采用水热法已成功地生长出了厚度达10mm以上的透明单晶体。本文概述了水热法生长KBBF晶体的实验方法和生长条件(如矿化剂种类,温度,压力,温度梯度,充满度,开孔率等)对晶体生长的影响。最后,用负离子配位多面体生长基元理论模型讨论了晶体的生长机制与形状。 展开更多

关键词 KBBF晶体 水热法生长 负离子配位多面体模型

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谷氨酸柱撑类水滑石的合成及其生长机制 被引量：3

18

作者 吴健松 梁海群 林志仙 《中山大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期77-82,共6页

以MgCl2·6H2O、AlCl3·6H2O、谷氨酸为原料,NaOH为沉淀剂,采用乙二醇-水热法合成了六方状谷氨酸柱撑类水滑石,样品采用XRD、SEM、TG-DAT、红外、N2吸附-解吸的表征进行了物相、晶体形貌结构、热分析和比表面分析,结果表明采用... 以MgCl2·6H2O、AlCl3·6H2O、谷氨酸为原料,NaOH为沉淀剂,采用乙二醇-水热法合成了六方状谷氨酸柱撑类水滑石,样品采用XRD、SEM、TG-DAT、红外、N2吸附-解吸的表征进行了物相、晶体形貌结构、热分析和比表面分析,结果表明采用乙二醇-水热法可获得晶形好、板层结构显著的谷氨酸柱撑类水滑石。文章运用负离子配位多面体生长模型讨论了谷氨酸柱撑类水滑石生长形态及其生长机制,结果发现谷氨酸柱撑类水滑石生长机制符合该模型机制,其生长形态为生长基元先叠合为金属板层,然后板层再吸附谷氨酸根及H2O组成规整的层状结构化合物,乙二醇在其中起了重要的"桥连"作用。 展开更多

关键词 负离子配位多面体生长模型 镁铝类水滑石 生长基元 生长形态

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室温电化学法制备白钨矿SrWO_4晶态膜的生长特性研究(英文) 被引量：1

19

作者 安红娜 杨祖念 +5 位作者 肖定全 余萍 刘志强 陈连平 黄昕 王辉 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期1056-1061,共6页

采用恒电流电化学技术直接在金属钨片上制备了具有白钨矿结构的钨酸锶(SrWO4)晶态薄膜,通过SEM和EDX测试分析方法,研究了薄膜在不同的生长阶段(包括薄膜从最初成核并开始生长,到薄膜布满整个基片,即薄膜生长结束)的生长特性。研究结果表... 采用恒电流电化学技术直接在金属钨片上制备了具有白钨矿结构的钨酸锶(SrWO4)晶态薄膜,通过SEM和EDX测试分析方法,研究了薄膜在不同的生长阶段(包括薄膜从最初成核并开始生长,到薄膜布满整个基片,即薄膜生长结束)的生长特性。研究结果表明,SrWO4晶核和晶粒优先选择在基片的缺陷处堆砌生长,在薄膜生长的初期,一定数量的WO4负离子配位多面体沉积在基片上并形成具有白钨矿结构的骨架,继而Sr2 +对该骨架进行填充,由此形成晶核和晶粒;随着沉积时间的延长,晶粒密度不断增大,晶核和晶粒也不断长大,并沿着c轴生长的方向开始分叉,晶粒越大分叉越多;最终,当SrWO4薄膜生长过程结束时,团簇生长的花菜状晶粒布满整个基片,形成致密的薄膜。该研究结果对晶态薄膜电化学制备生长机制的认识、以及采用电化学方法制备晶态薄膜的工艺调控都具有重要意义。 展开更多

关键词 电化学技术 SrWO4薄膜 负离子配位多面体 晶态薄膜生长过程

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人工可控氢氧化镁晶须生长 被引量：9

20

作者 吴健松 梁海群 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期299-304,共6页

从负离子配位多面体生长基元模型出发,根据大维度生长基元的结构特性,讨论了人工可控氢氧化镁晶须生长,主要介绍了多元醇法及镁盐过饱和度法。多元醇法的实质是醇中的羟基在一定条件下与大维度生长基元中的羟基发生假联结(即吸附),使得... 从负离子配位多面体生长基元模型出发,根据大维度生长基元的结构特性,讨论了人工可控氢氧化镁晶须生长,主要介绍了多元醇法及镁盐过饱和度法。多元醇法的实质是醇中的羟基在一定条件下与大维度生长基元中的羟基发生假联结(即吸附),使得与多元醇发生了假联结的晶面生长速率大大减小或甚至停止生长,而其他晶面仍然保持原有的速率生长以致形成晶须。镁盐过饱和度法就是使得生长基元[Mg-Ax](x-2)-(A≠OH-)的浓度很大,且要远比[Mg-(OH)x](x-2)-组分浓度大4倍以上,以先形成碱式镁盐晶须,碱式镁盐晶须再与适当的碱液反应,即可制备得氢氧化镁晶须。 展开更多

关键词 负离子配位多面体生长基元模型 人工可控生长 生长形态 氢氧化镁晶须

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