GaN负电子亲和势光电阴极材料的生长研究 被引量：7

1

作者 李朝木 曾正清 陈群霞 《真空与低温》 2008年第4期236-239,共4页

采用低压金属有机化学汽化淀积法在蓝宝石(0001)

关键词 负电子亲和势 GaN光电阴极激活 紫外敏感材料 光电探测

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GaN负电子亲和势光电阴极的激活改进研究 被引量：1

2

作者 曾正清 李朝木 +1 位作者 王宝林 李峰 《真空与低温》 2010年第2期108-112,共5页

采用低压金属有机化学气相沉积法在蓝宝石（0001）衬底上生长2-5μm厚度的P-AlxGa1-xN/GaN层（0〈X≤0.4）,在AlxGa1-xN层中的Al浓度为0.2〈X〈0.7。P型GaN激活层的电子扩散长度确定为2-5μm,并获得3×1019 cm^-3的掺杂浓度。提出的... 采用低压金属有机化学气相沉积法在蓝宝石（0001）衬底上生长2-5μm厚度的P-AlxGa1-xN/GaN层（0〈X≤0.4）,在AlxGa1-xN层中的Al浓度为0.2〈X〈0.7。P型GaN激活层的电子扩散长度确定为2-5μm,并获得3×1019 cm^-3的掺杂浓度。提出的GaN基光电阴极的表面能带结构模型,对实验结果给予了比较满意的解释。 展开更多

关键词 负电子亲和势 GaN光电阴极激活 紫外敏感材料 新能带结构模型.

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透射式负电子亲和势光电阴极基片的无损检测

3

作者 姚惠贞 宋国瑞 董红兵 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1991年第4期29-37,共9页

本文对用作透射式负电子亲和势光电阴极的Ⅲ—V族半导体基片的无损检测进行了研究。建立了一套带微机处理的高信噪比的激光荧光测试系统,测试了基片的发射层GaAs的掺杂浓度、过渡层Gal_(-x)Al_xAs的组分X值及沿表面X值的均匀性、高X值... 本文对用作透射式负电子亲和势光电阴极的Ⅲ—V族半导体基片的无损检测进行了研究。建立了一套带微机处理的高信噪比的激光荧光测试系统,测试了基片的发射层GaAs的掺杂浓度、过渡层Gal_(-x)Al_xAs的组分X值及沿表面X值的均匀性、高X值的测量等。实验结果表明,激光荧光检测为Ⅲ—V族半导体材料的研究提供了一种快速的非破坏性的检测方法,对研究透射式负电子亲和势光电阴极具有重要意义。 展开更多

关键词 光电阴极 无损检测 负电子亲和势

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负电子亲和势氮化镓光电阴极 被引量：7

4

作者 李慧蕊 申屠军 +1 位作者 戴丽英 马建一 《光电子技术》 CAS 2007年第2期73-77,共5页

负电子亲和势GaN光电阴极在紫外探测技术领域具有诱人的应用前景。本文在介绍和分析负电子亲和势GaN光电阴极的特点、工作原理及其能带结构的基础上,设计了GaN外延材料的结构和阴极制作工艺。指出负电子亲和势GaN光电阴极制备的关键在... 负电子亲和势GaN光电阴极在紫外探测技术领域具有诱人的应用前景。本文在介绍和分析负电子亲和势GaN光电阴极的特点、工作原理及其能带结构的基础上,设计了GaN外延材料的结构和阴极制作工艺。指出负电子亲和势GaN光电阴极制备的关键在于材料的生长、与输入光窗的融焊、衬底的减薄及彻底的去气处理和超高真空状态下的铯、氧激活。 展开更多

关键词 超高真空 激活 负电子亲和势 GAN光电阴极 紫外敏感 光电探测

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负电子亲和势GaN阴极光电发射机理研究 被引量：1

5

作者 李飙 任艺 +1 位作者 常本康 陈文聪 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第8期37-40,共4页

GaN阴极中光电子的发射分为价带电子的激发、光生载流子的输运和载流子的发射3个阶段。分析了激发阶段GaN光电阴极中电子吸收入射光产生从价带到导带的跃迁过程和输运阶段导带中的光电子从体内到表面的扩散过程及发射阶段GaN阴极表面光... GaN阴极中光电子的发射分为价带电子的激发、光生载流子的输运和载流子的发射3个阶段。分析了激发阶段GaN光电阴极中电子吸收入射光产生从价带到导带的跃迁过程和输运阶段导带中的光电子从体内到表面的扩散过程及发射阶段GaN阴极表面光电子的逸出过程;推导了Cs激活过程中到达阴极表面光激发电子的逸出几率公式;比较了仅用Cs激活和共用Cs/O激活过程中到达阴极表面光激发电子逸出几率的变化情况;结果表明:GaN阴极的光电发射为直接跃迁激发,输运阶段仅遭受电子-声子散射,表面光激发电子的逸出几率取决于激活程度,引入Cs是激活的必需因素,O的引入仅可小幅度提升光电发射效率;最后利用实验证实了Cs激活的充分性。 展开更多

关键词 负电子亲和势 GAN 光电阴极 光电发射 激发 输运 激活

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负电子亲和势Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体光电阴极及其发展 被引量：1

6

作者 马建一 顾肇业 申屠浩 《半导体情报》 1996年第6期17-22,共6页

阐明了负电子亲和势Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体光电阴极的卓越光电性能，论述了关于其物理机制的四种理论模型见解，介绍了阴极材料生长技术和制作工艺以及拓展的应用领域并展望了趋势和前景。

关键词 负电子亲和势 光电阴极 化合物半导体

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真空铟焊的负电子亲和势砷化镓光阴极实验研究

7

作者 潘清 肖德鑫 +6 位作者 吴岱 李凯 杨仁俊 王建新 张海旸 刘宇 黎明 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第7期254-258,共5页

大功率激光加载会使负电子亲和势(NEA)砷化镓(GaAs)光阴极的温度迅速升高,较高的温度对NEA GaAs光阴极的激活层造成了破坏,从而使其量子效率迅速下降。探索了基于FEL-THz装置的NEA GaAs光阴极的真空铟焊工艺,搭建了GaAs真空铟焊平台,并... 大功率激光加载会使负电子亲和势(NEA)砷化镓(GaAs)光阴极的温度迅速升高,较高的温度对NEA GaAs光阴极的激活层造成了破坏,从而使其量子效率迅速下降。探索了基于FEL-THz装置的NEA GaAs光阴极的真空铟焊工艺,搭建了GaAs真空铟焊平台,并进行了真空铟焊后的GaAs光阴极激光与束流加载实验。研究表明,真空铟焊使GaAs与金属阴极托之间形成了紧密连接,增强了阴极与阴极托之间的热传导,减缓了阴极的温升速率,并在数瓦平均功率激光加载时将注入器中NEA GaAs光阴极的工作寿命提高了一个量级以上。 展开更多

关键词 负电子亲和势砷化镓光阴极 真空铟焊 阴极工作寿命 量子效率

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用动态光谱响应测试技术评价多碱光电阴极的电子亲和势 被引量：3

8

作者 常本康 富容国 +1 位作者 钱芸生 容啟宁 《红外技术》 CSCD 北大核心 2002年第1期46-49,共4页

利用光谱响应和量子产额曲线首次介绍了多碱光电阴极制备过程中的电子亲和势。Na2 KSb、Na2 KSb +Cs和 [Na2 KSb +Cs]+Sb +Cs的电子亲和势分别为 0 .7～ 0 .91eV ,0 .35～ 0 .4 1eV和 0 .33eV ,并认为电子亲和势的差异取决于阴极工艺的... 利用光谱响应和量子产额曲线首次介绍了多碱光电阴极制备过程中的电子亲和势。Na2 KSb、Na2 KSb +Cs和 [Na2 KSb +Cs]+Sb +Cs的电子亲和势分别为 0 .7～ 0 .91eV ,0 .35～ 0 .4 1eV和 0 .33eV ,并认为电子亲和势的差异取决于阴极工艺的差别。在Na2 KSb形成过程中存在n型表面态 ,这些n型表面态的存在影响了Na2 KSb的重掺杂 。 展开更多

关键词 多碱光电阴极 电子亲和势 动态光谱响应 测试技术

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GaAs∶Cs-O NEA光电阴极电子表面逸出几率的计算 被引量：1

9

作者 宗志园 富容国 +1 位作者 钱芸生 常本康 《红外技术》 CSCD 北大核心 2002年第3期27-30,共4页

介绍了计算CaAs∶Cs ONEA光电阴极电子表面逸出几率的方法 ,选用双偶极层表面模型 ,计算了两个偶极层形成的界面势垒各自对电子表面逸出几率的影响 ,提出了增大电子表面逸出几率的条件 。

关键词 光电阴极 NEA 电子 表面逸出几率 偶极层 负电子亲和势 砷化镓

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近红外响应的Ⅲ-V族半导体光电阴极材料及工艺 被引量：4

10

作者 王旺平 马建一 《光电子技术》 CAS 北大核心 2013年第3期194-197,207,共5页

随着GaAs负电子亲和势(NEA)半导体光电阴极在我国的成熟和应用,半导体光电阴极的进一步研究将往更长波的近红外发展。针对透射式半导体光电阴极器件,系统总结了近红外波段响应良好的GaAs、InGaAs、InGaAsP Ⅲ-V族外延材料特性及相应商... 随着GaAs负电子亲和势(NEA)半导体光电阴极在我国的成熟和应用,半导体光电阴极的进一步研究将往更长波的近红外发展。针对透射式半导体光电阴极器件,系统总结了近红外波段响应良好的GaAs、InGaAs、InGaAsP Ⅲ-V族外延材料特性及相应商业化产品的应用领域和性能。通过文献调研本文进一步归纳了不同波段NEA光电阴极和转移电子光阴极适用的材料结构,并结合传统GaAs NEA光电阴极工艺讨论了InGaAs、InGaAsP材料及阴极工艺的难点。 展开更多

关键词 负电子亲和势光电阴极 转移电子光阴极 GAAS INGAAS INGAASP

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NEA光电阴极的表面模型 被引量：8

11

作者 杜晓晴 常本康 +1 位作者 宗志园 杜玉杰 《红外技术》 CSCD 北大核心 2003年第1期68-71,81,共5页

回顾了NEA光电阴极不同的表面模型 ,对异质结模型、偶极子模型和铯的弱核力效应进行了重点介绍。异质结模型可以成功解释P型GaAs和 (Cs,O)激活层之间界面势垒的存在 ,但这种具有体效应的异质结无法与 (Cs,O)层的厚度相统一 ;偶极子模型... 回顾了NEA光电阴极不同的表面模型 ,对异质结模型、偶极子模型和铯的弱核力效应进行了重点介绍。异质结模型可以成功解释P型GaAs和 (Cs,O)激活层之间界面势垒的存在 ,但这种具有体效应的异质结无法与 (Cs,O)层的厚度相统一 ;偶极子模型认为在阴极表面形成的偶极层导致了逸出功的下降 ,其双偶极层模型能较好地预测和解释最佳的 (Cs ,O)激活层厚度 ,但不同的双偶极层模型对于氧在表面层存在的化学形态存在争议 ;铯的弱核力场效应认为铯表面层的弱核力场及氧的离化作用是界面势垒和负电子亲和势的形成原因 ,但它所认为的逸出功降低与基底材料无关还需进一步验证。 展开更多

关键词 NEA光电阴极 表面模型 异质结 双偶极层 弱核力场 负电子亲和势 偶极子

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透射式GaAs(Cs,O)光电阴极稳定性的研究 被引量：3

12

作者 闫金良 朱长纯 向世明 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期157-160,共4页

研究了光照强度和残余气体对阴极稳定性的影响 ,比较阴极在管壳内和激活室内的阴极稳定性 ,用俄歇谱仪分析激活的 Ga As光电阴极表面和灵敏度衰减到 0时的 Ga As光电阴极表面 .结果表明 。

关键词 负电子亲和势 残余气体 稳定性 光电阴极 微光像增强器 CaAs(Cs O) 光照强度 俄歇谱仪

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OLED中NEA材料复合阴极影响电子注入效率的作用机理 被引量：2

13

作者 袁桃利 王秀峰 牟强 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期14-15,24,共3页

负电子亲和势材料具有较窄的禁带宽度、功函数低,在OLED的工作电场强范围内可以发射电子,同时在吸收有机材料所发光子能量后可以产生光电子发射,再次注入有机层,提高了电子注入效率。介绍了负电子亲和势材料的形成,理论上分析了其对有... 负电子亲和势材料具有较窄的禁带宽度、功函数低,在OLED的工作电场强范围内可以发射电子,同时在吸收有机材料所发光子能量后可以产生光电子发射,再次注入有机层,提高了电子注入效率。介绍了负电子亲和势材料的形成,理论上分析了其对有机半导体能级的影响以及如何改善有机电致发光器件中电子注入水平,从而提高发光效率。 展开更多

关键词 负电子亲和势 功函数 发光效率 光电子

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NEA光电阴极的性能参数评估 被引量：1

14

作者 杜晓晴 常本康 +1 位作者 宗志园 钱芸生 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2002年第S1期55-57,61,共4页

利用自行研制的动态光谱响应测试系统直接实现NEA光电阴极的光谱响应在线测试,并对光谱响应曲线进行曲线拟合,间接实现了电子表面逸出几率、扩散长度、后界面复合速率及积分灵敏度的评估。对(Cs,O)激活的GaAs反射式光电阴极进行了性能... 利用自行研制的动态光谱响应测试系统直接实现NEA光电阴极的光谱响应在线测试,并对光谱响应曲线进行曲线拟合,间接实现了电子表面逸出几率、扩散长度、后界面复合速率及积分灵敏度的评估。对(Cs,O)激活的GaAs反射式光电阴极进行了性能参数评估,给出了测试结果。 展开更多

关键词 负电子亲和势 光电阴极 曲线拟合 评估

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Ⅲ-Ⅴ族半导体NEA光电阴极智能激活测试系统设计及应用研究 被引量：1

15

作者 高频 张益军 +1 位作者 王晓晖 黄怀琪 《红外技术》 CSCD 北大核心 2011年第12期721-725,共5页

Ⅲ-Ⅴ族半导体负电子亲和势(NEA)光电阴极智能激活测试系统是为研究、制备NEA光电阴极材料提供的一个多信息实验数据自动采集和处理平台。它的亮点在于:在该系统上不但能完成GaAsNEA光电阴极激活,而且能进行GaN NEA光电阴极激活的研究... Ⅲ-Ⅴ族半导体负电子亲和势(NEA)光电阴极智能激活测试系统是为研究、制备NEA光电阴极材料提供的一个多信息实验数据自动采集和处理平台。它的亮点在于:在该系统上不但能完成GaAsNEA光电阴极激活,而且能进行GaN NEA光电阴极激活的研究。其使用波长范围已从初级研究的400～1000 nm延展到了200～1000 nm,即从红外延伸到紫外区域,所能制备的材料也从第二代半导体材料扩大到了第三代半导体及新型半导体材料。在线实时测试信息量更丰富、更智能、自动化程度更高,是Ⅲ-Ⅴ族半导体NEA光电阴极制备、测控、数据采集与处理、表征的新一代系统。 展开更多

关键词 光电阴极 负电子亲和势 铯氧激活 光谱响应

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AlGaN光电阴极像增强管

16

作者 唐光华 申屠军 +6 位作者 戴丽英 钟伟俊 杨杰 汪述猛 方盛江 赵文锦 李拂晓 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期615-,共1页

太阳盲探测AlGaN光电阴极是目前国际上研究的重点之一。AlGaN材料具有探测波段可调、电子亲和势小、热稳定性好等特点,是一种比较理想的有效负电子亲和势(NEA)紫外阴极材料。AlGaN材料中Al含量达到0.3以上,可以实现太阳盲探测。

关键词 ALGAN 光电阴极 负电子亲和势 像增强管

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可见-近红外响应InGaAs光电倍增管

17

作者 王旺平 马建一 《光电子技术》 CAS 2015年第2期115-117,共3页

光电倍增管,在单光子探测应用中,有独特优势,其有效面积大,暗电流低,且倍增系数大。基于三代负电子亲和势阴极技术研究了InGaAs光电倍增管,利用GaAs衬底外延InGaAs,将三代光电阴极截止波长从920nm拓展至1100nm,阴极积分灵敏度340uA/lm,... 光电倍增管,在单光子探测应用中,有独特优势,其有效面积大,暗电流低,且倍增系数大。基于三代负电子亲和势阴极技术研究了InGaAs光电倍增管,利用GaAs衬底外延InGaAs,将三代光电阴极截止波长从920nm拓展至1100nm,阴极积分灵敏度340uA/lm,光谱峰值830nm,1000nm辐射灵敏度6.2mA/W,InGaAs性能达到日本滨松公司V8071U-76产品水平。在内置2块微通道板后,整管电子倍增系数大于105。 展开更多

关键词 负电子亲和势光电阴极 GAAS INGAAS 光电倍增管

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紫外探测技术的应用与进展 被引量：26

18

作者 杨杰 《光电子技术》 CAS 北大核心 2011年第4期274-278,共5页

首先简要介绍了紫外光电探测器的基本概念和分类。然后对紫外探测技术的各种应用场合进行了详细论述。最后对国内外近期在紫外光电探测技术的最新进展作了一些报道。

关键词 紫外光电探测 碲铷 碲铯阴极 负电子亲和势AlGaN光电阴极

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