辉光放电对负偏压增强热丝化学气相沉积碳纳米管的准直生长作用研究(英文) 被引量：1

1

作者 王必本 Lee Soonil +1 位作者 Kim Junghoi 侯碧辉 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期629-633,共5页

利用负偏压增强热丝化学气相沉积在不同的负偏压和压强下 ,在沉积有不同厚度NiFe膜的Si衬底上制备了碳纳米管 ,并用扫描电子显微镜研究了它们的生长。发现在无辉光放电的情况下 ,碳纳米管弯曲生长 ,而在辉光放电时 ,碳纳米管准直生长 ,... 利用负偏压增强热丝化学气相沉积在不同的负偏压和压强下 ,在沉积有不同厚度NiFe膜的Si衬底上制备了碳纳米管 ,并用扫描电子显微镜研究了它们的生长。发现在无辉光放电的情况下 ,碳纳米管弯曲生长 ,而在辉光放电时 ,碳纳米管准直生长 ,表明辉光放电对碳纳米管的准直生长起到了重要的作用。由于辉光放电的产生 ,在衬底表面附近形成很强的电场。相对无辉光放电时的电场 ,场强提高了两个数量级。本工作详细地研究了辉光放电对碳纳米管的准直生长作用。 展开更多

关键词 辉光放电 负偏压增强热丝化学气相沉积 NiFe膜 碳纳米管 准直生长

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偏压对低气压等离子体增强化学气相沉积TiO_2薄膜的结构和性能的影响 被引量：4

2

作者 刘伟 李岩 张菁 《东华大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期103-107,共5页

使用等离子体增强化学气相沉积(PE-CVD)的方法,以TTIP(Ti(OC3H7)4)为单体,用氧气为载气,以脉冲偏压为辅助在室温的玻璃基片上沉积无定型TiO2薄膜,分析探讨在射频等离子体增强化学气相沉积TiO2薄膜的过程中,基片上施加脉冲偏压和远离脉... 使用等离子体增强化学气相沉积(PE-CVD)的方法,以TTIP(Ti(OC3H7)4)为单体,用氧气为载气,以脉冲偏压为辅助在室温的玻璃基片上沉积无定型TiO2薄膜,分析探讨在射频等离子体增强化学气相沉积TiO2薄膜的过程中,基片上施加脉冲偏压和远离脉冲偏压的情况下成膜的比较.在沉积的过程中,利用USB-2000型光纤光谱仪对等离子体的发射光谱进行测量,定性分析等离子体沉积过程中的成分组成.用UV-1901探讨薄膜的光学特性,发现紫外和近紫外区域有一定吸收;用扫描电镜分析薄膜表面形貌的变化,可以看到偏压下的薄膜致密无孔,而远离偏压下的薄膜形貌粗糙;用红外光谱分析薄膜的结构组成,可以看到明显的Ti—O吸收峰.脉冲偏压下得到的薄膜在化学、光学以及电学方面有很好应用前景. 展开更多

关键词 TiO2 等离子体 脉冲偏压 等离子体增强化学气相沉积(PE—CVD)

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纳米多孔硅基薄膜的常压等离子体化学气相沉积过程研究 被引量：3

3

作者 夏磊 周荃 +1 位作者 徐金洲 张菁 《东华大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期117-121,共5页

采用常压等离子体化学气相沉积(APECVD)的方法制备了带有新颖结构和特殊蓝紫光(400nm左右)发光特性的硅基薄膜.通过在自行研制的等离子体反应装置中通入按100∶1∶1的体积比进行配比的SiH4∶H2∶Ar混合气体进行APECVD,在加负偏压条件下... 采用常压等离子体化学气相沉积(APECVD)的方法制备了带有新颖结构和特殊蓝紫光(400nm左右)发光特性的硅基薄膜.通过在自行研制的等离子体反应装置中通入按100∶1∶1的体积比进行配比的SiH4∶H2∶Ar混合气体进行APECVD,在加负偏压条件下获得了由Si基组成的絮状多孔纳米结构薄膜.通过等离子体发射光谱测定了沉积过程中的电子温度在2.2eV左右,扫描电子显微镜(SEM)观测薄膜表面形貌后肯定了偏压对薄膜纳米结构的形成起着重要的作用. 展开更多

关键词 常压等离子体化学气相沉积(APECVD) 多孔硅基薄膜 负偏压 荧光(PL)

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等离子化学气相沉积硅-硼-氮复合薄膜的组成和结构

4

作者 于翔 于俊峰 王成彪 《分析测试学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期83-85,共3页

利用X射线衍射 (XRD)和X光电子能谱 (XPS)等技术对射频 -直流 -等离子化学气相沉积 (RF -DC -PVCD)在钢基体上Si-B -N复合薄膜的组成和结构进行分析和研究 ;结果表明 ,通过给试样基体加一适当的直流负偏压 ,得到含有显著六方氮化硼 (h_... 利用X射线衍射 (XRD)和X光电子能谱 (XPS)等技术对射频 -直流 -等离子化学气相沉积 (RF -DC -PVCD)在钢基体上Si-B -N复合薄膜的组成和结构进行分析和研究 ;结果表明 ,通过给试样基体加一适当的直流负偏压 ,得到含有显著六方氮化硼 (h_BN)、立方氮化硼 (c_BN)结晶相的Si-B 展开更多

关键词 Si-B-N复合薄膜 负偏压 结构 组成 硅-硼-氮复合薄膜 金属 表面处理 等离子体化学气相沉积

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两段成长法改善微波电浆辅助化学气相沉积多晶金刚石之品质(英文)

5

作者 李世鸿 叶忠信 +2 位作者 张永平 汪岛军 黄柏仁 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期223-229,共7页

以化学气相沉积法成长多晶金刚石薄膜时,薄膜的品质会受到成长时间、成长压力、反应气体比例、偏压与否及成核的机制等因素影响。研究采用微波电浆辅助化学气相沉积(MPECVD)法,以甲烷(CH4)和氢气(H2)作为反应气体原料,在p型(111)硅基板... 以化学气相沉积法成长多晶金刚石薄膜时,薄膜的品质会受到成长时间、成长压力、反应气体比例、偏压与否及成核的机制等因素影响。研究采用微波电浆辅助化学气相沉积(MPECVD)法,以甲烷(CH4)和氢气(H2)作为反应气体原料,在p型(111)硅基板沉积多晶金刚石薄膜。典型沉积多晶金刚石薄膜的制程可分为四个阶段:抛蚀表面阶段、渗碳阶段、偏压增强成核(BEN)阶段及成长阶段。研究将成长阶段划分为两个阶段,第一阶段压力较低(成长I阶段),第二阶段压力较高(成长II阶段)。结果表明:第一阶段可大大改善金刚石薄膜的品质,所获多晶金刚石薄膜的晶粒具有明确的颗粒边界、较低的碳化物或缺陷,电导率急剧降低,显现出本徵金刚石半绝缘的性质。可以认为金刚石薄膜品质的改善完全为低压成长所致。实验发现在成长I阶段或成长II阶段施加偏压时,只会降低多晶金刚石薄膜的品质。 展开更多

关键词 多晶金刚石薄膜 微波电浆辅助化学气相沉积(MPECVD) 两段成长 偏压增强成核(BEN)

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衬底负偏压增强金刚石成核机制的研究进展 被引量：2

6

作者 王必本 王万录 +1 位作者 廖克俊 肖金龙 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期44-45,共2页

综述了近几年来对衬底负偏压增强金刚石成核机制的研究,并且对各种机制进行了分析和讨论,提出了今后有待研究的问题。

关键词 衬底负偏压 成核机制 金刚石薄膜 化学气相沉积

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负偏压形核法增强金刚石薄膜附着力研究 被引量：5

7

作者 王传新 汪建华 +4 位作者 满卫东 马志斌 王升高 康志成 王涛 《工具技术》 北大核心 2004年第1期35-37,共3页

在微波等离子体化学气相沉积装置中 ,研究了负偏压形核对金刚石薄膜与WC 6 %硬质合金刀具附着力的影响。结果表明 ,负偏压形核不仅能增加金刚石的核密度 ,还能改善金刚石核在WC晶粒上分布的均匀性 ,增加膜基有效结合面积 ,从而增加金刚... 在微波等离子体化学气相沉积装置中 ,研究了负偏压形核对金刚石薄膜与WC 6 %硬质合金刀具附着力的影响。结果表明 ,负偏压形核不仅能增加金刚石的核密度 ,还能改善金刚石核在WC晶粒上分布的均匀性 ,增加膜基有效结合面积 ,从而增加金刚石薄膜附着力。因负偏压形核时含碳离子被偏压电场加速 ,对刀具表面产生溅射作用 ,采用铜替代置换钴的刀具 ,使用负偏压形核反而降低薄膜附着力 ;而采用磁控溅射镀铜的刀具 ,使用负偏压形核则能进一步提高金刚石薄膜的附着力。 展开更多

关键词 负偏压形核 金刚石薄膜 附着力 微波等离子体化学气相沉积 硬质合金刀具

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直流负偏压对类金刚石薄膜结构和性能的影响 被引量：5

8

作者 李红轩 徐洮 +2 位作者 陈建敏 周惠娣 刘惠文 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期802-805,共4页

利用直流 射频 等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅表面制备了类金刚石薄膜 ,采用原子力显微镜、Raman光谱、X射线光电子能谱、红外光谱、表面轮廓仪和纳米压痕仪考察了直流负偏压对类金刚石薄膜表面形貌、微观结构、沉积速率和硬... 利用直流 射频 等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅表面制备了类金刚石薄膜 ,采用原子力显微镜、Raman光谱、X射线光电子能谱、红外光谱、表面轮廓仪和纳米压痕仪考察了直流负偏压对类金刚石薄膜表面形貌、微观结构、沉积速率和硬度等性能的影响。结果表明 :无直流负偏压条件下 ,薄膜呈现有机类聚合结构 ,具有较低的SP3含量和硬度 ;叠加上直流负偏压后 ,薄膜具有典型的类金刚石结构特征 ,SP3含量和硬度得到了显著的提高 ;但随着直流负偏压的升高 ,薄膜的沉积速率和H含量逐渐降低 ,而SP3含量和硬度在直流负偏压为 2 0 0V时出现最大值 。 展开更多

关键词 化学气相沉积 类金刚石薄膜 直流负偏压 硬度 微观结构

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热丝辅助MWECR-CVD法沉积氢化非晶硅薄膜研究 被引量：1

9

作者 刘国汉 丁毅 +3 位作者 朱秀红 何斌 陈光华 贺德衍 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期986-989,共4页

为了降低a-Si:H薄膜中的氢含量,提高其稳定性,在我们MWECR-CVD系统中引入了热丝装置,热丝对等离子体的热辐射使等离子体升温,既促进了气体的进一步分解和电离,获得较多的低氢原子基团,也减少了活性高硅烷聚合物的生成,从而使薄膜中的(Si... 为了降低a-Si:H薄膜中的氢含量,提高其稳定性,在我们MWECR-CVD系统中引入了热丝装置,热丝对等离子体的热辐射使等离子体升温,既促进了气体的进一步分解和电离,获得较多的低氢原子基团,也减少了活性高硅烷聚合物的生成,从而使薄膜中的(SiH2)n的含量降低。同时,热丝对样品表面提供的热辐射和光辐射也可以进一步降低薄膜的氢含量。实验结果表明,用这种装置沉积的a-Si:H薄膜,氢含量可降低到4.5at%左右,稳定性明显增强,光敏性也有一定改善。 展开更多

关键词 电子回旋共振 等离子体增强化学气相沉积 氢化非晶硅薄膜 热丝 光致衰退效应

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负衬底偏压对碳纳米管生长的影响 被引量：2

10

作者 王必本 徐幸梓 《材料导报》 EI CAS CSCD 2002年第9期74-75,共2页

利用负衬底偏压增强热灯丝化学气相沉积系统制备了碳纳米管。用扫描电子显微镜研究了碳纳米管的生长,结果表明碳纳米管的生长随着负衬底偏压的增大先增强,然后减弱,并且出现了部分准直的碳纳米管。分析和讨论了负衬底偏压对碳纳米管生... 利用负衬底偏压增强热灯丝化学气相沉积系统制备了碳纳米管。用扫描电子显微镜研究了碳纳米管的生长,结果表明碳纳米管的生长随着负衬底偏压的增大先增强,然后减弱,并且出现了部分准直的碳纳米管。分析和讨论了负衬底偏压对碳纳米管生长的影响。 展开更多

关键词 生长 碳纳米管 热灯丝CVD 负衬底偏压 化学气相沉积

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负偏压对高界面强度类金刚石薄膜制备的影响 被引量：1

11

作者 郑锦华 李志雄 +1 位作者 刘青云 梅诗阳 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第10期93-100,共8页

为解决类金刚石(DLC)薄膜与金属基材间的界面结合强度和厚膜化问题,提出一种使用a-Si:C:H键合层和H-DLC过渡层的新工艺。利用直流等离子体增强化学气相沉积(DC-PECVD)方法,在45钢基材上沉积不同负偏压条件下的复合DLC薄膜,并对薄膜的厚... 为解决类金刚石(DLC)薄膜与金属基材间的界面结合强度和厚膜化问题,提出一种使用a-Si:C:H键合层和H-DLC过渡层的新工艺。利用直流等离子体增强化学气相沉积(DC-PECVD)方法,在45钢基材上沉积不同负偏压条件下的复合DLC薄膜,并对薄膜的厚度、表面粗糙度、结构成分、残余应力、膜基结合力以及摩擦学性能进行测定和分析。结果表明:当顶层薄膜的制备负偏压从600 V增加至1200 V时,薄膜表面粗糙度增大,总膜厚增加,最大达到16.3μm;薄膜中的残余应力呈增大趋势,结合力减小;薄膜的平均磨损率增大,耐磨性逐渐下降。顶层薄膜制备负偏压为600 V时,复合DLC薄膜的综合性能最优,结合力达到了54.6 N,平均磨损率为1.5×10^(-16) m^(3)/(N·m),使45钢的耐磨性提高了30倍。 展开更多

关键词 H-DLC 界面强度 直流等离子体增强化学气相沉积 负偏压 摩擦磨损

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双偏压辅助HF-PECVD沉积纳米金刚石薄膜工艺参数的AFM分析

12

作者 唐元洪 张恩磊 +3 位作者 谭艳 林良武 张勇 郭池 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第18期1-4,共4页

采用双偏压辅助热丝-等离子增强化学沉积系统制备了纳米金刚石薄膜。采用AFM、SEM、Raman等考察了不同工艺条件对纳米金刚石薄膜形貌、粗糙度、内部结构等的影响。结果表明,热丝温度降低,所形成薄膜的晶粒尺寸变大,薄膜表面高低起伏较大... 采用双偏压辅助热丝-等离子增强化学沉积系统制备了纳米金刚石薄膜。采用AFM、SEM、Raman等考察了不同工艺条件对纳米金刚石薄膜形貌、粗糙度、内部结构等的影响。结果表明,热丝温度降低,所形成薄膜的晶粒尺寸变大,薄膜表面高低起伏较大,粗糙度也随之增大;随着射频输出功率的增大,等离子体轰击基底的能力增强,但过大的功率会使构成薄膜的晶粒变大;随着偏压的不断增大,氢离子体对薄膜表面的刻蚀程度逐渐增大,从而有利于形成纳米金刚石薄膜。 展开更多

关键词 纳米金刚石薄膜 双偏压 热丝-等离子化学气相沉积 原子力显微镜

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辅助方法对热丝CVD金刚石生长速率的影响 被引量：3

13

作者 孙心瑗 周灵平 +3 位作者 李绍禄 李德意 张刚 陈本敬 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期393-397,共5页

在热丝化学气相沉积金刚石系统中 ,通过双灯丝间的热阴极放电产生等离子体 ,对衬底施加正负偏压形成电子促进 ,比较分析了它们及其组合的各种辅助方法对金刚石生长速率的影响。结果表明 ,在以丙酮为碳源、灯丝总功率不变的情况下 ,等离... 在热丝化学气相沉积金刚石系统中 ,通过双灯丝间的热阴极放电产生等离子体 ,对衬底施加正负偏压形成电子促进 ,比较分析了它们及其组合的各种辅助方法对金刚石生长速率的影响。结果表明 ,在以丙酮为碳源、灯丝总功率不变的情况下 ,等离子体可明显增强金刚石的生长 ,其生长速率约为纯热丝法的三倍 ;而正偏压对等离子体辅助沉积金刚石不仅没有增强形核作用 ,而且抑制金刚石的生长 ;电子促进法可以显著提高金刚石的成核密度 ,但并不能提高金刚石生长速率。 展开更多

关键词 辅助方法 热丝 金刚石膜 金刚石多晶球 生长速率 等离子体增强 偏压 热丝化学气相沉积 成核密度

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自偏压对含氢非晶碳膜光学特性的影响 被引量：4

14

作者 蔺增 巴德纯 +1 位作者 王凤 李明 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期350-353,共4页

利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)方法,以CH4、Ar和H2为气源,在CR-39树脂材料上制备出了含氢非晶碳膜(a-C∶H膜)。研究了不同偏压对a-C∶H膜生长过程和光学特性的影响。使用激光拉曼光谱(Raman)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)... 利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)方法,以CH4、Ar和H2为气源,在CR-39树脂材料上制备出了含氢非晶碳膜(a-C∶H膜)。研究了不同偏压对a-C∶H膜生长过程和光学特性的影响。使用激光拉曼光谱(Raman)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)对样品的结构和成分进行了表征,分别使用纳米压痕仪和紫外一可见光分光光度计测试了样品的机械和光学特性。结果表明,自偏压对a-C:H膜的生长具有重要影响。随着自偏压的升高,所沉积a-C∶H膜中的sp3含量降低,薄膜的硬度和光学透过率也下降。 展开更多

关键词 含氢非晶碳膜 等离子体增强化学气相沉积 自偏压 光学特性

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射频放电辅助热丝CVD金刚石生长速率的研究 被引量：1

15

作者 孙心瑗 周灵平 +2 位作者 李宇农 易学华 陈本敬 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期460-463,共4页

在传统的HFCVD系统中,引入射频电源后,通过与灯丝或者衬底的连接,组成了射频放电辅助下的四种不同沉积金刚石的生长模式。在各种生长模式下,分别以酒精和丙酮为碳源,沉积出了金刚石多晶球,并就不同辅助模式下的金刚石的生长速率进行了... 在传统的HFCVD系统中,引入射频电源后,通过与灯丝或者衬底的连接,组成了射频放电辅助下的四种不同沉积金刚石的生长模式。在各种生长模式下,分别以酒精和丙酮为碳源,沉积出了金刚石多晶球,并就不同辅助模式下的金刚石的生长速率进行了研究。结果表明,等离子体增强法能够明显促进金刚石的生长,而电子促进法的生长速率最慢,甚至慢于偏压等离子体的生长速率;与等离子体促进增强法相比,偏压等离子体增强法的生长速率也有所变慢,并且随着偏压射频电流的增大,其生长速率越来越慢;而传统热丝法的生长速率与沉积金刚石时所选用碳源的分子结构有很大的关系。 展开更多

关键词 金刚石多晶球 射频放电 等离子体增强 热丝化学气相沉积

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CVD金刚石膜研究进展

16

作者 权乐 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第10期841-852,共12页

金刚石由于其优异的声、光、电、热和力学性能,是重要的功能材料之一。金刚石的制备方法主要有高温高压方法和低压化学气相沉积方法。化学气相沉积法因制备得到的样品质量高、面积大,设备简单、可规模化等特性,是合成金刚石膜的重要方... 金刚石由于其优异的声、光、电、热和力学性能,是重要的功能材料之一。金刚石的制备方法主要有高温高压方法和低压化学气相沉积方法。化学气相沉积法因制备得到的样品质量高、面积大,设备简单、可规模化等特性,是合成金刚石膜的重要方法。为了实现低合成压力条件下的金刚石膜的均匀、快速、大尺寸、高质量生长,目前研究人员在金刚石低压生长的控制方面做出了深入的研究。文章综述了近年来化学气相沉积法(包括热丝CVD法、离子体增强CVD法、燃烧火焰CVD法)生长金刚石膜的研究进展,包括金刚石膜的生长机理、关键设备、关键工艺参数等。此外,还详细讨论了生长过程中的关键工艺参数与金刚石膜生长速率和质量的关系,这些对化学气相沉积制备金刚石膜的研究、生产至关重要。 展开更多

关键词 金刚石膜 化学气相沉积 等离子体增强化学气相沉积 热丝化学气相沉积 燃烧火焰化学 气相沉积

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全密封超薄碳纳米管玻璃平板字符显示器件制造工艺的初步探讨 被引量：4

17

作者 李宏彦 刘光诒 +5 位作者 夏善红 叶久龙 杨久霞 支春义 王恩哥 戴居丰 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期476-480,共5页

利用自制的场助热丝化学气相沉积设备,在不锈钢电极的部分选取表面上,摸索出了直接生长碳纳米管(CNT s)勿须涂敷催化剂的新方法。利用得到的高定向多壁碳纳米管薄膜,研究出一种制造大面积实用碳纳米管阵列场发射(CNT s/FEA)阴极的新方... 利用自制的场助热丝化学气相沉积设备,在不锈钢电极的部分选取表面上,摸索出了直接生长碳纳米管(CNT s)勿须涂敷催化剂的新方法。利用得到的高定向多壁碳纳米管薄膜,研究出一种制造大面积实用碳纳米管阵列场发射(CNT s/FEA)阴极的新方法。经真空条件下的发射特性测量及SEM等检测手段肯定了这种CNT s/FEA阴极的实用性。从工艺流程角度出发,初步探讨了静态工作制式下,采用碳纳米管做电极后,实现一种全密封超薄碳纳米管玻璃真空字符(或图像)显示器件的可能性。10多只封离管共显示过3种类型的字型(图像),全部管厚仅为2·7mm。实验结果不仅提供了一种碳纳米管阴极在玻璃真空平板型器件内应用的方法,也摸索出了一条实现小尺寸双色(或多色)字符(图像)静态(或动态)显示的廉价、节能途径。 展开更多

关键词 碳纳米管 阵列场电子发射电子源 平板型字符显示器件 场助(或偏置增强)热丝化学气相沉积 二极管 荧光粉

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RF-HFCVD生长高质量纳米金刚石薄膜 被引量：2

18

作者 邱东江 吴惠桢 +1 位作者 陈奶波 石成儒 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期167-170,共4页

采用射频等离子体增强的热丝化学气相沉积 (RF HFCVD)技术在石英玻璃衬底上制备了高质量的纳米金刚石薄膜 .研究了衬底温度、反应气压及射频功率对金刚石膜的结晶习性和光学性质的影响 ,其最佳值分别为70 0℃、2× 133Pa和 2 0 0W ... 采用射频等离子体增强的热丝化学气相沉积 (RF HFCVD)技术在石英玻璃衬底上制备了高质量的纳米金刚石薄膜 .研究了衬底温度、反应气压及射频功率对金刚石膜的结晶习性和光学性质的影响 ,其最佳值分别为70 0℃、2× 133Pa和 2 0 0W .在该条件下金刚石成核密度达 10 11cm-2 ,经 1h生长即获得连续薄膜 ,其平均晶粒尺寸为 2 5nm ,表面粗糙度仅为 5 5 ,在近红外区域 (80 0nm处 )的光透过率达 90 % . 展开更多

关键词 RF-HFCVD 生长 纳米金刚石薄膜 射频等离子体增强热丝化学气相沉积 光透过率

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氮化硼光电薄膜材料的制备及其性能研究 被引量：5

19

作者 祁英昆 张溪文 +6 位作者 郝天亮 董博 沈鸽 杜丕一 翁文剑 赵高凌 韩高荣 《材料科学与工程》 CSCD 北大核心 2002年第4期510-512,540,共3页

本文通过热丝辅助等离子体增强化学气相沉积法 (HF PECVD)在单晶硅片和石英片衬底上分别成功生长了氮化硼薄膜材料。用X射线衍射 (XRD和傅立叶变换红外光谱 (FTIR)分析了薄膜样品的结构和组成 ,用扫描电镜 (SEM)观察了薄膜样品的表面形... 本文通过热丝辅助等离子体增强化学气相沉积法 (HF PECVD)在单晶硅片和石英片衬底上分别成功生长了氮化硼薄膜材料。用X射线衍射 (XRD和傅立叶变换红外光谱 (FTIR)分析了薄膜样品的结构和组成 ,用扫描电镜 (SEM)观察了薄膜样品的表面形态 ,用紫外—可见光分光光度计 (UV)研究了薄膜样品的紫外吸收特征 ,并确认薄膜样品的光学能隙。此外 。 展开更多

关键词 光电薄膜材料 制备 性能 氮化硼 热丝辅助等离子体增强化学气相沉积 紫外吸收 衬底预处理 半导体材料

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纳米光学金刚石薄膜的分析与改进(英文) 被引量：1

20

作者 胡广 王林军 +4 位作者 祝雪丰 刘建民 黄健 徐金勇 夏义本 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期548-552,共5页

由于极其优良的热学和光学性能,纳米金刚石薄膜极有可能应用于背投电视的激光光学窗口。文章通过在热丝辅助化学气相沉积法中采用偏压增强成核(BEN-HFCVD) ,成功地在(100)硅衬底上制得了适于作为光学窗口的高质量的光学级纳米金刚石薄膜... 由于极其优良的热学和光学性能,纳米金刚石薄膜极有可能应用于背投电视的激光光学窗口。文章通过在热丝辅助化学气相沉积法中采用偏压增强成核(BEN-HFCVD) ,成功地在(100)硅衬底上制得了适于作为光学窗口的高质量的光学级纳米金刚石薄膜,采用的偏压为-30 V。通过表征制备的纳米金刚石薄膜,发现它具有光滑的表面,表面均方根粗糙度(RMS)约为10 nm,并且对自支撑纳米金刚石薄膜进行透射光谱分析得到其透射率达到了50 %。 展开更多

关键词 纳米金刚石 光学性质 表面粗糙度 偏压增强成核-热丝辅助化学气相沉积法

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