期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
环境湿度对非晶铟镓锌氧薄膜晶体管负偏压光照稳定性的影响
被引量:
1
1
作者
冯国锋
章雯
董承远
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第5期649-655,共7页
为了探究环境湿度对非晶铟镓锌氧薄膜晶体管(a-IGZO TFT)的负偏压光照(NBIS)稳定性的影响,本文使用非密闭腔室进行不同波长光照射下以及不同相对湿度下的TFT负偏压测试。介绍了a-IGZO TFT的基本结构以及实验所用I-V测试系统。测试了不...
为了探究环境湿度对非晶铟镓锌氧薄膜晶体管(a-IGZO TFT)的负偏压光照(NBIS)稳定性的影响,本文使用非密闭腔室进行不同波长光照射下以及不同相对湿度下的TFT负偏压测试。介绍了a-IGZO TFT的基本结构以及实验所用I-V测试系统。测试了不同波长光照条件下a-IGZO TFT的转移特性曲线以及相同波长光照射下不同相对湿度的转移特性曲线。实验结果表明a-IGZO TFT的转移特性曲线随着电压偏置时间的增加而发生负偏;随着光照波长的减小,器件阈值电压负漂越明显。随着相对湿度增加,a-IGZO TFT的NBIS不稳定性逐渐降低,但其电学特性发生了严重的劣化。在相对湿度为50%,光照波长为400 nm时,a-IGZO TFT的NBIS电学特性最好,其在负偏压时间为1500 s时的阈值电压偏移为15 V。
展开更多
关键词
非晶铟镓锌
薄膜晶体管
负偏压光照稳定性
湿度
氧空位
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
环境湿度对非晶铟镓锌氧薄膜晶体管负偏压光照稳定性的影响
被引量:
1
1
作者
冯国锋
章雯
董承远
机构
上海交通大学电子工程系
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第5期649-655,共7页
基金
国家自然科学基金(No.61474075)。
文摘
为了探究环境湿度对非晶铟镓锌氧薄膜晶体管(a-IGZO TFT)的负偏压光照(NBIS)稳定性的影响,本文使用非密闭腔室进行不同波长光照射下以及不同相对湿度下的TFT负偏压测试。介绍了a-IGZO TFT的基本结构以及实验所用I-V测试系统。测试了不同波长光照条件下a-IGZO TFT的转移特性曲线以及相同波长光照射下不同相对湿度的转移特性曲线。实验结果表明a-IGZO TFT的转移特性曲线随着电压偏置时间的增加而发生负偏;随着光照波长的减小,器件阈值电压负漂越明显。随着相对湿度增加,a-IGZO TFT的NBIS不稳定性逐渐降低,但其电学特性发生了严重的劣化。在相对湿度为50%,光照波长为400 nm时,a-IGZO TFT的NBIS电学特性最好,其在负偏压时间为1500 s时的阈值电压偏移为15 V。
关键词
非晶铟镓锌
薄膜晶体管
负偏压光照稳定性
湿度
氧空位
Keywords
amorphous InGaZnO
thin film transistors
negative bias illumination stress stability
humidity
oxygen vacancy
分类号
TN321.5 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
环境湿度对非晶铟镓锌氧薄膜晶体管负偏压光照稳定性的影响
冯国锋
章雯
董承远
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2021
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部