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题名基于负载调整的谷底锁定准谐振反激式变换器芯片
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作者
谢加雨
程鹏铭
牟维凤
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机构
重庆理工大学电气与电子工程学院
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出处
《半导体技术》
北大核心
2025年第8期815-821,共7页
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基金
重庆市科委博士直通车科研项目(CSTB2022BSXM-JCX0119)。
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文摘
在传统准谐振反激式变换器中,谷底导通能降低开关损耗。但由于相邻谷底对应的输出功率不连续,导致谷底跳频,造成可闻噪声及功耗增大。采用华虹90 nm BCD工艺设计了一种基于负载调整的谷底锁定准谐振反激式变换器芯片,采用动态跟随电路提高谷底检测精度,通过动态检测负载来调整谷底导通并实现谷底锁定功能。仿真及测试结果表明,在输入电压为220~311 V、输出电压为15 V的恒压模式下,谷底导通偏移量减小了95.55%;在20%、40%和80%负载下,分别在第7、第6和第3谷底处导通,实现了谷底锁定并解决了谷底跳频问题。
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关键词
反激式变换器
负载调整
谷底导通
谷底跳频
谷底锁定
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Keywords
flyback converter
load adjustment
valley conduction
valley skip
valley locking
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分类号
TN710.4
[电子电信—电路与系统]
TN433
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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