Rattling效应:一种影响微波介质陶瓷谐振频率温度系数的新机制

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作者 唐莹 李洁 +4 位作者 相怀成 方维双 林慧兴 杨俊峰 方亮 《无机材料学报》 北大核心 2025年第6期656-666,共11页

微波介质陶瓷是5G/6G通信技术中关键的基础材料,具有高品质因数(Q×f)、低介电常数(εr)以及近零谐振频率温度系数(τ_(f))的材料逐渐成为研究与开发的重点。然而,绝大多数低εr材料往往具有较负的τ_(f)。本研究首先系统概述了影响... 微波介质陶瓷是5G/6G通信技术中关键的基础材料,具有高品质因数(Q×f)、低介电常数(εr)以及近零谐振频率温度系数(τ_(f))的材料逐渐成为研究与开发的重点。然而,绝大多数低εr材料往往具有较负的τ_(f)。本研究首先系统概述了影响τ_(f)的经典机制,包括离子极化率稀释机制、相变机制、晶胞体积机制、氧多面体畸变度、键能与键性以及键价等结构因素。随后,详细介绍了本团队近期在无相变立方正反石榴石体系中观察到的τ_(f)异常变化现象,提出“Rattling”效应是一种影响微波介质陶瓷τ_(f)的新机制。具有高配位数且弱化学键合的“Rattling”阳离子是影响材料整体微波介电极化和损耗的主要因素,它不仅增大离子极化率和εr,还导致τ_(f)正向偏移,同时降低Q×f。该机制在不同材料体系中得到验证与应用。本研究引入了总离子极化偏差的加权函数新概念,用于评估整个分子“Rattling”和“Compressed”效应对εr的影响,并提出了离子极化率温度系数(ταm)新概念,通过定量化计算从而将影响介电常数温度系数(τε)正负和大小的因素简化为εr、ταm和线膨胀系数αL之间的关系。 展开更多

关键词 微波介质陶瓷 Rattling效应 谐振频率温度系数 离子极化率温度系数 影响机制 总离子极化偏差的加权函数

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介质谐振器介电参数频响特性及频率温度系数的测量 被引量：11

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作者 唐宗熙 《计量学报》 CSCD 北大核心 2002年第1期57-61,共5页

本文讨论了微波介质谐振器介电参数频响特性和频率温度系数的测试方法、测试装置和测试系统。用Q值较高的TE0mn模作为测试介电参数的工作模式 ,取不同下标m和n的TE0mn模式进行测量 ,以获得介电参数的频响特性。为克服常规测试方法因耦... 本文讨论了微波介质谐振器介电参数频响特性和频率温度系数的测试方法、测试装置和测试系统。用Q值较高的TE0mn模作为测试介电参数的工作模式 ,取不同下标m和n的TE0mn模式进行测量 ,以获得介电参数的频响特性。为克服常规测试方法因耦合方式不当激励起杂模干扰高次TE0mn 模测试的问题 ,提出了新的耦合方式 ,研制了测试装置。同时 ,还研制了结构巧妙的频率温度系数测试装置。实测表明 ,该测试方法、测试装置和测试系统能对介电参数频响特性及频率温度系数进行快速、准确、可靠、无损伤和批量的自动测试。 展开更多

关键词 测量 微波介质谐振器 介电参数 频响特性 频率温度系数

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基于重掺杂的谐振式传感器频率温度系数补偿研究 被引量：2

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作者 杨力建 游卫龙 +2 位作者 张磊 杨恒 李昕欣 《传感器与微系统》 CSCD 2016年第2期39-41,45,共4页

MEMS谐振式传感器具有精度高、准数字输出、抗干扰能力强等特点,高精度压力传感器、应力传感器等多采用谐振式工作原理。频率温度系数补偿是实现高精度谐振式传感器的关键技术。通过实验研究了利用重掺杂改善硅频率温度系数的技术。实... MEMS谐振式传感器具有精度高、准数字输出、抗干扰能力强等特点,高精度压力传感器、应力传感器等多采用谐振式工作原理。频率温度系数补偿是实现高精度谐振式传感器的关键技术。通过实验研究了利用重掺杂改善硅频率温度系数的技术。实验表明:P型掺杂浓度达到7×1019/cm3时,〈110〉晶向频率温度系数降低到-11.68×10-6/K;N型掺杂浓度达到6×1019/cm3时,〈100〉晶向谐振频率是温度的二次函数,在80℃左右频率温度系数有过零点。首次实验演示了利用低功耗加热控制结合N型重掺杂,当环境温度由30℃变化到40℃时,谐振频率温度漂移仅为1.13×10-7/℃。利用该技术可实现超高温度稳定性的谐振式传感器。 展开更多

关键词 谐振式传感器 振荡器 频率温度系数 温度补偿

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微波介质材料谐振频率温度系数调控的研究现状与展望 被引量：1

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作者 陈德钦 曹雪凤 +2 位作者 黎峰荣 崔永葆 李纯纯 《材料导报》 CSCD 北大核心 2023年第22期23-35,共13页

无线通信技术的发展离不开微波介质材料。温度稳定性是微波元器件的主要性能参数之一,近零的谐振频率温度系数(τf)可以减少中心谐振频率的漂移。众多国内外学者已经从固溶、复合、叠层等手段对谐振频率温度系数进行了深入研究。本文重... 无线通信技术的发展离不开微波介质材料。温度稳定性是微波元器件的主要性能参数之一,近零的谐振频率温度系数(τf)可以减少中心谐振频率的漂移。众多国内外学者已经从固溶、复合、叠层等手段对谐振频率温度系数进行了深入研究。本文重点从谐振频率温度系数的调控手段方面,介绍了氧八面体倾斜/畸变、键价等相关理论,分别综述了国内外学者在谐振频率温度系数调控领域的研究进展,对各调控方法的特点进行了详细阐述,最后展望了近零谐振频率温度系数相关研究的发展方向和开放性课题。 展开更多

关键词 微波介质材料 谐振频率温度系数 谐振器 陶瓷

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薄膜体声波谐振器温度-频率漂移特性分析 被引量：3

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作者 周斌 高杨 +2 位作者 何移 李君儒 何婉婧 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2014年第2期171-175,共5页

薄膜体声波谐振器(FBAR)的谐振频率会受外界环境温度的影响而产生漂移,对于FBAR滤波器而言,这种温度-频率漂移特性会导致其中心频率、插入损耗、带内纹波等性能发生变化,降低其在电学应用中的可靠性。应用ANSYS有限元分析软件,对一个典... 薄膜体声波谐振器(FBAR)的谐振频率会受外界环境温度的影响而产生漂移,对于FBAR滤波器而言,这种温度-频率漂移特性会导致其中心频率、插入损耗、带内纹波等性能发生变化,降低其在电学应用中的可靠性。应用ANSYS有限元分析软件,对一个典型Mo-AlN-Mo结构的FBAR进行温度-频率漂移特性的仿真,在-50^+150℃温度范围内得到其温度频率系数为-33.6×10-6/℃。通过在FBAR结构中添加一层正温度系数的补偿层,分析了补偿层厚度对FBAR温度-频率漂移特性、谐振频率和机电耦合特性的影响。设计的温度补偿FBAR其温度频率系数为0.872×10-6/℃,比未添加补偿层时有很大改善。 展开更多

关键词 薄膜体声波谐振器 温度-频率漂移 温度频率系数 谐振频率 机电耦合 有限元分析

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单晶薄膜体声波谐振器频率温度特性研究 被引量：1

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作者 简珂 帅垚 +4 位作者 田本朗 白晓园 罗文博 吴传贵 张万里 《压电与声光》 CAS 北大核心 2020年第4期448-452,共5页

采用离子注入剥离法转移制备了43°Y-切铌酸锂(LiNbO3,LN)单晶压电薄膜材料,以SiO2/Mo作为声反射结构制备了固态声反射型薄膜体声波器件。谐振器工作频率约为3 GHz,LN薄膜等效机电耦合系数达到14.15%。对谐振器的频率温度特性进行... 采用离子注入剥离法转移制备了43°Y-切铌酸锂(LiNbO3,LN)单晶压电薄膜材料,以SiO2/Mo作为声反射结构制备了固态声反射型薄膜体声波器件。谐振器工作频率约为3 GHz,LN薄膜等效机电耦合系数达到14.15%。对谐振器的频率温度特性进行了表征,结果表明,尽管LN单晶的频率温度系数为(-70^-90)×10^-6/℃,但由于声反射结构中包含有正温度系数的SiO2层,谐振器的频率温度系数降至-18×10^-6/℃,这表明固态声反射结构能够有效抑制单晶LN薄膜的温漂,获得低频率温度系数的谐振器器件。 展开更多

关键词 体声波谐振器 离子注入剥离法 铌酸锂单晶薄膜 固态声反射结构 机电耦合系数 频率温度系数

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轴向应变放大式谐振温度传感器研究

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作者 滕飞 《中国测试》 CAS 北大核心 2024年第6期111-116,共6页

试验机专用改装系统成为开展民机适航、审定试飞的重要手段之一。为进一步提升系统性能,满足高精度高可靠性要求,该文提出一种基于轴向应变放大结构的谐振式温度传感器。基于应变放大结构建立频率-温度模型,推导频率温度系数作为衡量灵... 试验机专用改装系统成为开展民机适航、审定试飞的重要手段之一。为进一步提升系统性能,满足高精度高可靠性要求,该文提出一种基于轴向应变放大结构的谐振式温度传感器。基于应变放大结构建立频率-温度模型,推导频率温度系数作为衡量灵敏度的物理量。为降低理论模型与仿真模型的相对误差,该文进行仿真分析与误差修正,将二者误差降低至0.5%。测试结果表明,当外界温度在273~293 K范围内变化时,器件的频率温度系数为13104×10^(−6)K^(-1),仿真结果为12935×10^(−6)K^(-1),二者相比,相对误差为1.3%。与以往谐振式温度传感器比较,相对灵敏度最大提高了83倍。该结构可用于高灵敏度谐振式温度传感器的优化设计,满足试验机改装系统的应用需求。 展开更多

关键词 轴向应变放大 频率温度系数 谐振式温度传感器 高灵敏度

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基于PEN柔性基底XBAR谐振器的声学特性研究

8

作者 王地懋 谢鹏飞 +2 位作者 曾龙 缪加耀 王艳 《压电与声光》 北大核心 2025年第3期459-464,共6页

采用有限元方法(FEM)分析了基于PEN (Polyethylene Naphthalate)柔性基底横向激发体声波谐振器(XBAR)的声学特性,包括谐振频率fr、机电耦合系数K2eff、品质因数Qr及频率温度系数(TCF)等。结果表明,PEN柔性基底的引入改善了XBAR性能,如当... 采用有限元方法(FEM)分析了基于PEN (Polyethylene Naphthalate)柔性基底横向激发体声波谐振器(XBAR)的声学特性,包括谐振频率fr、机电耦合系数K2eff、品质因数Qr及频率温度系数(TCF)等。结果表明,PEN柔性基底的引入改善了XBAR性能,如当hPEN=40 nm时,K2eff=35.68%,较同参数的IDT/LiNbO3结构提升了约35%,fr=4.4 GHz,Qr=112;当hPEN=105 nm时,PEN与IDT/LiNbO3结构发生耦合共振,致使XBAR谐振频率发生偏移以及品质因数增加,其频率偏移达到1.32 GHz,Qr增加75。同时XBAR的温度稳定性得到提升,当hPEN=120 nm时,XBAR的TCF为-72.9×10^(-6)/℃,而同参数IDT/LiNbO3结构TCF为-107×10^(-6)/℃。综上可知,IDT/LiNbO3/PEN结构XBAR具有更优异的声学特性,通过合理选择PEN厚度可优化XBAR的不同性能参数。该结果为高频、高机电耦合系数和高温度稳定性XBAR的设计和研制提供了理论依据。 展开更多

关键词 横向激发体声波谐振器(XBAR) 兰姆波 柔性基底PEN 频率温度系数

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La_3Ga_5SiO_(14)晶体压电系数的温度特性 被引量：4

9

作者 赵明磊 王增梅 +3 位作者 袁多荣 王矜奉 王春雷 王渊旭 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期65-69,共5页

测量了(yxf)-30°切La3Ga5SiO14(LGS)晶体30～300℃温度范围内的谐振特性.室温时压电常数d11和d14分别为5.59×10-12C/N和-5.01×10-12C/N.在室温至300℃范围内(yxl)-30°切La3Ga5SiO14晶片厚度切变振动的谐振频率和机... 测量了(yxf)-30°切La3Ga5SiO14(LGS)晶体30～300℃温度范围内的谐振特性.室温时压电常数d11和d14分别为5.59×10-12C/N和-5.01×10-12C/N.在室温至300℃范围内(yxl)-30°切La3Ga5SiO14晶片厚度切变振动的谐振频率和机电耦合系数k′26都随温度升高而升高,因此压电常数d11和d14也随温度升高而略有升高. 展开更多

关键词 谐振特性 晶片 La3Ga5SiO14晶体 谐振频率 温度特性 压电常数 室温 压电系数 温度范围 振动

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具有二氧化硅温度补偿层的薄膜体声波谐振器的建模与分析(英文) 被引量：3

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作者 高杨 周斌 +1 位作者 何移 何婉婧 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期169-174,共6页

薄膜体声波谐振器(FBAR)的谐振频率会受到外界环境温度的影响而产生漂移,对于FBAR滤波器而言,这种温度-频率漂移特性会导致其中心频率、插入损耗、带内纹波等性能发生变化,降低其在电学应用中的可靠性。应用ANSYS有限元分析软件,对一个... 薄膜体声波谐振器(FBAR)的谐振频率会受到外界环境温度的影响而产生漂移,对于FBAR滤波器而言,这种温度-频率漂移特性会导致其中心频率、插入损耗、带内纹波等性能发生变化,降低其在电学应用中的可靠性。应用ANSYS有限元分析软件,对一个典型Mo-AlN-Mo三层结构的FBAR进行了温度-频率漂移特性的仿真,得到其在[-50℃,150℃]温度范围内的频率温度系数(TCF)约为-35×10-6/℃。在FBAR叠层薄膜结构中添加了一层具有正温度系数的二氧化硅温度补偿层,分析了该补偿层厚度对FBAR的温度-频率漂移特性、谐振频率和机电耦合特性的影响。设计了具有一层二氧化硅温度补偿层的FBAR叠层,由Mo/AlN/SiO2/Mo多层薄膜构成,仿真得到其频率温度系数为0.872×10-6/℃;与没有温度补偿层的FBAR相比,温度稳定性得以显著改善。 展开更多

关键词 射频微电子机械系统 薄膜体声波谐振器 频率漂移 温度系数 稳定性 有限元分析

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科氏力质量流量计质量流量参量的温度系数 被引量：8

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作者 孙玉声 姚小兵 陈世超 《中国测试技术》 2004年第3期6-8,共3页

科氏力质量流量计的质量流量和密度参量的温度系数 ,与其材料的线膨胀系数和杨氏模量的温度系数有关 ,并可由谐振频率的温度系数求出。当采用 1Cr18Ni9Ti时 ,在 - 10℃～ 6 0℃的温度范围内 ,质量流量参数的温度系数是 - 4 2 4× 1... 科氏力质量流量计的质量流量和密度参量的温度系数 ,与其材料的线膨胀系数和杨氏模量的温度系数有关 ,并可由谐振频率的温度系数求出。当采用 1Cr18Ni9Ti时 ,在 - 10℃～ 6 0℃的温度范围内 ,质量流量参数的温度系数是 - 4 2 4× 10 - 4 ℃ ,密度参数的温度系数是 +4 2 4× 10 - 4 ℃。 展开更多

关键词 科氏力质量流量计 质量流量参量 温度系数 谐振频率 线膨胀系数 杨氏模量

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基于双SAW谐振器的温度传感器设计 被引量：3

12

作者 岳虎虎 彭斌 +2 位作者 李凌 王博文 张万里 《压电与声光》 CAS 北大核心 2021年第1期1-4,共4页

为解决声表面波(SAW)谐振器的频率温度特性呈非线性的问题,该文提出了一种利用两个SAW谐振器来设计具有线性输出的SAW温度传感器的方法。根据该方法设计了两个基于硅酸镓镧压电基片的SAW温度传感器,每个传感器由两个不同的SAW谐振器串... 为解决声表面波(SAW)谐振器的频率温度特性呈非线性的问题,该文提出了一种利用两个SAW谐振器来设计具有线性输出的SAW温度传感器的方法。根据该方法设计了两个基于硅酸镓镧压电基片的SAW温度传感器,每个传感器由两个不同的SAW谐振器串联而成。实验结果表明,两个SAW传感器在室温~300℃的宽温度范围内均表现出很好的线性度。这种简单有效的设计方法具有实现宽温度范围测试的能力,可推广到其他具有较大二阶温度系数的SAW温度传感器的研发中。 展开更多

关键词 声表面波 温度传感器 频率温度系数 线性输出 谐振器

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基于X-LiNbO_(3)/SiO_(2)/Si低温漂、大机电耦合SH-SAW谐振器的设计 被引量：1

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作者 温福军 王园园 +5 位作者 钱莉荣 王荔田 李翠平 熊阳 田亚会 李红浪 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第3期290-295,共6页

铌酸锂(LN)单晶薄膜具有较高的机电耦合系数(k_(eff)^(2)>30%),其水平剪切(SH)声学模式常被应用于开发具有大机电耦合系数的薄膜声学谐振器和超宽带滤波器。但LN的频率温度系数较大(TCF>-50×10^(-6)/℃),这不仅会降低滤波器... 铌酸锂(LN)单晶薄膜具有较高的机电耦合系数(k_(eff)^(2)>30%),其水平剪切(SH)声学模式常被应用于开发具有大机电耦合系数的薄膜声学谐振器和超宽带滤波器。但LN的频率温度系数较大(TCF>-50×10^(-6)/℃),这不仅会降低滤波器的可用有效带宽,同时也会限制器件的功率处理能力。采用3D周期有限元模型对基于X切LN/SiO2/Si结构SH声表面波(SH-SAW)谐振器进行了优化研究。研究结果表明,当SH-SAW传播角ψ=-10°~-20°、LN和SiO2膜厚分别为hLN=0.1λ和hSiO_(2)=0.2λ(λ为叉指换能器周期)、铝电极金属化率η=0.4、电极相对厚度hAl/λ=5%~10%时,SH-SAW谐振器的k_(eff)^(2)约为30%,且其TCF<-20×10^(-6)/℃,有望用于开发新一代的低温漂、超宽带5G SAW滤波器。 展开更多

关键词 X切铌酸锂薄膜 水平剪切声表面波 有效机电耦合系数 频率温度系数 声表面波谐振器 超宽带声表面波滤波器

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钒取代对LaTaO_(4)陶瓷微观结构和微波介电性能的影响

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作者 李文元 徐佳楠 +2 位作者 邓瀚澳 常爱民 张博 《无机材料学报》 北大核心 2025年第6期697-703,I0008,共8页

微波介质陶瓷是5G/6G通信技术的关键材料,广泛应用于谐振器、滤波器、介质基板等电子元器件。随着无线移动通信频率的不断提升,对微波介质陶瓷提出了更高要求,特别是需要更高的品质因数(Q)和接近零的谐振频率温度系数(τ_(f)),以有效补... 微波介质陶瓷是5G/6G通信技术的关键材料,广泛应用于谐振器、滤波器、介质基板等电子元器件。随着无线移动通信频率的不断提升,对微波介质陶瓷提出了更高要求,特别是需要更高的品质因数(Q)和接近零的谐振频率温度系数(τ_(f)),以有效补偿高频信号在传输过程中迅速衰减,并提高其工作稳定性。本研究采用固相烧结法制备了La(Ta_(1–x)V_(x))O_(4)(LTV-x,0≤x≤0.4)陶瓷,并通过晶体结构精修、透射电子显微镜和微波介电测试,研究了其结构和介电性能。在该体系中合成了两种具有优异微波介电性能的La(Ta_(1–x)V_(x))O_(4)陶瓷,分别为LTV-0.3(相对介电常数ε_(r)=22.15,Q×f=90100 GHz,τ_(f)=–9.52×10^(–6)℃^(–1))和LTV-0.4(ε_(r)=21.75,Q×f=84100 GHz,τ_(f)=–4.50×10^(–6)℃^(–1))陶瓷。研究发现,V^(5+)取代诱导了LaTaO_(4)从单斜相(P21/c)向正交相(Cmc21)转变,并有效降低了相变温度。随着x增加,ε_(r)和τ_(f)均呈下降趋势。Q×f不仅与相对密度有关,还与晶胞的堆积分数有关。鉴于其低损耗和良好的温度稳定性,该系列陶瓷材料在移动通信基站、卫星导航和雷达通信等领域展现出良好的应用前景。 展开更多

关键词 LaTaO_(4) 微波介电性能 谐振频率温度系数 离子取代 堆积分数

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低温漂薄膜体声波谐振器研究 被引量：1

15

作者 蒋世义 蒋平英 +4 位作者 刘娅 甄静怡 徐阳 彭霄 唐中剑 《压电与声光》 CAS 北大核心 2022年第2期171-174,共4页

该文介绍了一种基于空腔结构的温度补偿型薄膜体声波谐振器(TC-FBAR)。通过在压电层上方生长SiO_(2)温度补偿层,实现谐振器的低温漂。未采用温度补偿的薄膜体声波谐振器,其频率温度系数约为-25×10^(-6)/℃。通过适当的膜层结构设计... 该文介绍了一种基于空腔结构的温度补偿型薄膜体声波谐振器(TC-FBAR)。通过在压电层上方生长SiO_(2)温度补偿层,实现谐振器的低温漂。未采用温度补偿的薄膜体声波谐振器,其频率温度系数约为-25×10^(-6)/℃。通过适当的膜层结构设计,可使其频率温度系数在±3×10^(-6)/℃。结果表明,由于温度补偿层的增加,导致器件总体压电效应降低,使谐振器的有效机电耦合系数降低。低温漂谐振器的实现,为窄带低温漂滤波器的研制提供了有效的设计和工艺技术支撑。 展开更多

关键词 薄膜体声波谐振器(fBAR) 频率温度系数 低温漂 温度补偿

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Mg掺杂对ZnO基体声波谐振器性能的影响

16

作者 桂丹 郑丹 何琼 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2020年第9期23-26,共4页

文中利用Mg掺杂ZnO压电膜制备了薄膜体声波谐振器,在较低浓度Mg掺杂时,器件机电耦合系数有微弱增大;当掺杂浓度过高时,机电耦合系数呈下降趋势。当掺杂Mg元素质量分数为2.23%时,器件在20~100℃内的温度频率系数为-26.0 ppm/℃,比之前纯... 文中利用Mg掺杂ZnO压电膜制备了薄膜体声波谐振器,在较低浓度Mg掺杂时,器件机电耦合系数有微弱增大;当掺杂浓度过高时,机电耦合系数呈下降趋势。当掺杂Mg元素质量分数为2.23%时,器件在20~100℃内的温度频率系数为-26.0 ppm/℃,比之前纯ZnO基薄膜体声波谐振器的温度频率系数值-69.5 ppm/℃下降了很多。 展开更多

关键词 薄膜体声波谐振器 温度频率系数 传感器 机电耦合系数

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MgO-TiO_2-ZnO系统多层陶瓷电容器微波瓷料频率特性研究

17

作者 吴顺华 吴国桥 +2 位作者 肖谧 张志萍 贾桂荣 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期123-125,共3页

本文研究了ＭｇＯＴｉＯ２ＺｎＯ系统陶瓷，用其制成多层陶瓷电容器（ＭＬＣＣ），其优点是具有正温度系数（αｃ＝９０±２０ｐｐｍ／℃）、高Ｑ（Ｑ１００００）、高频谐振频率达６９０ＭＨｚ（Ｃ＝３１ｐＦ），重点讨论了... 本文研究了ＭｇＯＴｉＯ２ＺｎＯ系统陶瓷，用其制成多层陶瓷电容器（ＭＬＣＣ），其优点是具有正温度系数（αｃ＝９０±２０ｐｐｍ／℃）、高Ｑ（Ｑ１００００）、高频谐振频率达６９０ＭＨｚ（Ｃ＝３１ｐＦ），重点讨论了容量阻抗频谱． 展开更多

关键词 谐振频率 阻抗 温度系数 微波瓷料 陶瓷电容器

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温度稳定型超低损耗Mg(Zr_(0.05)Ti_(0.95))O_3微波介质陶瓷的研制

18

作者 余洪滔 薛小梅 徐光亮 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2012年第9期12-15,共4页

为了提高具有超低损耗Mg(Zr0.05Ti0.95)O3陶瓷的温度稳定型,采用Sr2+掺杂来对其进行改性研究。采用传统固相法制备了摩尔比Mg∶Sr∶Zr∶Ti∶O=1-x∶x∶0.05∶0.95∶3(x=0、0.03、0.05和0.07)陶瓷,利用XRD和SEM分析其结构和相组成。随着S... 为了提高具有超低损耗Mg(Zr0.05Ti0.95)O3陶瓷的温度稳定型,采用Sr2+掺杂来对其进行改性研究。采用传统固相法制备了摩尔比Mg∶Sr∶Zr∶Ti∶O=1-x∶x∶0.05∶0.95∶3(x=0、0.03、0.05和0.07)陶瓷,利用XRD和SEM分析其结构和相组成。随着Sr含量的增加,陶瓷中出现了SrTiO3相,起到了补偿Mg(Zr0.05Ti0.95)O3温度系数的作用。当Mg∶Sr=0.95∶0.05,1390℃烧结4小时的陶瓷一个近零的温度系数(2.1ppm/℃),高的品质因子(207000)以及一个高的介电常数(20.9)。该陶瓷有望应用现代微波领域。 展开更多

关键词 微波介质陶瓷 谐振频率温度系数 MGTIO3

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介质谐振器稳频的微带体效应振荡器

19

作者 李衍忠 徐泽雨 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第S2期260-263,共4页

简介了介质谐振器稳频的体效应振荡器的设计方法，分析了高Ｑ值介质谐振器在电路中的稳频作用。研制的８．５ＧＨｚ微带体效应振荡器输出功率大于３５ｍｗ，在２５℃～５０℃范围内频率稳定度为５ｐｐｍ／℃，且对介质谐振器自身频率温... 简介了介质谐振器稳频的体效应振荡器的设计方法，分析了高Ｑ值介质谐振器在电路中的稳频作用。研制的８．５ＧＨｚ微带体效应振荡器输出功率大于３５ｍｗ，在２５℃～５０℃范围内频率稳定度为５ｐｐｍ／℃，且对介质谐振器自身频率温度系数的补偿作用进行了实验。 展开更多

关键词 介质谐振器 体效应二极管 稳频振荡器 频率 温度系数 微带

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高Q值稳频谐振腔的研究 被引量：2

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作者 陈忠贵 吴先良 《安徽大学学报（自然科学版）》 CAS 1995年第S1期103-105,共3页

高Ｑ值稳频谐振腔的研究陈忠贵，吴先良（安徽大学机械厂合肥２３００３９）（安徽大学电子工程与信息科学系合肥２３００３９）微波固态耿氏振荡器具有寿命长，噪声低，体积小和重量轻的特点。但一般耿民振荡器的频率稳定度太低，如不... 高Ｑ值稳频谐振腔的研究陈忠贵，吴先良（安徽大学机械厂合肥２３００３９）（安徽大学电子工程与信息科学系合肥２３００３９）微波固态耿氏振荡器具有寿命长，噪声低，体积小和重量轻的特点。但一般耿民振荡器的频率稳定度太低，如不采用稳频措施，只有１０－‘数量级，... 展开更多

关键词 谐振腔 频率稳定度 高Q值 稳频 织物整理剂 温度变化 腔体 线胀系数 温度补偿 有载品质因数

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