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InP基谐振隧穿二极管的研究
被引量：
1
1
作者
李亚丽
张雄文
+2 位作者
冯震
周瑞
张志国
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期141-143,共3页
谐振隧穿二极管(RTD)具有高频、低功耗、负阻、双稳态、自锁等优点,在超高速数字电路领域具有非常好的应用前景。加之InP材料固有的优越特性,使得InP基谐振隧穿器件成为目前研究的重点。研究并试制了InP基RTD实验样品,对其直流特性进行...
谐振隧穿二极管(RTD)具有高频、低功耗、负阻、双稳态、自锁等优点,在超高速数字电路领域具有非常好的应用前景。加之InP材料固有的优越特性,使得InP基谐振隧穿器件成为目前研究的重点。研究并试制了InP基RTD实验样品,对其直流特性进行了测试分析,器件的最大电流峰谷比(PVCR)达到了17.8。
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关键词
谐振隧穿二极管
电流峰谷比
铟磷基外延材料
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职称材料
题名
InP基谐振隧穿二极管的研究
被引量：
1
1
作者
李亚丽
张雄文
冯震
周瑞
张志国
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期141-143,共3页
基金
国家自然科学基金(NSFC60606015)
上海市浦江人才计划项目(05PJ14068)
文摘
谐振隧穿二极管(RTD)具有高频、低功耗、负阻、双稳态、自锁等优点,在超高速数字电路领域具有非常好的应用前景。加之InP材料固有的优越特性,使得InP基谐振隧穿器件成为目前研究的重点。研究并试制了InP基RTD实验样品,对其直流特性进行了测试分析,器件的最大电流峰谷比(PVCR)达到了17.8。
关键词
谐振隧穿二极管
电流峰谷比
铟磷基外延材料
Keywords
resonant tunneling diodes
peak-to-valley current ratio
InP-based epitaxial material
分类号
TN312.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
InP基谐振隧穿二极管的研究
李亚丽
张雄文
冯震
周瑞
张志国
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
1
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职称材料
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