我们研制了一种 Ga As/Al Ga As谐振腔增强型光探测器 ,并通过对器件的特性进行测试和分析 ,对有关 RCE器件的理论分析进行了实验验证 ,包括器件的量子效率、波长选择性及量子效率的最佳条件。实验结果与理论分析取得了很好的一致 ,这...我们研制了一种 Ga As/Al Ga As谐振腔增强型光探测器 ,并通过对器件的特性进行测试和分析 ,对有关 RCE器件的理论分析进行了实验验证 ,包括器件的量子效率、波长选择性及量子效率的最佳条件。实验结果与理论分析取得了很好的一致 ,这为设计性能更加优良的RCE器件提供了实验上有力的支持。展开更多
TN364．2 2005021317 InGaAs-APD门模单光子探测及其应用=Gated-mode sin- gle-photon detection and its applications using InGaAs- APD[刊,中]／周金运(广东工业大学应用物理学院．广东, 广州(510090)),彭孝东…//量子电子学报．-20...TN364．2 2005021317 InGaAs-APD门模单光子探测及其应用=Gated-mode sin- gle-photon detection and its applications using InGaAs- APD[刊,中]／周金运(广东工业大学应用物理学院．广东, 广州(510090)),彭孝东…//量子电子学报．-2004,21 (4)．-401-405 对单光子探测使用InGaAs-APD并采用门模控制的 核心问题进行了阐述,总结了探测器件的特性和门模控制 系统的特点,归纳了在这种探测方式中实际存在的问题和 可能解决的方法。展开更多
TN362 2003053780谐振腔增强型光电探测器的角度相关特性研究=Incidentangle dependence of quantum efficiency of GaAs based RCEphotodetectors[刊,中]/梁琨（中科院半导体研究所.北京（100083））,杨晓红…//光子学报.-2003,32（5）...TN362 2003053780谐振腔增强型光电探测器的角度相关特性研究=Incidentangle dependence of quantum efficiency of GaAs based RCEphotodetectors[刊,中]/梁琨（中科院半导体研究所.北京（100083））,杨晓红…//光子学报.-2003,32（5）.-637-640采用MBE生长In<sub>0.3</sub>Ga<sub>0.7</sub>As/GaAs和GaInNAs/GaAs量子阱为有源区的器件结构材料,制备出工作在1060 nm及1310 nm波段的谐振腔增强型光电探测器。对谐振腔增强型光电探测器的空间角度相关特性进行了实验与物理分析,改变光束入射角度。展开更多
TB366 2000010493关于MAMA探测器中128×128阳极阵列的设计研究=Designing studies on 128×128 anode arrayfor MAMA detectors[刊,中]/戴丽英,陈举忠,王全其(南京电子器件研究所.江苏,南京(210016))//真空电子技术.—1998,(5)...TB366 2000010493关于MAMA探测器中128×128阳极阵列的设计研究=Designing studies on 128×128 anode arrayfor MAMA detectors[刊,中]/戴丽英,陈举忠,王全其(南京电子器件研究所.江苏,南京(210016))//真空电子技术.—1998,(5).—20-25叙述了MAMA探测器的工作原理。展开更多
TN364.2 2000053512外保护环短路不能减小光电二极管暗电流=Impossibilityof decrease in dark carrent of guard ringshort circuited photodiodes[刊,中]/何民生,黄启俊(武汉大学光电技术系.湖北,武汉(430027))//半导体光电.—1999,20...TN364.2 2000053512外保护环短路不能减小光电二极管暗电流=Impossibilityof decrease in dark carrent of guard ringshort circuited photodiodes[刊,中]/何民生,黄启俊(武汉大学光电技术系.湖北,武汉(430027))//半导体光电.—1999,20(6).展开更多
文摘TN362 2003053780谐振腔增强型光电探测器的角度相关特性研究=Incidentangle dependence of quantum efficiency of GaAs based RCEphotodetectors[刊,中]/梁琨（中科院半导体研究所.北京（100083））,杨晓红…//光子学报.-2003,32（5）.-637-640采用MBE生长In<sub>0.3</sub>Ga<sub>0.7</sub>As/GaAs和GaInNAs/GaAs量子阱为有源区的器件结构材料,制备出工作在1060 nm及1310 nm波段的谐振腔增强型光电探测器。对谐振腔增强型光电探测器的空间角度相关特性进行了实验与物理分析,改变光束入射角度。
文摘TB366 2000010493关于MAMA探测器中128×128阳极阵列的设计研究=Designing studies on 128×128 anode arrayfor MAMA detectors[刊,中]/戴丽英,陈举忠,王全其(南京电子器件研究所.江苏,南京(210016))//真空电子技术.—1998,(5).—20-25叙述了MAMA探测器的工作原理。
文摘TN364.2 2000053512外保护环短路不能减小光电二极管暗电流=Impossibilityof decrease in dark carrent of guard ringshort circuited photodiodes[刊,中]/何民生,黄启俊(武汉大学光电技术系.湖北,武汉(430027))//半导体光电.—1999,20(6).
