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题名微电流高效率650nm谐振腔发光二极管
被引量：1
- 1
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作者
王元诚
李建军
王海阔
王梦欢
袁泽旭
邹德恕
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机构
北京工业大学信息学部电子科学与技术学院光电子技术教育部重点实验室
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出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第7期177-183,共7页
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基金
光电子技术教育部重点实验室发展基金(No.PXM2017_014204_500034)
北京市教委能力提升项目(No.PXM2016_014204_500026)资助~~
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文摘
基于微腔理论和薄膜光学传输矩阵模型,设计并制备了孔径不同的谐振腔发光二极管.通过对外延结构的设计和对器件的制备与测试,详细研究了微腔结构、腔谱失谐以及有效辐射面积对器件发光效率、峰值波长和半波全宽等性能的影响,最终降低了器件的启亮电流并且提升了器件的外量子效率.制备的器件能够在100μA偏置电流下产生肉眼清晰可见的微瓦级光强,在1mA电流下达到0.16mW的光功率和7%的外量子效率.器件的峰值波长为650nm,并且在0.1~7mA范围内不随电流改变而发生变化.远场分布为均匀对称的圆形光斑,水平和竖直发散角分别为46°和48°.与普通发光二极管相比,该器件具有更高的发光效率和更好的单色性、方向性、波长稳定性,研究成果为实现微小电流驱动的高亮度发光器件提供了基础元件,并为谐振腔发光二极管在微电流下的光电特性研究提供参考与借鉴.
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关键词
谐振腔发光二极管
微电流
高效率
腔谱失谐
光子回收效应
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Keywords
Resonant cavity light emitting diodes
Micro currents
High efficiency
Detuning betweencavity mode and spectra
Photon recovery effect
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分类号
O431.2
[机械工程—光学工程]
O432.1
[机械工程—光学工程]
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题名激光剥离GaN表面的抛光技术
被引量：1
- 2
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作者
应磊莹
刘文杰
张江勇
胡晓龙
张保平
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机构
厦门大学信息科学与技术学院
厦门大学物理与机电工程学院
华南理工大学物理与光电学院
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第10期758-762,共5页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61274052
61106044)
中国科学院纳米器件与应用重点实验室开放课题资助项目(14ZS02)
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文摘
激光剥离(LLO)技术是研制新型氮化镓(GaN)基谐振腔结构光电子器件的关键技术。然而LLO后的GaN表面往往具有较大的粗糙度,而制作谐振腔结构器件需要很高的表面平整度,因此需要对LLO后的GaN表面进行抛光。分别采用金刚石粉抛光液和胶粒二氧化硅抛光液进行机械抛光和化学机械抛光(CMP),并对比了两种方法获得的抛光结果,研究发现前者会在抛光后的GaN表面引入划痕,而采用后者可以得到亚纳米级平整度的表面。进一步的实验结果表明,胶粒二氧化硅抛光液同样适用于图形化衬底外延片激光剥离后的GaN表面抛光。
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关键词
激光剥离(LLO)
GAN
化学机械抛光(CMP)
垂直结构发光二极管(VSLED)
谐振腔发光二极管(RCLED)
垂直腔面发射激光器(VCSEL)
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Keywords
laser lift-off（LLO）
GaN
chemical mechanical polishing（CMP）
vertical-structured light-emitting diode（VSLED）
resonant-cavity light-emitting diode（RCLED）
vertical-cavity surface emitting laser（VCSEL）
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分类号
TN305.2
[电子电信—物理电子学]
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