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非挥发性记忆体Read Disturb测试方法的研究
1
作者
张启华
简维廷
丁育林
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第5期507-510,共4页
DDF是一种高容量的NAND Flash。以DDF产品为例,研究和讨论了它的Read Disturb测试方法。受测试时间的限制,只能选择局部的存储区间进行DDF的Read Disturb测试。这样局部区间的测试结果是否能够代表整个芯片的性能,设计了一套实验,对这...
DDF是一种高容量的NAND Flash。以DDF产品为例,研究和讨论了它的Read Disturb测试方法。受测试时间的限制,只能选择局部的存储区间进行DDF的Read Disturb测试。这样局部区间的测试结果是否能够代表整个芯片的性能,设计了一套实验,对这个课题进行了研究和讨论。依据非挥发性记忆体产品的特性,主要以阈值电压的分布为参考来评价DDF芯片性能的一致性和性能恶化趋势的一致度。最后的实验结果证明了这种测试方法的正确性和合理性。这种分析方法也可以用于其他非挥发性记忆体产品的其他可靠性测试项目的评估。
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关键词
非挥发性记忆体
可靠性测试
读取扰动
阈值电压分布
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职称材料
题名
非挥发性记忆体Read Disturb测试方法的研究
1
作者
张启华
简维廷
丁育林
机构
中芯国际集成电路制造有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第5期507-510,共4页
文摘
DDF是一种高容量的NAND Flash。以DDF产品为例,研究和讨论了它的Read Disturb测试方法。受测试时间的限制,只能选择局部的存储区间进行DDF的Read Disturb测试。这样局部区间的测试结果是否能够代表整个芯片的性能,设计了一套实验,对这个课题进行了研究和讨论。依据非挥发性记忆体产品的特性,主要以阈值电压的分布为参考来评价DDF芯片性能的一致性和性能恶化趋势的一致度。最后的实验结果证明了这种测试方法的正确性和合理性。这种分析方法也可以用于其他非挥发性记忆体产品的其他可靠性测试项目的评估。
关键词
非挥发性记忆体
可靠性测试
读取扰动
阈值电压分布
Keywords
NVM（non-volatile memory）
reliability test
Read Disturb
threshold voltage distribution
分类号
TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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作者
出处
发文年
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1
非挥发性记忆体Read Disturb测试方法的研究
张启华
简维廷
丁育林
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010
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