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微粒场全息术中记录介质的选择和处理研究 被引量:3
1
作者 李作友 刘振清 +4 位作者 叶雁 钟杰 郑贤旭 罗振雄 李泽仁 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期617-619,638,共4页
针对微粒场全息记录的特点,讨论了记录介质的分辨率和记录介质大小的选择;分析了全息记录介质的感光成像原理,对激光能量的高斯分布和曝光量对微粒场记录的影响进行了研究,给出了光束位置和曝光量对实验的影响结果,并对选用的3种记录介... 针对微粒场全息记录的特点,讨论了记录介质的分辨率和记录介质大小的选择;分析了全息记录介质的感光成像原理,对激光能量的高斯分布和曝光量对微粒场记录的影响进行了研究,给出了光束位置和曝光量对实验的影响结果,并对选用的3种记录介质在给定的处理工艺下的特性曲线进行了对比测试;选定的SY-2型记录介质,记录微粒场时适宜的曝光量为180μJ/cm2。 展开更多
关键词 信息光学 记录介质 高斯光束 曝光量 微粒场全息
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图案化磁记录介质 被引量:3
2
作者 钟智勇 荆玉兰 +1 位作者 唐晓莉 张怀武 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期88-90,98,共4页
在分析传统磁记录在高密度化过程中遇到的困难的基础上,指出了未来超高密度磁存储的方向,着重分析了图案化磁记录(patterned magnetic recording)对介质的要求,并简要介绍了图案化介质的制备技术。
关键词 图案化 记录介质 高密度化 超高密度 制备技术 磁存储 重分析
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电镀及化学镀磁记录介质薄膜的最新进展 被引量:3
3
作者 安茂忠 杨哲龙 +1 位作者 张景双 屠振密 《电化学》 CAS CSCD 1997年第1期92-98,共7页
本文综述了近年来国外电镀及化学镀磁记录介质薄膜的最新研究进展、电镀及化学镀镀液组成、工艺条件及其对薄膜性能的影响、存在问题及发展方向等.磁记录介质薄膜的制备,过去一直采用溅射方法,近年来国外开展了电镀及化学镀方法制备... 本文综述了近年来国外电镀及化学镀磁记录介质薄膜的最新研究进展、电镀及化学镀镀液组成、工艺条件及其对薄膜性能的影响、存在问题及发展方向等.磁记录介质薄膜的制备,过去一直采用溅射方法,近年来国外开展了电镀及化学镀方法制备的研究.电镀方法包括水溶液电镀(如:Ni-Fe、Fe-Co合金等)和非水溶液电镀(如Tb-Fe、Nd-Fe、Tb-Fe-Co合金等),化学镀则是在Ni-P、Co-P合金的基础上,通过添加其它金属盐,得到磁记录介质薄膜,如:Co-Ni-P、Co-W-P、Co-Mn-P。 展开更多
关键词 电镀 化学镀 记录介质薄膜
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国外颗粒磁记录介质最新发展状况 被引量:4
4
作者 刘铁岩 屠德容 《化工进展》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第6期43-47,共5页
本文着重介绍了国外颗粒磁记录介质氧化铁、氧化铬、钴改性氧化铁、金属磁粉以钡铁氧体目前发展趋势和市场状况。
关键词 记录介质 磁粉 颗粒
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硬盘磁记录介质的现状与发展 被引量:1
5
作者 王翔 蔡长波 王可 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第11期35-37,共3页
讨论了现有介质、新介质的材料与结构,以及其工艺技术的现状。并展望了高密度硬盘磁记录介质的未来。指出高密度、高信噪比S/N的硬盘介质要求有高的矫顽力和小的磁记录畴。
关键词 硬盘 记录介质 薄膜 溅射 结构 制备
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有机染料在光学记录介质中的应用 被引量:7
6
作者 姚祖光 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 1991年第2期13-18,共6页
介绍了用作光学记录介质的有机染料,如多甲川菁、酞菁、荼醌以及光变色化合物等。目前开发的重点是具有高记录灵敏度、高稳定性和高信噪比的有机染料。
关键词 有机染料 光学记录介质 光盘存储
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可擦重写光盘记录介质材料及其特性 被引量:1
7
作者 张喜燕 陈志武 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第11期32-34,27,共4页
可擦重写光盘因其能对已写入文件进行改写,因此比只读光盘、一次写入光盘具有更大的灵活性,从而具有很好的应用前景。论述了两种可擦重写光盘记录介质即磁光盘记录介质与相变光盘记录介质的记录机理,并详细阐述了两种记录介质的性能要求。
关键词 可擦重写光盘 磁光盘 相变光盘 记录介质材料
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纯铝化学镀CoNiP磁记录介质的研究 被引量:1
8
作者 杨贤金 孙志刚 《功能材料》 EI CAS CSCD 1995年第2期164-167,共4页
本文研究了用化学镀法制取CoNiP磁记录介质的工艺。结果表明,对纯铝进行化学除油、酸蚀、一次浸锌和二次浸锌后,再化学镀CoNiP合金,该合金的磁性能为:H_c(∥)=26207.68A/m,H_c(⊥)=45408.... 本文研究了用化学镀法制取CoNiP磁记录介质的工艺。结果表明,对纯铝进行化学除油、酸蚀、一次浸锌和二次浸锌后,再化学镀CoNiP合金,该合金的磁性能为:H_c(∥)=26207.68A/m,H_c(⊥)=45408.64A/m;SQR(∥)=0.352,SQR(⊥)=0.083,可作为高密度磁记录介质使用。 展开更多
关键词 纯铝 化学镀 CoNiP磁记录介质 磁性能
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超高密度磁记录介质研究的热力学基础 被引量:1
9
作者 秦高梧 及川胜成 《材料与冶金学报》 CAS 2005年第2期142-147,151,共7页
目前CoCr基合金硬盘磁记录介质因其磁诱发相分离的富Co铁磁相,与富Cr非铁磁相组成的特殊组织形态和较高的磁晶各向异性能,使得实际的磁记录面密度已达到了水平记录模式的理论极限(~100Gbit/in2),而将来超高密度磁记录技术(几百Gbit/in2... 目前CoCr基合金硬盘磁记录介质因其磁诱发相分离的富Co铁磁相,与富Cr非铁磁相组成的特殊组织形态和较高的磁晶各向异性能,使得实际的磁记录面密度已达到了水平记录模式的理论极限(~100Gbit/in2),而将来超高密度磁记录技术(几百Gbit/in2~1Tbit/in2)要求介质具有孤立的磁晶粒和更高的磁晶各向异性能.我们的实验结果表明,CoMo(W)合金具有比CoCr合金更高的磁晶各向异性能,特别是热力学计算预测了这两个系统发生磁诱发相分离的可能性,其组织能满足未来超高密度磁记录的要求.对CoMo(W)合金薄膜的TEMEDX分析支持了这种理论计算结果.不过这两个体系相分离程度的不充分限制了它们的直接应用.本文对这种不充分相分离的成因进行了详细讨论,并提出了对其改善的途径. 展开更多
关键词 记录介质 磁诱发相分离 CO-CR CO-MO Co-W
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CoCrPtNb/CrTi/C玻璃盘基磁记录介质制备与性能
10
作者 杨晓非 游龙 +2 位作者 李震 林更琪 李佐宜 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期767-769,共3页
采用CoCrPtNb四元合金作磁记录介质,并使用多层膜结构C/(CoCrPt)100-xNbx/CrTi/C/Glass Substrate制备硬盘磁记录介质.实验结果表明:此种薄膜记录介质,即使在室温下溅射,也可得到高达240kA/m的矫顽力;此类薄膜在550℃高温下,经过30min... 采用CoCrPtNb四元合金作磁记录介质,并使用多层膜结构C/(CoCrPt)100-xNbx/CrTi/C/Glass Substrate制备硬盘磁记录介质.实验结果表明:此种薄膜记录介质,即使在室温下溅射,也可得到高达240kA/m的矫顽力;此类薄膜在550℃高温下,经过30min退火后,其矫顽力有较大幅度提高,并在Nb含量为2.4%(原子分数)时达到极大值360kA/m此时剩磁比S=0.90,矫顽力矩形比S*=0.92,从而制成了适于高密度或超高密度磁记录使用的薄膜介质.并详细分析了在室温条件下溅射,此种介质矫顽力与Nb含量变化的关系;并对退火后介质矫顽力与Nb含量变化的关系也进行了讨论. 展开更多
关键词 玻璃盘基 记录介质 射频磁控溅射
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位相型全息记录介质折射率调制幅度及浮雕幅度的自动测量
11
作者 赵军武 黄丽清 +1 位作者 方湘怡 程向明 《应用光学》 CAS CSCD 1998年第2期38-42,共5页
提出一种自动测量位相型记录介质折射率调制幅度和浮雕深度的方法,它将刀口解调技术与计算机自动采集、处理数据的特点结合在一起,可实现快速自动测量,并具有较高的测量精度。
关键词 位相型全息记录介质 折射率调制幅度 浮雕幅度 刀口解调技术 自动测量 计算机自动采集 数据处理
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离轴微粒场全息术中记录介质分辨率要求
12
作者 赖天树 余昌旋 +1 位作者 项志遴 谭玉山 《光子学报》 EI CAS CSCD 1992年第3期231-240,共10页
本文从离轴微粒场全息记录光路的一般模型出发,导出了离轴微粒场全息术中记录介质分辨率要求的普遍公式。讨论了三种典型形状微粒对记录介质的分辨率要求。结果表明,除了参考光的倾角外,微粒的尺寸和参、物光的波前曲率差及微粒重心偏... 本文从离轴微粒场全息记录光路的一般模型出发,导出了离轴微粒场全息术中记录介质分辨率要求的普遍公式。讨论了三种典型形状微粒对记录介质的分辨率要求。结果表明,除了参考光的倾角外,微粒的尺寸和参、物光的波前曲率差及微粒重心偏离光轴的距离也都是影响记录介质分辨率要求的主要因素。 展开更多
关键词 全息术 记录介质 分辨率
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光致各向异性记录介质在光计算中的应用
13
作者 于美文 马春荣 张齐 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第2期193-199,共7页
本文利用光致各向异性材料的偏振特性,采用两个互相垂直的线偏振态作0态和1态,可以用这种材料实现“非”、“与”、“或”的逻辑运算。
关键词 光致各向异性 记录介质 光计算
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一种计算机辅助磁记录介质耐磨性快速测试法
14
作者 吴海良 裴先登 +2 位作者 沈悦 谢其中 王立环 《小型微型计算机系统》 EI CSCD 北大核心 1995年第12期50-53,共4页
本文介绍了磁记录介质耐磨性的评价方法和传统的耐磨性测试方法。提出了一种基于疲劳磨损机理,能大幅度提高测试效率的由微机控制的软盘片、磁带等磁记录介质耐磨性快速测试的方法和整个微机控制测试系统的构成及各部分电路的功能。
关键词 记录介质 耐磨性 快速测试 微机控制
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FePt-MgO垂直磁记录介质的磁性和记录特性之间的关系
15
作者 阴津华 侯志坚 +2 位作者 潘礼庆 张振刚 铃木孝雄 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期114-115,共2页
利用溅射和退火工艺制备了不同组分和厚度的FePt-MgO垂直磁记录介质,并用极化克尔效应测量了介质的磁滞回线,用Spinstand测量了记录性能。研究结果表明,垂直记录介质中磁性晶粒间交换耦合的α值与退火前单层FePt的厚度成反比;信噪比与... 利用溅射和退火工艺制备了不同组分和厚度的FePt-MgO垂直磁记录介质,并用极化克尔效应测量了介质的磁滞回线,用Spinstand测量了记录性能。研究结果表明,垂直记录介质中磁性晶粒间交换耦合的α值与退火前单层FePt的厚度成反比;信噪比与α值成反比;高频噪音与α值成正比。 展开更多
关键词 磁性 记录特性 垂直磁记录介质
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相变光盘记录介质Sb-Se系和Ge-Sb-Te系合金组织及结构
16
作者 陈志武 张喜燕 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2000年第10期77-78,共2页
按照配方熔炼制成Sb Se系和Ge Sb Te系合金 ,对其组织结构进行了观察测试。研究结果表明 ,制备的合金组织比较均匀 ,X射线衍射结果表明 ,Sb Se系合金 1#样品有Sb析出 ,2 #样品有Se析出 ,符合化学计量比的 3#样品全部形成Sb2 Se3共晶体。... 按照配方熔炼制成Sb Se系和Ge Sb Te系合金 ,对其组织结构进行了观察测试。研究结果表明 ,制备的合金组织比较均匀 ,X射线衍射结果表明 ,Sb Se系合金 1#样品有Sb析出 ,2 #样品有Se析出 ,符合化学计量比的 3#样品全部形成Sb2 Se3共晶体。Ge Sb Te系合金 5#样品有Sb析出 ,而符合化学计量比的 4 #样品形成GeSb2 Te4 共晶体。 展开更多
关键词 SB-SE系 GE-SB-TE系 相变光盘 记录介质 合金组织 结构
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磁光盘记录介质的发展前景
17
作者 刘荣生 《化工新型材料》 CAS CSCD 2000年第5期23-24,共2页
关键词 磁光盘记录介质 记录介质
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一种偶氮染料明胶体系光致双折射记录介质特性的研究 被引量:1
18
作者 张齐 于美文 马春荣 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 1991年第1期84-89,共6页
研究了一种偶氮染料-明胶体系的偏振全息记录介质的特性,它具有实时记录,可重复使用,衍射效率高,保存期长和所需激光功率阈值低的优点.给出了详细的研究结果。
关键词 偶氮染料 明胶体系 记录介质
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电子束直写模版电沉积制备图案化磁记录介质
19
作者 钞书哲 丁玉成 +1 位作者 叶向东 李涤尘 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期27-30,共4页
以电子束直写光刻图形为模版,采用直流电沉积和数值模拟的方法,研究了镍纳米柱阵列图案化磁记录介质的制备工艺和模版电沉积过程中的沉积不均匀问题.研究结果表明,在加速电压、曝光电流确定的条件下,电子束直写光刻模版孔径由曝光时间决... 以电子束直写光刻图形为模版,采用直流电沉积和数值模拟的方法,研究了镍纳米柱阵列图案化磁记录介质的制备工艺和模版电沉积过程中的沉积不均匀问题.研究结果表明,在加速电压、曝光电流确定的条件下,电子束直写光刻模版孔径由曝光时间决定,模版的孔径和孔距在10 nm量级精确可调.在纳米孔阵列模版中进行电沉积时,适当增大孔距,降低阴极电解电势,可以减小电沉积过程中相邻孔之间的相互干扰,提高电沉积的均匀性,从而为图案化磁记录介质的电沉积制备提供了一种新的方法. 展开更多
关键词 图案化磁记录介质 电子束直写光刻 电沉积 不均匀
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化学镀高密度金属薄膜磁记录介质硬盘片的制作
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作者 关宏美 《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心 1992年第9期42-50,共9页
本文讨论了化学镀硬盘存在的技术问题,提出了解决方案.报导了加入有机基质的化学镀Co-P磁介质的电磁性能和等离子体离解烃沉积类金刚石碳保护膜与全氟聚醚润滑油的初步使用效果,并给出了硬磁盘的制作工艺过程.
关键词 化学镀 硬盘 金属薄膜 记录介质
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