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有机硅高沸物及废触体资源化利用的研究进展 被引量:1
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作者 郭文涛 蔡冬利 李献起 《化工环保》 CAS CSCD 北大核心 2024年第1期53-59,共7页
有机硅高沸物及废触体都是有机硅的副产物,前者Cl元素含量高、后者遇空气易自燃,其产量随有机硅行业的高速发展而急剧上升,环保压力不断增大。本文综述了近年来有机硅高沸物及废触体的资源化利用技术,分析了各种技术的优劣势。指出:未... 有机硅高沸物及废触体都是有机硅的副产物,前者Cl元素含量高、后者遇空气易自燃,其产量随有机硅行业的高速发展而急剧上升,环保压力不断增大。本文综述了近年来有机硅高沸物及废触体的资源化利用技术,分析了各种技术的优劣势。指出:未来有机硅高沸物及废触体的资源化利用技术可从梯级资源化利用、以废治废、物料循环利用、能量耦合等方面进行整合和升级。 展开更多
关键词 有机硅 高沸物 触体 硅浆渣 资源化利用
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有机硅废触体的综合利用 被引量:11
2
作者 张桂华 史振国 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期56-58,共3页
本文对国内外直接法合成甲基氯硅烷所产生的废触体的综合利用方法进行了综述,如氧化还原法回收铜和利用废触体合成有机氯硅烷等;并对国内废触体的综合利用提出了发展建议。
关键词 综合利用 有机硅废触体 甲基氯硅烷 有机氯硅烷 氧化还原法 利用方法 直接法 国内外 回收铜 合成
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有机硅废触体的综合利用 被引量:6
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作者 冯亮 沈杨彬 高林 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2014年第12期226-228,237,共4页
首先采用1mol/L的盐酸和质量分数为27%的双氧水对10g废触体中的催化剂氧化酸浸得到氯化铜盐,通过正交实验法测定各因素的最佳用量:双氧水用量为2mL,盐酸用量为11mL,反应时间3h,溶液总量为30mL,以及各因素对实验影响大小的顺序为:双氧水... 首先采用1mol/L的盐酸和质量分数为27%的双氧水对10g废触体中的催化剂氧化酸浸得到氯化铜盐,通过正交实验法测定各因素的最佳用量:双氧水用量为2mL,盐酸用量为11mL,反应时间3h,溶液总量为30mL,以及各因素对实验影响大小的顺序为:双氧水的量,溶液总量,盐酸的量,时间。成功回收了98%的铜盐用于催化剂的制备。利用直接沉淀法生成了纳米氧化铜颗粒,对其分别用XRD和SEM进行表征;并通过分解双氧水的速度探讨了纳米氧化铜的催化效果。再利用各物质密度的不同用钨酸钠配制密度为1.30g/mL的重液除去碳粉等杂质得到纯度为99%的高纯硅粉。 展开更多
关键词 有机硅废触体 氧化酸浸 氯化铜 纳米氧化铜 密度 硅粉
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氧化还原法处理有机硅废触体 被引量:2
4
作者 薛连海 李万海 王广铨 《化工环保》 CAS CSCD 北大核心 2001年第5期302-303,共2页
关键词 氧化还原法 有机硅 触体 废物处理
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吉化有机硅废触体合成四氯化硅项目攻关成功
5
作者 张晓君 宋立新 《石油炼制与化工》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期20-20,共1页
关键词 四氯化硅 合成技术 有机硅 触体 流态化工艺
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有机硅废触体中铜的浸出行为及动力学研究 被引量:4
6
作者 陶均 葛英勇 方纪 《矿冶工程》 CAS CSCD 北大核心 2022年第5期98-102,共5页
采用过氧化氢氧化⁃硫酸浸出工艺提取有机硅废触体中的铜,考察了硫酸浓度、固液比、浸出温度、浸出时间和过氧化氢用量等因素对铜浸出率的影响,并进行了浸出动力学研究。结果表明,在浸出温度40℃、浸出时间2 h、硫酸浓度1.5 mol/L、液固... 采用过氧化氢氧化⁃硫酸浸出工艺提取有机硅废触体中的铜,考察了硫酸浓度、固液比、浸出温度、浸出时间和过氧化氢用量等因素对铜浸出率的影响,并进行了浸出动力学研究。结果表明,在浸出温度40℃、浸出时间2 h、硫酸浓度1.5 mol/L、液固比4 mL/g、过氧化氢溶液体积与固体质量之比为0.2 mL/g的浸出条件下,铜平均浸出率为96.64%,浸出渣中平均含铜仅0.524%。有机硅中铜的浸出过程符合收缩未反应核模型,主要受化学反应控制,铜浸出过程的反应表观活化能为24.23 kJ/mol。 展开更多
关键词 有机硅废触体 硫酸 浸出 铜粉 过氧化氢 有机硅 废催化剂
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有机硅废触体中铜的高效提取及高纯铜制备 被引量:2
7
作者 李栋 朱明涛 +2 位作者 乔晋玺 田庆华 郭学益 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第10期3337-3347,共11页
针对有机硅行业生产过程中产生的废触体,提出水浸预处理-氧化酸浸-旋流电积制备高纯铜的工艺。采用单因素实验法,分别考察反应温度、液固比、反应时间等因素对水浸预处理及氧化酸浸效果的影响。结果表明:在反应温度80℃、反应时间30 mi... 针对有机硅行业生产过程中产生的废触体,提出水浸预处理-氧化酸浸-旋流电积制备高纯铜的工艺。采用单因素实验法,分别考察反应温度、液固比、反应时间等因素对水浸预处理及氧化酸浸效果的影响。结果表明:在反应温度80℃、反应时间30 min、液固比3∶1 mL/g的优化条件下进行水浸预处理,处理后氯、铁的去除率可分别达到93.95%、5.25%,而铜不浸出;在双氧水用量为理论用量的2.0倍、反应温度为30℃、硫酸浓度为1.25 mol/L、液固比为3∶1 mL/g、反应时间为20 min的优化条件下,氧化酸浸过程中铜的浸出率可达93.59%,溶液中铁含量仅为0.25 g/L,且循环浸出时浸出率保持稳定。经循环浸出富集后的硫酸铜浸出液采用旋流电积制备高纯铜,得到的产品形貌平整,铜含量大于99.98%,达到GB/T467—2010的要求。 展开更多
关键词 触体 氧化酸浸 旋流电积 高纯铜
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有机硅废触体与浆渣高值化利用新工艺 被引量:2
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作者 余伟奇 辜锋 张凡 《有色金属(冶炼部分)》 CAS 北大核心 2023年第9期137-142,共6页
针对有机硅废触体和浆渣的高值化利用,提出机械活化浸出—氧化酸浸联合新工艺,并巧妙融入“以废治废”的创新思路,符合绿色低碳可持续发展的要求。对不同浸出酸度、浸出时间、机械活化、过滤优化等影响因素进行试验研究。结果表明:在机... 针对有机硅废触体和浆渣的高值化利用,提出机械活化浸出—氧化酸浸联合新工艺,并巧妙融入“以废治废”的创新思路,符合绿色低碳可持续发展的要求。对不同浸出酸度、浸出时间、机械活化、过滤优化等影响因素进行试验研究。结果表明:在机械活化后浸出时间90 min、氧化酸浸液固比3∶1、废盐酸浓度8%、富氧空气量25 L/h、活性助剂添加量0.5%最佳条件下,Cu的浸出率高达96.3%,促进了Si的富集和高效回收。本研究可以为有机硅废触体和浆渣的高值化利用的解决方案提供参考依据。 展开更多
关键词 有机硅 触体 浆渣 以废治废 高值化利用
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吉化研究院有机硅废触体合成四氯化硅项目攻关成功 被引量:1
9
作者 张晓君 宋立新 《化工环保》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期74-74,共1页
关键词 有机硅 触体 四氯化硅 环境保护 废物处理工艺
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我国第一套5000t/a利用废触体合成四氯化硅装置在吉化集团中部基地开发建设
10
作者 张晓君 侯静波 《石油炼制与化工》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期5-5,共1页
我国第一套5000t/a利用废触体合成四氯化硅生产装置,于2004年9月20日在吉化集团中部生产基地开工建设,并在2004年12月底建成投产。
关键词 吉化集团 中部 开发建设 建成投产 中国 开工建设 基地 触体 四氯化硅 合成
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有机硅废触体合成四氯化硅项目攻关成功
11
《化工环保》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期443-443,共1页
由中国石油天然气集团公司吉林石化分公司研究院与吉林石化分公司电石厂共同研发的有机硅废触体合成四氯化硅技术,中试装置已实现连续稳定开车550h,各项技术指标均达到预期要求。
关键词 触体 四氯化硅 有机硅 合成 中试装置 吉林石化分公司研究院 开车 连续
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5kt/a利用废触体合成四氯化硅装置开工建设
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作者 张晓君 侯静波 《合成树脂及塑料》 CAS 2004年第6期14-14,共1页
关键词 触体 四氯化硅 合成 生产装置 吉化集团公司 开工建设 建成投产 预计 中部 生产基地
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万吨级有机硅单体合成副产综合利用 被引量:3
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作者 鲁建春 周遵石 王刚 《石油化工》 CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期67-73,共7页
全面阐述了中国石油吉林石化公司研究院20年来在有机硅单体合成副产综合利用方面的研究成果,并对公司十万吨级有机硅生产装置的开发进行展望.有机硅单体合成副产的全面综合利用,将大大提高有机硅装置在国内的竞争能力.
关键词 二甲基氯硅烷 甲基二氯硅烷 三甲基氯硅烷 共沸物 甲基三氯硅烷 高沸物 触体 废渣浆
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催化体系对直接法合成甲基氯硅烷的影响 被引量:3
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作者 张桂华 《化工新型材料》 CAS CSCD 2004年第10期21-23,27,共4页
概述了直接法合成甲基氯硅烷的催化反应机理、催化剂种类、用量及分散 ,探讨了温度对催化体系的影响及反应前后触体的变化。
关键词 甲基氯硅烷 直接法 合成 催化反应 催化剂 触体 氯化亚铜
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甲基氯硅烷生产技术的思考 Ⅰ.化学因素
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作者 陈其阳 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第S1期32-35,共4页
采用直接法合成甲基氯硅烷是工业上最成功的方法。生产是否高水平,首先取决于反应体系中化学组成和化学元素的变化。为达到此目的,监测原材料的质量和调整反应过程中硅铜触体是必需的。本文就化学因素对反应过程产生的影响进行了讨论。
关键词 直接法 合成 甲基氯硅烷 硅铜触体
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