基于密度泛函理论计算,研究了氢气分子与Ti原子掺杂的镁薄膜表面的相互作用。结果表明,Ti原子替代在镁薄膜表面第二层的位置最稳定。氢气在Ti原子掺杂的镁薄膜表面(Ti原子替代在第二层)的解离势垒下降至0.76e V。第1个氢原子扩散势垒是0...基于密度泛函理论计算,研究了氢气分子与Ti原子掺杂的镁薄膜表面的相互作用。结果表明,Ti原子替代在镁薄膜表面第二层的位置最稳定。氢气在Ti原子掺杂的镁薄膜表面(Ti原子替代在第二层)的解离势垒下降至0.76e V。第1个氢原子扩散势垒是0.11 e V,氢原子离开Ti原子扩散至更远的位置,而不是吸附在Ti原子旁边;催化剂原子不会与先解离的氢气原子成键。研究表明,掺杂Ti的镁薄膜是一种拥有良好性能的储氢材料。展开更多
文摘基于密度泛函理论计算,研究了氢气分子与Ti原子掺杂的镁薄膜表面的相互作用。结果表明,Ti原子替代在镁薄膜表面第二层的位置最稳定。氢气在Ti原子掺杂的镁薄膜表面(Ti原子替代在第二层)的解离势垒下降至0.76e V。第1个氢原子扩散势垒是0.11 e V,氢原子离开Ti原子扩散至更远的位置,而不是吸附在Ti原子旁边;催化剂原子不会与先解离的氢气原子成键。研究表明,掺杂Ti的镁薄膜是一种拥有良好性能的储氢材料。
