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二维短沟道MOSFET阈值电压分析模型
被引量：
3
1
作者
李海霞
毛凌锋
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第3期254-257,共4页
随着器件尺寸的进一步减小,由量子效应导致的能带分裂对MOSFET中阈值电压特性的影响变得越来越重要。提出了一个包含量子效应(QME)的短沟道金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)分析的阈值电压模型,该模型建立在求解包含量子校正的泊松方程...
随着器件尺寸的进一步减小,由量子效应导致的能带分裂对MOSFET中阈值电压特性的影响变得越来越重要。提出了一个包含量子效应(QME)的短沟道金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)分析的阈值电压模型,该模型建立在求解包含量子校正的泊松方程的基础上。分析在泊松方程中考虑量子效应后建立的分析的阈值电压模型可知:随着器件尺寸的减小,由量子效应和短沟道效应引起的阈值电压的升高变得越来越严重。本模型的优点是没有引入额外的物理参数。
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关键词
深亚微米半导体器件
解析阈值电压模型
量子机制效应
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职称材料
题名
二维短沟道MOSFET阈值电压分析模型
被引量：
3
1
作者
李海霞
毛凌锋
机构
苏州大学电子信息学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第3期254-257,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(60606016)
文摘
随着器件尺寸的进一步减小,由量子效应导致的能带分裂对MOSFET中阈值电压特性的影响变得越来越重要。提出了一个包含量子效应(QME)的短沟道金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)分析的阈值电压模型,该模型建立在求解包含量子校正的泊松方程的基础上。分析在泊松方程中考虑量子效应后建立的分析的阈值电压模型可知:随着器件尺寸的减小,由量子效应和短沟道效应引起的阈值电压的升高变得越来越严重。本模型的优点是没有引入额外的物理参数。
关键词
深亚微米半导体器件
解析阈值电压模型
量子机制效应
Keywords
sub-micron MOSFET
analytical threshold model
quantum mechanism effect
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
二维短沟道MOSFET阈值电压分析模型
李海霞
毛凌锋
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009
3
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