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GaN HFET的大信号射频工作模型
被引量：
3
1
作者
薛舫时
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第5期403-408,414,共7页
分析了GaN HFET大信号工作特性随器件漏压、栅压、栅长和工作频率变化的实验特征,发现器件的射频输出功率和功率附加效率随频率升高、漏压增大和栅长缩短而下降的规律及在3mm波段短栅长的高截止频率场效应管没有输出功率的现象。从场效...
分析了GaN HFET大信号工作特性随器件漏压、栅压、栅长和工作频率变化的实验特征,发现器件的射频输出功率和功率附加效率随频率升高、漏压增大和栅长缩短而下降的规律及在3mm波段短栅长的高截止频率场效应管没有输出功率的现象。从场效应管电极边界条件出发导出了势垒层的解析表面势及其微商,研究了表面势随漏压、栅压和栅长的变化。通过自洽能带计算求出了不同漏压、栅压和栅长下的能带和电子状态。研究了GaN HFET射频工作中产生的能带畸变。从不同漏压、栅压和栅长变化下的能带畸变出发,提出了沟道电子状态随栅压、漏压和栅长变化的GaN HFET大信号射频工作模型。用此大信号模型解释了实验中观察到的高频、大功率器件特性及3mm瓶颈。提出了研发大功率GaN HFET的新见解。
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关键词
大信号工作特性
3mm氮化镓异质结场效应晶体管瓶颈
解析表面势及其微商
能带畸变
射频大信号工作模型
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职称材料
题名
GaN HFET的大信号射频工作模型
被引量：
3
1
作者
薛舫时
机构
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第5期403-408,414,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(61076120
61106130)
文摘
分析了GaN HFET大信号工作特性随器件漏压、栅压、栅长和工作频率变化的实验特征,发现器件的射频输出功率和功率附加效率随频率升高、漏压增大和栅长缩短而下降的规律及在3mm波段短栅长的高截止频率场效应管没有输出功率的现象。从场效应管电极边界条件出发导出了势垒层的解析表面势及其微商,研究了表面势随漏压、栅压和栅长的变化。通过自洽能带计算求出了不同漏压、栅压和栅长下的能带和电子状态。研究了GaN HFET射频工作中产生的能带畸变。从不同漏压、栅压和栅长变化下的能带畸变出发,提出了沟道电子状态随栅压、漏压和栅长变化的GaN HFET大信号射频工作模型。用此大信号模型解释了实验中观察到的高频、大功率器件特性及3mm瓶颈。提出了研发大功率GaN HFET的新见解。
关键词
大信号工作特性
3mm氮化镓异质结场效应晶体管瓶颈
解析表面势及其微商
能带畸变
射频大信号工作模型
Keywords
large signal operation behavior
bottleneck in 3mm GaN HFET
analytical surface potential and its derivative
band deformation
large signal operation model
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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出处
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被引量
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1
GaN HFET的大信号射频工作模型
薛舫时
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014
3
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