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短沟道MOSFET解析物理模型
被引量：
2
1
作者
杨谟华
于奇
+2 位作者
肖兵
谢晓峰
李竞春
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第11期84-86,92,共4页
本文基于修正的二维泊松方程导出了适用于深亚微米MOSFET的阈值电压解析模型,并进而通过反型区电荷统一表达式并考虑到载流子速度饱和、DIBL、相关迁移率、反型层电容和沟道长度调制等主要小尺寸与高场效应,最后得到了较为准确、连续和...
本文基于修正的二维泊松方程导出了适用于深亚微米MOSFET的阈值电压解析模型,并进而通过反型区电荷统一表达式并考虑到载流子速度饱和、DIBL、相关迁移率、反型层电容和沟道长度调制等主要小尺寸与高场效应,最后得到了较为准确、连续和可缩小的漏极电流模型.模型输出与华晶等样品测试MINIMOS模拟结果较为吻合。
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关键词
短沟道
MOSFET
解析物理模型
VLSI/ULSI
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职称材料
题名
短沟道MOSFET解析物理模型
被引量：
2
1
作者
杨谟华
于奇
肖兵
谢晓峰
李竞春
机构
电子科技大学微电子科学与工程系
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第11期84-86,92,共4页
基金
国家自然科学基金!( 6 95 76 0 0 4)
国防预研基金!( 96J8 1 1 DZ0 2 0 5 )
文摘
本文基于修正的二维泊松方程导出了适用于深亚微米MOSFET的阈值电压解析模型,并进而通过反型区电荷统一表达式并考虑到载流子速度饱和、DIBL、相关迁移率、反型层电容和沟道长度调制等主要小尺寸与高场效应,最后得到了较为准确、连续和可缩小的漏极电流模型.模型输出与华晶等样品测试MINIMOS模拟结果较为吻合。
关键词
短沟道
MOSFET
解析物理模型
VLSI/ULSI
Keywords
short channel
deep submicron
MOSFET
threshold voltage
drain current
analytical physical model
分类号
TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
短沟道MOSFET解析物理模型
杨谟华
于奇
肖兵
谢晓峰
李竞春
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999
2
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