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高分辨电子显微像的解卷处理程序:DEC 被引量:3
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作者 万威 唐春艳 +3 位作者 王迪 何万中 王怀斌 李方华 《电子显微学报》 CAS CSCD 2005年第4期374-374,共1页
关键词 高分辨像 电子显微像 DEC 处理程序 晶体厚度 晶体结构 解卷处理 计算机程序 程序应用
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像的解卷处理在球差校正场发射高分辨电子显微镜中的应用
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作者 唐春艳 陈江华 李方华 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期359-359,共1页
关键词 场发射高分辨电子显微镜 图像解卷处理 球差校正 球差系数 成像参数
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球差校正高分辨电子显微像的像衬和解卷处理
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作者 万威 李方华 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期303-308,共6页
本工作将赝弱相位物体近似像衬理论延伸至球差校正高分辨电子显微像,分析了球差校正像的衬度随样品厚度的变化规律。指出非Scherzer聚焦条件下球差校正电镜拍摄的高分辨像仍未必反映晶体结构,讨论了解卷处理方法应用于球差校正像的有效... 本工作将赝弱相位物体近似像衬理论延伸至球差校正高分辨电子显微像,分析了球差校正像的衬度随样品厚度的变化规律。指出非Scherzer聚焦条件下球差校正电镜拍摄的高分辨像仍未必反映晶体结构,讨论了解卷处理方法应用于球差校正像的有效性,并以有I2型层错的GaN晶体为例,借助像模拟肯定了解卷处理能用于复原原子分辨率晶体缺陷的结构像。 展开更多
关键词 高分辨电子显微像 球差校正电子显微镜 赝弱相位物体像衬理论 解卷处理 GAN
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对最大熵法像解卷处理的进一步探讨
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作者 黄达祥 李方华 《电子显微学报》 CAS CSCD 1993年第2期168-168,共1页
在弱相位物体近似下,高分辨电子显微像的强度正比于晶体的电势投影分布函数与衬度传递函数的付立叶变换的卷积。借助解卷处理可以把一幅在任意离焦条件下拍摄的高分辨像转变成晶体结构投影图。七十年代后期,李方华、范海福提出用衍射分... 在弱相位物体近似下,高分辨电子显微像的强度正比于晶体的电势投影分布函数与衬度传递函数的付立叶变换的卷积。借助解卷处理可以把一幅在任意离焦条件下拍摄的高分辨像转变成晶体结构投影图。七十年代后期,李方华、范海福提出用衍射分析中的直接法来进行像解卷,特点是只需用一幅任意离焦条件的像便可恢复出晶体的结构投影图。近来,胡建军、李方华将最大熵原理应用于高分辨电子显微像的解卷处理中,也只需从一幅任意离焦条件的像出发,曾用此方法测定了未知晶体结构。 展开更多
关键词 晶体结构 解卷处理 图像 最大熵法 衍射 投影
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蛋白质晶体高分辨电子显微像的直接法解卷
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作者 阳世新 李方华 《电子显微学报》 CAS CSCD 1998年第4期319-320,共2页
蛋白质晶体高分辨电子显微像的直接法解卷*阳世新李方华(中国科学院物理研究所和中国科学院凝聚态物理中心,北京100080)*本工作得到国家自然科学基金委员会的资助基于弱相位体近似的高分辨电子显微像解卷处理已成功应用于测... 蛋白质晶体高分辨电子显微像的直接法解卷*阳世新李方华(中国科学院物理研究所和中国科学院凝聚态物理中心,北京100080)*本工作得到国家自然科学基金委员会的资助基于弱相位体近似的高分辨电子显微像解卷处理已成功应用于测定无机材料的晶体结构[1]。曾分别... 展开更多
关键词 蛋白质 晶体 电子显微像 解卷处理
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Sr_2CuO_(3+x)无公度调制结构的高分辨电子显微学研究 被引量:1
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作者 葛炳辉 李方华 +1 位作者 刘清青 靳常青 《电子显微学报》 CAS CSCD 2005年第4期373-373,共1页
关键词 高分辨电子显微学 无公度调制结构 电子显微像 超导化合物 平均处理 结构模型 解卷处理 超结构
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原子分辨率晶体结构的高分辨电子显微学研究 被引量:2
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作者 唐春艳 李方华 《电子显微学报》 CAS CSCD 2005年第3期165-170,共6页
本文以GaP{111}孪晶界面高分辨电子显微像为例,将解卷处理和动力学散射效应校正相结合的技术应用于晶体界面处显微像的研究。椭圆窗口作为一种新的手段用于含有面缺陷晶体的傅里叶滤波和衍射振幅校正。所用GaP{111}高分辨像的模拟参数... 本文以GaP{111}孪晶界面高分辨电子显微像为例,将解卷处理和动力学散射效应校正相结合的技术应用于晶体界面处显微像的研究。椭圆窗口作为一种新的手段用于含有面缺陷晶体的傅里叶滤波和衍射振幅校正。所用GaP{111}高分辨像的模拟参数对应于200kV场发射高分辨电子显微镜。经过图像处理之后,不同样品厚度的模拟像均转变成结构像,其中原子柱均显示在正确的位置上。对GaP进行解卷处理的临界厚度做了详细的讨论。 展开更多
关键词 界面结构 解卷处理 动力学散射效应校正 原子分辨率 晶体结构
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用200kV高分辨电子显微镜辨认3C-SiC中的硅和碳原子 被引量:1
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作者 唐春艳 李方华 王蓉 《电子显微学报》 CAS CSCD 2007年第2期85-89,共5页
用200 kV六硼化镧灯丝的高分辨电子显微镜拍摄了外延生长在硅衬底的3C-SiC薄膜的[110]显微像。经过解卷处理和衍射振幅校正,把实验像转换为直接反映晶体投影结构的结构像,近邻Si、C原子柱显现为黑(灰)的像点对,即所谓的哑铃。测量了结... 用200 kV六硼化镧灯丝的高分辨电子显微镜拍摄了外延生长在硅衬底的3C-SiC薄膜的[110]显微像。经过解卷处理和衍射振幅校正,把实验像转换为直接反映晶体投影结构的结构像,近邻Si、C原子柱显现为黑(灰)的像点对,即所谓的哑铃。测量了结构像中不同厚度区域哑铃的灰度变化,分析了哑铃中二个端点的相对灰度值随厚度的变化关系,结合赝弱相位物体近似像衬理论进行分析,辨认出Si与C原子柱。 展开更多
关键词 高分辨电子显微像 解卷处理 赝弱相位物体近似像衬理论 3C-SiC薄膜
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