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题名化学气相沉积法生长石墨烯的现状及展望
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作者
黄子翀
刘伟林
李骏
蒋宇
袁国文
高力波
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机构
南京大学物理学院
湖南大学材料科学与工程学院
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出处
《新型炭材料(中英文)》
北大核心
2025年第3期457-476,共20页
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基金
国家自然科学基金(52425203)
江苏省自然科学基金(BK20240008、BK20241252、BK20233001)
+2 种基金
小米基金会
南京大学固体微结构物理国家重点实验室基金(M35041)
南京大学队伍建设启动基金(14912249)。
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文摘
石墨烯自2004年被发现以来,其优异的物理化学性质引发广泛关注。在各种合成方法中,化学气相沉积(CVD)法凭借可控性、低成本及规模化优势,已发展成为制备高质量石墨烯薄膜的主流方法。本文系统回顾了CVD法制备石墨烯的技术发展历程,重点论述了单晶石墨烯生长、表面平整度调控、层数精确控制及高效规模化制备等关键领域的最新进展。通过优化衬底设计、引入质子辅助解耦技术及氧辅助技术等多种策略,已实现晶圆级单晶石墨烯的制备,其电学性能指标接近机械剥离样品。然而,绝缘衬底直接生长、低温条件下高质量制备及缺陷动态控制等方面仍存在技术挑战。未来,新型碳源开发、多功能集成工艺及卷对卷工业化生产技术的结合,将推动石墨烯在柔性电子、能源存储等领域的广泛应用。
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关键词
石墨烯
二维材料
化学气相沉积
形貌调控
规模化生长
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Keywords
Graphene
Two-dimensional materials
Chemical vapor deposition
Morphological control
Large-scale growth
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分类号
TQ152
[化学工程—电化学工业]
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