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衰减相移掩模光刻技术研究被引量：2: 1; 作者冯伯儒张锦 +2 位作者侯德胜周崇喜陈芬《光电工程》 CAS CSCD 1999年第5期4-8,12,共6页; 论述了衰减相移掩模光刻技术的原理和曝光实验研究，给出了光刻曝光实验部分结果。; 关键词光刻相移掩模衰减相移掩模; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种简单的衰减相移掩模被引量：1: 2; 作者张锦冯伯儒 +6 位作者侯德胜周崇喜姚汉民郭永康陈芬孙方苏平《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期64-64,66,共2页; :本文介绍了一种与传统Cr掩模制作工艺相兼容的单层衰减相移掩模的结构、原理和制作方法 ,提供了部分实验结果。; 关键词光刻衰减相移掩模相移器单层材料; 在线阅读下载PDF 职称材料

用于100nm节点ArF准分子激光光刻的相移掩模技术被引量：1: 3; 作者冯伯儒张锦 +3 位作者宗德蓉刘娟陈宝钦刘明《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期1-4,39,共5页; 用于100nm节点ArF准分子激光光刻的相移掩模(PSM)技术主要有无铬相移掩模(CPM),交替相移掩模(APSM)、衰减相移掩模(AttPSM)和混合相移掩模技术。对这些掩模的基本原理、制作方法及性能比较进行了分析研究。研究表明,无铬相位光刻(CPL)PS... 展开更多; 关键词激光光刻技术相移掩模准分子光刻无铬相移掩模交替相移掩模衰减相移掩模混合相移掩模; 在线阅读下载PDF 职称材料