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高压MOS晶体管双峰衬底电流分析及优化被引量：2: 1; 作者王俊董业民 +3 位作者邹欣邵丽李文军杨华岳《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期316-319,共4页; 利用0.15μm标准CMOS工艺制造出了工作电压为30V的双扩散漏端MOS晶体管。观察到DDDMOS的衬底电流-栅压曲线有两个峰。实验表明,DDDMOS衬底电流的第二个峰对器件的可靠性有一定的影响。利用TCAD模拟解释了DDDMOS第二个衬底电流峰的形成机... 展开更多; 关键词高压器件衬底电流优化工艺; 在线阅读下载PDF 职称材料

纳米级MOSFET衬底电流的偏置依赖性建模: 2; 作者王林王军王丹丹《电子技术应用》北大核心 2016年第10期37-39,共3页; 衬底电流是纳米级MOSFET电学性质分析的重要基础,也是集成电路设计的先决条件。建立精确的衬底电流模型是分析MOSFET器件及电路可靠性和进行电路设计所必需的。基于热载流子效应建立了一个常规结构纳米级MOSFET衬底电流的解析模型,并将... 展开更多; 关键词衬底电流纳米级MOSFET 偏置依赖性; 在线阅读下载PDF 职称材料

双极值衬底电流对高压MOS器件退化的影响: 3; 作者刘博王磊 +3 位作者冯志刚王俊李文军程秀兰《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期247-250,共4页; 基于0.18μm高压n型DEMOS(drain extended MOS)器件,报道了在衬底电流Isub两种极值条件下作高压器件的热载流子应力实验,结果发现器件电学性能参数(如线性区电流、开态电阻、最大电导和饱和漏电流)随应力时间有着明显退化。通过TCAD分... 展开更多; 关键词高压器件扩展漏端MOS 衬底电流热载流子注入; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种抗热载流子退化效应的新型CMOS电路结构被引量：4: 4; 作者陈勇杨谟华 +3 位作者于奇王向展李竟春谢孟贤《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期65-67,共3页; 本文在分析MOSFET衬底电流原理的基础上 ,提出了一种新型抗热载流子退化效应的CMOS数字电路结构 .即通过在受热载流子退化效应较严重的NMOSFET漏极串联一肖特基二级管 ,来减小其所受电应力 .经SPICE及电路可靠性模拟软件BERT2 .0对倒相... 展开更多; 关键词 MOSFET衬底电流热载流子效应 CMOS电路结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种适用于MEMS麦克风的新型恒压电荷泵设计被引量：1: 5; 作者张文杰杨凤 +2 位作者段杰斌谢亮金湘亮《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期300-304,共5页; 实现了一种新型恒压输出电荷泵电路,通过选择合理的电荷泵结构能有效抑制反向电流及衬底电流,并通过一种负反馈稳压电路得到低纹波且不随电源电压变化的稳压输出,非常适用于MEMS麦克风。该电路采用MIXIC0.35μm标准CMOS工艺实现,测试结... 展开更多; 关键词电荷泵衬底电流辅助金属氧化物半导体场效应晶体管恒压输出微机电系统麦克风; 在线阅读下载PDF 职称材料

VDMOS器件高温热载流子效应的研究: 6; 作者储晓磊高珊李尚君《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期39-44,共6页; 用二维器件仿真软件Silvaco-Atlas模拟了VDMOS器件工作时产热分布,观察到高温区集中分布在沟道末端及积累层区域。仿真了自加热效应情形下的输出特性曲线,图像显示曲线在达到饱和点后随漏电压增大有下降趋势。结合理论揭示了自加热效应... 展开更多; 关键词垂直双扩散金属氧化物半导体自加热效应衬底电流热载流子效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高压MOS晶体管双峰衬底电流分析及优化被引量：2: 1; 作者王俊董业民邹欣邵丽李文军杨华岳; 机构中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海宏力半导体制造有限公司; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期316-319,共4页; 文摘利用0.15μm标准CMOS工艺制造出了工作电压为30V的双扩散漏端MOS晶体管。观察到DDDMOS的衬底电流-栅压曲线有两个峰。实验表明,DDDMOS衬底电流的第二个峰对器件的可靠性有一定的影响。利用TCAD模拟解释了DDDMOS第二个衬底电流峰的形成机制,并通过求解泊松方程和电流连续性方程分析了器件的物理和几何参数与第二个衬底电流峰之间的关系。根据分析的结果优化了制造工艺,降低了DDDMOS的衬底电流,提高了器件的可靠性。; 关键词高压器件衬底电流优化工艺; Keywords high-voltage device substrate current process optimization; 分类号 TN433 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名纳米级MOSFET衬底电流的偏置依赖性建模: 2; 作者王林王军王丹丹; 机构西南科技大学信息工程学院; 出处《电子技术应用》北大核心 2016年第10期37-39,共3页; 文摘衬底电流是纳米级MOSFET电学性质分析的重要基础,也是集成电路设计的先决条件。建立精确的衬底电流模型是分析MOSFET器件及电路可靠性和进行电路设计所必需的。基于热载流子效应建立了一个常规结构纳米级MOSFET衬底电流的解析模型,并将模型的仿真结果与实验结果相比较,验证了模型的准确性。同时对衬底电流与沟道长度和偏置电压的关系进行了分析研究,结果表明,衬底电流具有显著的沟道长度与偏置依赖性。; 关键词衬底电流纳米级MOSFET 偏置依赖性; Keywords substrate current nanoscale MOSFET bias dependence; 分类号 TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名双极值衬底电流对高压MOS器件退化的影响: 3; 作者刘博王磊冯志刚王俊李文军程秀兰; 机构上海交通大学微电子学院上海宏力半导体制造有限公司中国科学院上海微系统与信息技术研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期247-250,共4页; 文摘基于0.18μm高压n型DEMOS(drain extended MOS)器件,报道了在衬底电流Isub两种极值条件下作高压器件的热载流子应力实验,结果发现器件电学性能参数(如线性区电流、开态电阻、最大电导和饱和漏电流)随应力时间有着明显退化。通过TCAD分析表明,这主要是由于持续电压负载引起器件内部界面态的变化和电子注入场氧层,进而改变了器件不同区域内部电场分布所致。同时模拟研究还表明,在Isub第一极大值条件下应力所致的器件退化,主要是由器件漏/沟道耗尽区域的电场强度增加引起的;而在Isub第二极值条件下的应力诱发器件退化,则主要是由漏端欧姆接触附近的电场加强所致。; 关键词高压器件扩展漏端MOS 衬底电流热载流子注入; Keywords high voltage device drain extended MOS substrate current hot carrier injection; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种抗热载流子退化效应的新型CMOS电路结构被引量：4: 4; 作者陈勇杨谟华于奇王向展李竟春谢孟贤; 机构电子科技大学微电子科学与工程系; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期65-67,共3页; 基金国家自然科学基金资助课题国防预研项目资助课题; 文摘本文在分析MOSFET衬底电流原理的基础上 ,提出了一种新型抗热载流子退化效应的CMOS数字电路结构 .即通过在受热载流子退化效应较严重的NMOSFET漏极串联一肖特基二级管 ,来减小其所受电应力 .经SPICE及电路可靠性模拟软件BERT2 .0对倒相器的模拟结果表明 :该结构使衬底电流降低约 5 0 % ,器件的热载流子退化效应明显改善而不会增加电路延迟 ;且该电路结构中肖特基二级管可在NMOSFET漏极直接制作肖特基金半接触来方便地实现 ,工艺简明可行又无须增加芯片面积 .; 关键词 MOSFET衬底电流热载流子效应 CMOS电路结构; Keywords MOSFET substrate current Hot carrier effect BERT schottky contact new CMOS circuits structure; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种适用于MEMS麦克风的新型恒压电荷泵设计被引量：1: 5; 作者张文杰杨凤段杰斌谢亮金湘亮; 机构湘潭大学材料与光电物理学院; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期300-304,共5页; 基金国家科技重大专项资助项目(2011ZX05008-005-04-02) 教育部新世纪优秀人才支持计划资助项目(NCET-11-0975); 文摘实现了一种新型恒压输出电荷泵电路,通过选择合理的电荷泵结构能有效抑制反向电流及衬底电流,并通过一种负反馈稳压电路得到低纹波且不随电源电压变化的稳压输出,非常适用于MEMS麦克风。该电路采用MIXIC0.35μm标准CMOS工艺实现,测试结果表明该电路能自适应2.8～3.6V的电源电压变化,输出稳定的9V直流电压。; 关键词电荷泵衬底电流辅助金属氧化物半导体场效应晶体管恒压输出微机电系统麦克风; Keywords charge pump substrate current auxiliary MOSFET constant voltage output MEMS microphone; 分类号 TN386.2 [电子电信—物理电子学] TN431.1 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名VDMOS器件高温热载流子效应的研究: 6; 作者储晓磊高珊李尚君; 机构安徽大学电子信息工程学院; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期39-44,共6页; 基金国家核高基重大专项资助项目(2010ZX0103 0-001-001-004); 文摘用二维器件仿真软件Silvaco-Atlas模拟了VDMOS器件工作时产热分布,观察到高温区集中分布在沟道末端及积累层区域。仿真了自加热效应情形下的输出特性曲线,图像显示曲线在达到饱和点后随漏电压增大有下降趋势。结合理论揭示了自加热效应造成器件电学参数退化机理。通过建立衬底电流模型,分析了衬底电流受偏置电压和温度影响的变化过程。结果表明:在偏置电压固定时,衬底电流随温度升高呈先下降后升高的变化过程;在高温和高偏置电压下衬底电流有指数上升趋势,而且正比于阈值电压、饱和漏电流以及传输特性等电学特性的退化。; 关键词垂直双扩散金属氧化物半导体自加热效应衬底电流热载流子效应; Keywords vertical double-diffused MOS(VDMOS) self-heating effect substrate current hot carrier effect; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	高压MOS晶体管双峰衬底电流分析及优化	王俊董业民邹欣邵丽李文军杨华岳	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2008	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	纳米级MOSFET衬底电流的偏置依赖性建模	王林王军王丹丹	《电子技术应用》北大核心	2016	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	双极值衬底电流对高压MOS器件退化的影响	刘博王磊冯志刚王俊李文军程秀兰	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2009	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	一种抗热载流子退化效应的新型CMOS电路结构	陈勇杨谟华于奇王向展李竟春谢孟贤	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2000	4	在线阅读下载PDF 职称材料
5	一种适用于MEMS麦克风的新型恒压电荷泵设计	张文杰杨凤段杰斌谢亮金湘亮	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2013	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	VDMOS器件高温热载流子效应的研究	储晓磊高珊李尚君	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2016	0	在线阅读下载PDF 职称材料