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衬底热空穴导致的薄栅介质经时击穿的物理模型研究
1
作者
刘红侠
郝跃
《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
2002年第7期982-986,共5页
该文定量研究了热电子和空穴注入对薄栅氧化层击穿的影响,讨论了不同应力条件下的阈值电压变化,首次提出了薄栅氧化层的经时击穿是由热电子和空穴共同作用的结果,并对上述实验现象进行了详细的理论分析,提出了薄栅氧化层经时击穿分两步...
该文定量研究了热电子和空穴注入对薄栅氧化层击穿的影响,讨论了不同应力条件下的阈值电压变化,首次提出了薄栅氧化层的经时击穿是由热电子和空穴共同作用的结果,并对上述实验现象进行了详细的理论分析,提出了薄栅氧化层经时击穿分两步。首先注入的热电子在薄栅氧化层中产生陷阱中心,然后空穴陷入陷阱导致薄栅氧击穿。
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关键词
衬底热空穴
薄栅介质
物理模型
薄栅氧化层
经时击穿
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职称材料
衬底热空穴导致的薄栅介质经时击穿的物理模型研究1
2
作者
刘红侠
郝跃
《电子科技》
2002年第17期36-40,共5页
该文定量研究了热电子和空穴注入对薄栅氧化层击穿的影响,讨论了不同应力条件下的阈值电压变化,首次提出了薄栅氧化层的经时击穿是由热电子和空穴共同作用的结果,并对上述实验现象进行了详细的理论分析,提出了薄栅氧化层经时击穿分两步...
该文定量研究了热电子和空穴注入对薄栅氧化层击穿的影响,讨论了不同应力条件下的阈值电压变化,首次提出了薄栅氧化层的经时击穿是由热电子和空穴共同作用的结果,并对上述实验现象进行了详细的理论分析,提出了薄栅氧化层经时击穿分两步。首先注入的热电子在薄栅氧化层中产生陷阱中心,然后空穴陷入陷阱导致薄栅氧击穿。
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关键词
衬底热空穴
经时击穿
物理模型
热
电子注入
空穴
注入
薄栅氧化层
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职称材料
SHH应力下超薄栅氧PMOS器件退化研究
3
作者
胡仕刚
吴笑峰
席在芳
《中南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第9期2741-2745,共5页
对超薄栅氧PMOS器件衬底热空穴(SHH)应力下SILC(应力感应泄漏电流)特性和机理进行研究。研究结果表明:在SHH应力下,栅电流在开始阶段减小,这是正电荷在氧化层中积累的结果;随后栅电流慢慢地增加,最后,当在氧化层中积累的正电荷密度达到...
对超薄栅氧PMOS器件衬底热空穴(SHH)应力下SILC(应力感应泄漏电流)特性和机理进行研究。研究结果表明:在SHH应力下,栅电流在开始阶段减小,这是正电荷在氧化层中积累的结果;随后栅电流慢慢地增加,最后,当在氧化层中积累的正电荷密度达到一个临界值时,栅上漏电流迅速跳变到较大数量级上,说明器件被击穿;当注入空穴通过Si—O网络时,随着注入空穴流的增加,化学键断裂的概率增加;当1个Si原子的2个Si—O键同时断裂时,将会导致Si—O网络不可恢复;Si—O键断裂导致氧化层网络结构发生改变和损伤积累,最终导致氧化层破坏性被击穿。
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关键词
衬底热空穴
阈值电压
栅氧化层
应力感应泄漏电流
MOS器件
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职称材料
题名
衬底热空穴导致的薄栅介质经时击穿的物理模型研究
1
作者
刘红侠
郝跃
机构
西安电子科技大学微电子研究所
出处
《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
2002年第7期982-986,共5页
基金
国家部级资助项目
文摘
该文定量研究了热电子和空穴注入对薄栅氧化层击穿的影响,讨论了不同应力条件下的阈值电压变化,首次提出了薄栅氧化层的经时击穿是由热电子和空穴共同作用的结果,并对上述实验现象进行了详细的理论分析,提出了薄栅氧化层经时击穿分两步。首先注入的热电子在薄栅氧化层中产生陷阱中心,然后空穴陷入陷阱导致薄栅氧击穿。
关键词
衬底热空穴
薄栅介质
物理模型
薄栅氧化层
经时击穿
Keywords
Thin gate oxide, Time Dependent Dielectric Breakdown(TDDB), Substrate Hot Holes(SHH), Model
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
衬底热空穴导致的薄栅介质经时击穿的物理模型研究1
2
作者
刘红侠
郝跃
机构
西安电子科技大学微电子研究所
出处
《电子科技》
2002年第17期36-40,共5页
文摘
该文定量研究了热电子和空穴注入对薄栅氧化层击穿的影响,讨论了不同应力条件下的阈值电压变化,首次提出了薄栅氧化层的经时击穿是由热电子和空穴共同作用的结果,并对上述实验现象进行了详细的理论分析,提出了薄栅氧化层经时击穿分两步。首先注入的热电子在薄栅氧化层中产生陷阱中心,然后空穴陷入陷阱导致薄栅氧击穿。
关键词
衬底热空穴
经时击穿
物理模型
热
电子注入
空穴
注入
薄栅氧化层
Keywords
Thingateoxide,TimeDependentDielectricBreakdown(TDDB),SubstrateHotHoles(SHH),Model
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
SHH应力下超薄栅氧PMOS器件退化研究
3
作者
胡仕刚
吴笑峰
席在芳
机构
湖南科技大学信息与电气工程学院
出处
《中南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第9期2741-2745,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(61074051)
湖南省教育厅资助项目(10C0709)
湖南科技大学博士启动基金资助项目(E51080)
文摘
对超薄栅氧PMOS器件衬底热空穴(SHH)应力下SILC(应力感应泄漏电流)特性和机理进行研究。研究结果表明:在SHH应力下,栅电流在开始阶段减小,这是正电荷在氧化层中积累的结果;随后栅电流慢慢地增加,最后,当在氧化层中积累的正电荷密度达到一个临界值时,栅上漏电流迅速跳变到较大数量级上,说明器件被击穿;当注入空穴通过Si—O网络时,随着注入空穴流的增加,化学键断裂的概率增加;当1个Si原子的2个Si—O键同时断裂时,将会导致Si—O网络不可恢复;Si—O键断裂导致氧化层网络结构发生改变和损伤积累,最终导致氧化层破坏性被击穿。
关键词
衬底热空穴
阈值电压
栅氧化层
应力感应泄漏电流
MOS器件
Keywords
substrate hot hole
threshold voltage
gate oxide
stress induced leakage current（SILC）
MOSFET
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
衬底热空穴导致的薄栅介质经时击穿的物理模型研究
刘红侠
郝跃
《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
2002
0
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职称材料
2
衬底热空穴导致的薄栅介质经时击穿的物理模型研究1
刘红侠
郝跃
《电子科技》
2002
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
SHH应力下超薄栅氧PMOS器件退化研究
胡仕刚
吴笑峰
席在芳
《中南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
0
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职称材料
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