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CMOS差分电感和串联电感对的建模与分析
被引量：
1
1
作者
潘杰
杨海钢
杨立吾
《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
2009年第5期1264-1267,共4页
该文分析了基于中芯国际0.18μmCMOS工艺的差分电感和串联电感对,提出了电感在射频CMOS差分电路中的应用原则。研究了串联电感对之间的串扰效应,并提出了能准确反映互感效应、衬底容性损耗效应以及线圈间容性耦合的完整串扰模型。最后,...
该文分析了基于中芯国际0.18μmCMOS工艺的差分电感和串联电感对,提出了电感在射频CMOS差分电路中的应用原则。研究了串联电感对之间的串扰效应,并提出了能准确反映互感效应、衬底容性损耗效应以及线圈间容性耦合的完整串扰模型。最后,通过对一组变间距的电感对进行测量分析,验证了该模型的准确性和适用性。
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关键词
CMOS
差分电感
串联电感对
串扰
互感
衬底容性损耗
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职称材料
题名
CMOS差分电感和串联电感对的建模与分析
被引量：
1
1
作者
潘杰
杨海钢
杨立吾
机构
中国科学院电子学研究所
中国科学院研究生院
中芯国际集成电路制造有限公司射频应用和设计支持部
出处
《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
2009年第5期1264-1267,共4页
文摘
该文分析了基于中芯国际0.18μmCMOS工艺的差分电感和串联电感对,提出了电感在射频CMOS差分电路中的应用原则。研究了串联电感对之间的串扰效应,并提出了能准确反映互感效应、衬底容性损耗效应以及线圈间容性耦合的完整串扰模型。最后,通过对一组变间距的电感对进行测量分析,验证了该模型的准确性和适用性。
关键词
CMOS
差分电感
串联电感对
串扰
互感
衬底容性损耗
Keywords
CMOS
Differential inductor
Series-connected inductors
Crosstalk
Mutual inductance
Substrate capacitive loss
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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作者
出处
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被引量
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1
CMOS差分电感和串联电感对的建模与分析
潘杰
杨海钢
杨立吾
《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
2009
1
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