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40Gb/s 0.18μm CMOS甚短距离并行光接收前端放大器
被引量：
1
1
作者
李智群
薛兆丰
+3 位作者
王志功
冯军
章丽
李伟
《高技术通讯》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第6期591-594,共4页
研制成功一种应用于甚短距离（VSR）光传输系统的40Gb/s并行光接收前端放大器芯片。该电路采用12路并行信道结构和0.18μm CMOS工艺,单信道传输速率达到了3.318Gb/s。电路设计采用了RGC结构和噪声优化技术,克服了CMOS光检测器大寄生电...
研制成功一种应用于甚短距离（VSR）光传输系统的40Gb/s并行光接收前端放大器芯片。该电路采用12路并行信道结构和0.18μm CMOS工艺,单信道传输速率达到了3.318Gb/s。电路设计采用了RGC结构和噪声优化技术,克服了CMOS光检测器大寄生电容造成的带宽不够的问题。提出了一种同时采用P＋保护环（PGR）、N＋保护环（NGR）和深N阱（DNW）的并行放大器隔离结构,有效地抑制了并行放大器之间的串扰,减小了放大器之间的衬底耦合噪声。测试表明,所有信道在3.318Gb/s数据速率、2mVpp输入和2pF的寄生电容下均得到了清晰的眼图。芯片采用1.8V电源供电,单路前端放大器的功耗为85mW,12路总功耗约为1W。
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关键词
并行光接收
前端放大器
RGC结构
衬底噪声耦合
放大器隔离
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职称材料
题名
40Gb/s 0.18μm CMOS甚短距离并行光接收前端放大器
被引量：
1
1
作者
李智群
薛兆丰
王志功
冯军
章丽
李伟
机构
东南大学射频与光电集成电路研究所
出处
《高技术通讯》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第6期591-594,共4页
基金
863计划（2003AA312040）资助项目.
文摘
研制成功一种应用于甚短距离（VSR）光传输系统的40Gb/s并行光接收前端放大器芯片。该电路采用12路并行信道结构和0.18μm CMOS工艺,单信道传输速率达到了3.318Gb/s。电路设计采用了RGC结构和噪声优化技术,克服了CMOS光检测器大寄生电容造成的带宽不够的问题。提出了一种同时采用P＋保护环（PGR）、N＋保护环（NGR）和深N阱（DNW）的并行放大器隔离结构,有效地抑制了并行放大器之间的串扰,减小了放大器之间的衬底耦合噪声。测试表明,所有信道在3.318Gb/s数据速率、2mVpp输入和2pF的寄生电容下均得到了清晰的眼图。芯片采用1.8V电源供电,单路前端放大器的功耗为85mW,12路总功耗约为1W。
关键词
并行光接收
前端放大器
RGC结构
衬底噪声耦合
放大器隔离
Keywords
parallel optical receiver, front-end amplifier, regulated-cascede （RGC）, substrate noise coupling, isolation of amplifier
分类号
TN929.11 [电子电信—通信与信息系统]
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作者
出处
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被引量
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1
40Gb/s 0.18μm CMOS甚短距离并行光接收前端放大器
李智群
薛兆丰
王志功
冯军
章丽
李伟
《高技术通讯》
CAS
CSCD
北大核心
2007
1
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