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半导体集成电路用表面钝化膜的研究 被引量:3
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作者 刘学建 张俊计 +2 位作者 孙兴伟 蒲锡鹏 黄莉萍 《陶瓷学报》 CAS 2002年第2期112-115,共4页
对于高性能高可靠性集成电路来说 ,表面钝化已成为不可缺少的工艺措施之一。本文分析了目前应用最广泛的几种无机表面钝化膜 (SiO2 、Al2 O3 和Si3 N4)的特点 ,并指出氮化硅薄膜是半导体集成电路中最具应用前景的表面钝化材料 ,发展低... 对于高性能高可靠性集成电路来说 ,表面钝化已成为不可缺少的工艺措施之一。本文分析了目前应用最广泛的几种无机表面钝化膜 (SiO2 、Al2 O3 和Si3 N4)的特点 ,并指出氮化硅薄膜是半导体集成电路中最具应用前景的表面钝化材料 ,发展低温的热化学气相沉积 (CVD)工艺来沉积氮化硅表面钝化膜是集成电路发展的必然趋势 ,而开发新的能满足低温沉积氮化硅薄膜的硅源、氮源前驱体是解决这一难题的有效方法 ,并对这些前驱体物质的设计原则进行了阐述。 展开更多
关键词 半导体集成电路 表面钝化膜 研究 CVD 有机前驱体 陶瓷薄
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不锈钢的钝性和表面钝化膜工艺 被引量:2
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作者 周金保 《仪表材料》 CSCD 1990年第6期371-379,370,共9页
不锈钢的耐蚀性取决于表面形成钝态和钝态的稳定程度,表面处理钝化工艺有助于建立这种钝态。本文根据金属钝性的电化学本质,分析不锈钢材料的可钝化性;并按溶液类型,对不锈钢的各种钝化工艺进行讨论。
关键词 不锈钢 表面钝化膜
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硫酸环境电解对热等静压钛合金性能的影响
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作者 张林嘉 张海洋 +2 位作者 刘凤娟 温辉 兰江 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 2022年第1期71-75,共5页
酸环境电解去除包套是热等静压成形复杂钛合金构件的关键工序之一。针对目前酸环境电解对热等静压钛合金性能影响研究较少的现状,研究在40℃的硫酸溶液中,不同电解时间对热等静压TA15钛合金表面钝化膜、氢含量和力学性能的影响。结果表... 酸环境电解去除包套是热等静压成形复杂钛合金构件的关键工序之一。针对目前酸环境电解对热等静压钛合金性能影响研究较少的现状,研究在40℃的硫酸溶液中,不同电解时间对热等静压TA15钛合金表面钝化膜、氢含量和力学性能的影响。结果表明:电解时间分别为15、30、45、60 d时,热等静压TA15钛合金表面钝化膜厚度逐渐增加,到60 d时钝化膜厚度达到了175.3μm;氢含量在15 d时增幅非常小,平均值低于2×10^(-5),30 d后则显著增加,到60 d时平均氢含量达到5.4×10^(-4);热等静压TA15材料屈服和抗拉强度随着电解时间的延长逐渐降低,塑性变化不大。硫酸环境电解直接影响热等静压钛合金材料的表面质量和力学性能,后续需强化工艺控制。 展开更多
关键词 酸环境 电解 热等静压 钛合金 表面钝化膜 氢含量 力学性能
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名词解释
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《制造技术与机床》 北大核心 2013年第5期109-109,共1页
去钝化由于金属表面钝化膜的除去或破坏而引起腐蚀速度的增加。 应力腐蚀界限强度因子在平面应变条件下导致应力腐蚀裂纹萌生的临界应力强度因子值。 免蚀态当某金属的电位足够负,由于它在溶液中的平衡离子活度低于某一临界值时,而... 去钝化由于金属表面钝化膜的除去或破坏而引起腐蚀速度的增加。 应力腐蚀界限强度因子在平面应变条件下导致应力腐蚀裂纹萌生的临界应力强度因子值。 免蚀态当某金属的电位足够负,由于它在溶液中的平衡离子活度低于某一临界值时,而使腐蚀效应消失或者可以忽略不计时腐蚀体系的状态。 展开更多
关键词 名词解释 临界应力强度因子 表面钝化膜 应力腐蚀 腐蚀速度 裂纹萌生 平面应变 离子活度
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Ionization behavior of deep level donors in passive film formed on surface of stainless steel in 5% salt solution
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作者 王超 盛敏奇 +2 位作者 钟庆东 周国治 鲁雄刚 《Journal of Central South University》 SCIE EI CAS 2010年第2期295-299,共5页
Deep level donor's ionization behavior of passive film formed on the surface of stainless steel was investigated by Mott-Schottky plots. It is indicated that transformation process of deep level donors' ionization b... Deep level donor's ionization behavior of passive film formed on the surface of stainless steel was investigated by Mott-Schottky plots. It is indicated that transformation process of deep level donors' ionization behavior of passive film on surface of stainless steel can be divided into 4 stages with rising immersion time. At the initial immersion stage (10 min), Fe(II) located in the octahedral sites of the unit cell is not ionized and the deep level does not appear in Mott-Schottky plots. At the second stage (9-38 h), Fe(II) located in the octahedral sites starts to be ionized, which results in deep level donors' generation and density of deep level donors almost is constant with augmenting immersion time but the thickness of space charge layer is more and more thicker with rising immersion time. At the third stage (48 h-12 d), density of deep level donors rises with increasing immersion time and the thickness of passive films space charge layer decreases. At last stage (above 23 d), both the space charge layer's thickness and density of deep level donors are no longer changed with increasing immersion time. In the overall immersion stage, the shallow level donors' density is invariable all the time. The mechanism of deep level donor's ionization can be the generation of metal vacancies, which results in crystal lattice's aberration and the aberration energy urges the ionization of Fe( II ) in octahedral sites. 展开更多
关键词 stainless steel deep level donor Mott-Schottky plots donor density space charge layer aberration energy
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