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提高功率开关晶体管高温反偏能力的研究
1
作者
林洁馨
杨发顺
+1 位作者
马奎
龚红
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第2期133-136,共4页
影响大功率开关晶体管高温反偏能力的主要因素是表面沾污。从大功率开关晶体管表面沾污的主要来源、杂质类型上分析了半导体功率器件高温反偏的失效机理。为了改善高温反偏条件下功率晶体管的性能,结合实验室现有的条件,从SiO2的生长工...
影响大功率开关晶体管高温反偏能力的主要因素是表面沾污。从大功率开关晶体管表面沾污的主要来源、杂质类型上分析了半导体功率器件高温反偏的失效机理。为了改善高温反偏条件下功率晶体管的性能,结合实验室现有的条件,从SiO2的生长工艺和芯片表面钝化技术这两个方面出发,找到了有效的工艺路线。采用C2HCl3掺Cl氧化工艺和聚酰亚胺表面钝化工艺,有效地减轻和消除了芯片制造过程中的表面沾污,提高了产品的质量和在高温环境下的可靠性。
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关键词
高温反偏
掺氯氧
化
聚酰亚胺
表面钝化技术
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职称材料
题名
提高功率开关晶体管高温反偏能力的研究
1
作者
林洁馨
杨发顺
马奎
龚红
机构
贵州大学电子科学系
贵州省微纳电子技术重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第2期133-136,共4页
基金
贵州省重点实验室项目(Z字[2007]4003)
文摘
影响大功率开关晶体管高温反偏能力的主要因素是表面沾污。从大功率开关晶体管表面沾污的主要来源、杂质类型上分析了半导体功率器件高温反偏的失效机理。为了改善高温反偏条件下功率晶体管的性能,结合实验室现有的条件,从SiO2的生长工艺和芯片表面钝化技术这两个方面出发,找到了有效的工艺路线。采用C2HCl3掺Cl氧化工艺和聚酰亚胺表面钝化工艺,有效地减轻和消除了芯片制造过程中的表面沾污,提高了产品的质量和在高温环境下的可靠性。
关键词
高温反偏
掺氯氧
化
聚酰亚胺
表面钝化技术
Keywords
high temperature reverse bias
oxidation with Cl
polyimide
surface passivation technology
分类号
TN431 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
提高功率开关晶体管高温反偏能力的研究
林洁馨
杨发顺
马奎
龚红
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010
0
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