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Ga_(2)O_(3)器件表面钝化技术研究进展
1
作者
张弘鹏
贾仁需
+3 位作者
陈铖颖
元磊
张宏怡
彭博
《半导体技术》
北大核心
2023年第12期1062-1070,共9页
氧化镓(Ga_(2)O_(3))具有超宽禁带、高理论击穿电场强度、高Baliga优值(BFOM)等优异特性,是制备高压大功率器件的理想半导体材料之一。但是,实现良好的器件表面钝化,尤其是改善绝缘介质/Ga_(2)O_(3)的界面特性仍然是Ga_(2)O_(3)器件研...
氧化镓(Ga_(2)O_(3))具有超宽禁带、高理论击穿电场强度、高Baliga优值(BFOM)等优异特性,是制备高压大功率器件的理想半导体材料之一。但是,实现良好的器件表面钝化,尤其是改善绝缘介质/Ga_(2)O_(3)的界面特性仍然是Ga_(2)O_(3)器件研究中亟需解决的关键技术难题。首先,对Ga_(2)O_(3)金属-氧化物-半导体(MOS)器件表面钝化、高k介质能带工程的研究进展进行分析、对比;然后,对适用于Ga_(2)O_(3)器件(晶体管、二极管)表面钝化技术的重要研究进展进行了综述,包括表面边缘终端设计、复合钝化工艺、钙钛矿型氧化物钝化等;最后,对Ga_(2)O_(3)器件表面钝化的研究方向进行了展望。
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关键词
表面
钝化
氧化镓(Ga_(2)O_(3))
能带工程
表面边缘终端
高k介质
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职称材料
题名
Ga_(2)O_(3)器件表面钝化技术研究进展
1
作者
张弘鹏
贾仁需
陈铖颖
元磊
张宏怡
彭博
机构
厦门理工学院光电与通信工程学院
西安电子科技大学微电子学院
出处
《半导体技术》
北大核心
2023年第12期1062-1070,共9页
基金
国家自然科学基金资助项目(U21A20501)
福建省自然科学基金引导性项目(2023H0052)
+3 种基金
福建省中青年教师教育科研项目(JAT220341)
厦门市自然科学基金资助项目(3502Z20227070)
厦门市重大科技项目(3502Z20221022)
厦门理工学院高层次人才科研项目(YKJ22049R)。
文摘
氧化镓(Ga_(2)O_(3))具有超宽禁带、高理论击穿电场强度、高Baliga优值(BFOM)等优异特性,是制备高压大功率器件的理想半导体材料之一。但是,实现良好的器件表面钝化,尤其是改善绝缘介质/Ga_(2)O_(3)的界面特性仍然是Ga_(2)O_(3)器件研究中亟需解决的关键技术难题。首先,对Ga_(2)O_(3)金属-氧化物-半导体(MOS)器件表面钝化、高k介质能带工程的研究进展进行分析、对比;然后,对适用于Ga_(2)O_(3)器件(晶体管、二极管)表面钝化技术的重要研究进展进行了综述,包括表面边缘终端设计、复合钝化工艺、钙钛矿型氧化物钝化等;最后,对Ga_(2)O_(3)器件表面钝化的研究方向进行了展望。
关键词
表面
钝化
氧化镓(Ga_(2)O_(3))
能带工程
表面边缘终端
高k介质
Keywords
surface passivation
gallium oxide(Ga_(2)O_(3))
energy band engineering
surface edge termination
high-k dielectric EEACC:2520E
2550
分类号
TN304.21 [电子电信—物理电子学]
TN305 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
Ga_(2)O_(3)器件表面钝化技术研究进展
张弘鹏
贾仁需
陈铖颖
元磊
张宏怡
彭博
《半导体技术》
北大核心
2023
0
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