期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
应用Mg离子注入获得高表面空穴载流子浓度P-型GaN(英文)
1
作者
龙涛
杨志坚
张国义
《北京大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第5期701-704,共4页
应用Mg离子注入MOCVD法生长掺杂Mg的GaN中 ,在经过 80 0℃ ,1h的退火后 ,获得高空穴载流子浓度 (8 2 8× 10 17cm-3 )的P 型GaN。
关键词
MOCVD
离子注入
表面空穴载流子浓度
镁掺杂
P-型CaN
半导体
氮化钙
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
应用Mg离子注入获得高表面空穴载流子浓度P-型GaN(英文)
1
作者
龙涛
杨志坚
张国义
机构
北京大学物理学系
出处
《北京大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第5期701-704,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目 (6 97896 0 1
6 9876 0 0 2 )
文摘
应用Mg离子注入MOCVD法生长掺杂Mg的GaN中 ,在经过 80 0℃ ,1h的退火后 ,获得高空穴载流子浓度 (8 2 8× 10 17cm-3 )的P 型GaN。
关键词
MOCVD
离子注入
表面空穴载流子浓度
镁掺杂
P-型CaN
半导体
氮化钙
Keywords
MOCVD
ion implantation
Mg\|doped GaN
分类号
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
应用Mg离子注入获得高表面空穴载流子浓度P-型GaN(英文)
龙涛
杨志坚
张国义
《北京大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2001
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
