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氧化铝表面短程、非双电层斥力研究
被引量：
1
1
作者
孙静
高濂
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第6期1209-1214,共6页
利用原子力显微镜研究了MgCl2介质中氧化铝表面相互作用力随距离的变化.发现当MgCl2介质浓度为10-4mol/L,pH分别为3.96和7.92时,在两表面距离<10nm处存在一 短程非双电层排斥力.pH进一步提高到9.5,MgCl2介质浓度在10-4～10-2mol/L时...
利用原子力显微镜研究了MgCl2介质中氧化铝表面相互作用力随距离的变化.发现当MgCl2介质浓度为10-4mol/L,pH分别为3.96和7.92时,在两表面距离<10nm处存在一 短程非双电层排斥力.pH进一步提高到9.5,MgCl2介质浓度在10-4～10-2mol/L时,也存在短程排斥作用.它阻止了两表面由于范德华力产生的吸引.在较低和中等pH条件下,短程斥力来源于水合镁离子在氧化铝表面的特性吸附;在较高pH条件下,镁离子以各种氢氧化物形式吸附在氧化铝表面产生短程排斥力.随pH的升高,这种吸附层变得致密而失去弹性.
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关键词
非双电层斥
力
氧化铝
氯化镁
短程斥
力
原子
力
显微镜
表面相互作用力
DLVO理论
陶瓷
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职称材料
题名
氧化铝表面短程、非双电层斥力研究
被引量：
1
1
作者
孙静
高濂
机构
中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第6期1209-1214,共6页
文摘
利用原子力显微镜研究了MgCl2介质中氧化铝表面相互作用力随距离的变化.发现当MgCl2介质浓度为10-4mol/L,pH分别为3.96和7.92时,在两表面距离<10nm处存在一 短程非双电层排斥力.pH进一步提高到9.5,MgCl2介质浓度在10-4～10-2mol/L时,也存在短程排斥作用.它阻止了两表面由于范德华力产生的吸引.在较低和中等pH条件下,短程斥力来源于水合镁离子在氧化铝表面的特性吸附;在较高pH条件下,镁离子以各种氢氧化物形式吸附在氧化铝表面产生短程排斥力.随pH的升高,这种吸附层变得致密而失去弹性.
关键词
非双电层斥
力
氧化铝
氯化镁
短程斥
力
原子
力
显微镜
表面相互作用力
DLVO理论
陶瓷
Keywords
alpha-Al2O3
magnesium chloride
short-ranged repulsive force
atomic force microscope
分类号
O641.3 [理学—物理化学]
TQ174 [化学工程—陶瓷工业]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
氧化铝表面短程、非双电层斥力研究
孙静
高濂
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
1
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