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STM研究Si(111)7×7表面畴界结构
1
作者
刘宁
杨海强
+4 位作者
古乾军
马自力
高鸿钧
薛增泉
庞世瑾
《电子显微学报》
CAS
CSCD
1997年第6期757-759,共3页
根据对Ｓｉ（１１１）表面各种不同畴界的研究，我们发现并提出了在畴界形成过程中决定这些畴界结构的三个重要因素：二聚体（ｄｉｍｅｒ）和顶戴原子（ａｄａｔｏｍ，亦称吸附原子）之间的相互作用；７×７单胞中层错半单元（ｆａ...
根据对Ｓｉ（１１１）表面各种不同畴界的研究，我们发现并提出了在畴界形成过程中决定这些畴界结构的三个重要因素：二聚体（ｄｉｍｅｒ）和顶戴原子（ａｄａｔｏｍ，亦称吸附原子）之间的相互作用；７×７单胞中层错半单元（ｆａｕｌｔｅｄｈａｌｆ）和非层错半单元（ｕｎｆａｕｌｔｅｄｈａｌｆ）的差异；亚稳态的（２ｎ＋１）×（２ｎ＋１）结构的影响。
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关键词
扫描隧道显微镜
原子操纵
硅
表面畴界结构
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职称材料
题名
STM研究Si(111)7×7表面畴界结构
1
作者
刘宁
杨海强
古乾军
马自力
高鸿钧
薛增泉
庞世瑾
机构
中国科学院北京真空物理实验室
出处
《电子显微学报》
CAS
CSCD
1997年第6期757-759,共3页
文摘
根据对Ｓｉ（１１１）表面各种不同畴界的研究，我们发现并提出了在畴界形成过程中决定这些畴界结构的三个重要因素：二聚体（ｄｉｍｅｒ）和顶戴原子（ａｄａｔｏｍ，亦称吸附原子）之间的相互作用；７×７单胞中层错半单元（ｆａｕｌｔｅｄｈａｌｆ）和非层错半单元（ｕｎｆａｕｌｔｅｄｈａｌｆ）的差异；亚稳态的（２ｎ＋１）×（２ｎ＋１）结构的影响。
关键词
扫描隧道显微镜
原子操纵
硅
表面畴界结构
Keywords
scanning tunneling microscope,,atomic manipulation,,Si(111)7×7 reconstruction
分类号
O613.72 [理学—无机化学]
TH－39 [机械工程]
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题名
作者
出处
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被引量
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1
STM研究Si(111)7×7表面畴界结构
刘宁
杨海强
古乾军
马自力
高鸿钧
薛增泉
庞世瑾
《电子显微学报》
CAS
CSCD
1997
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