为了精确测量材料在不同入射电子能量和入射电子角度下的二次电子产额(secondary electron yield,SEY)以及二次电子能谱,研制了收集极为球形结构的SEY测量装置。首先介绍了装置的构成、测量原理及中和方法,并对测得的信号波形进行了分...为了精确测量材料在不同入射电子能量和入射电子角度下的二次电子产额(secondary electron yield,SEY)以及二次电子能谱,研制了收集极为球形结构的SEY测量装置。首先介绍了装置的构成、测量原理及中和方法,并对测得的信号波形进行了分析。随后,测量了Cu材料和Al_(2)O_(3)薄膜材料的SEY值和二次电子能谱。结果表明:不同入射电子能量下SEY值的标准偏差分别小于0.055(Cu)和0.126(Al_(2)O_(3));不同入射电子角度下SEY值与理论模型符合的很好,拟合R^(2)值为0.99864(Cu);出射的二次电子能量绝大部分集中在10 eV(Cu)和20 eV(Al_(2)O_(3))以下,符合相关理论预期。展开更多
文摘为了精确测量材料在不同入射电子能量和入射电子角度下的二次电子产额(secondary electron yield,SEY)以及二次电子能谱,研制了收集极为球形结构的SEY测量装置。首先介绍了装置的构成、测量原理及中和方法,并对测得的信号波形进行了分析。随后,测量了Cu材料和Al_(2)O_(3)薄膜材料的SEY值和二次电子能谱。结果表明:不同入射电子能量下SEY值的标准偏差分别小于0.055(Cu)和0.126(Al_(2)O_(3));不同入射电子角度下SEY值与理论模型符合的很好,拟合R^(2)值为0.99864(Cu);出射的二次电子能量绝大部分集中在10 eV(Cu)和20 eV(Al_(2)O_(3))以下,符合相关理论预期。
