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题名Si_3N_4/Si表面Ge生长过程的STM研究
被引量：1
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作者
汪雷
唐景昌
胡艳芳
王学森
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机构
浙江大学物理系和硅材料国家重点实验室
香港科技大学物理系
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出处
《真空科学与技术》
EI
CSCD
北大核心
2001年第2期83-86,共4页
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基金
中国自然科学基金资助项目 !(199740 3 6)
香港SAR科研资助金委员会资助项目! (HKUST612 /97P HKUST615 4/99P)
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文摘
利用STM和LEED分析了Ge在Si3 N4 /Si(111)和Si3 N4 /Si(10 0 )表面生长过程的结构演变。在生长早期 ,Ge在两种衬底表面上都形成高密度的三维纳米团簇 ,这些团簇的大小均在几个纳米范围内 ,并在高温退火时体积增大。当生长继续时 ,Ge的晶体小面开始显现。在晶态的Si3 N4 (0 0 0 1) /Si(111)表面 ,Ge的 (111)晶向的小面生长比其他方向优先。最后在大范围内形成以 (111)方向为主的晶面。相反 ,在非晶的Si3 N4 表面 ,即Si3 N4 /Si(10 0 ) ,Ge晶体的高指数侧面生长较顶面快 ,最终形成金字塔形的岛结构。
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关键词
氮化硅
锗
硅
扫描隧道显微镜
表面生长过程
气相沉积
薄膜
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Keywords
Crystals
Germanium
Nanostructured materials
Silicon nitride
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分类号
O484.1
[理学—固体物理]
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