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题名一种可用于硅刻蚀工艺模拟的三维表面演化算法
被引量：3
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作者
张鉴
戚昊琛
徐栋梁
胡智文
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机构
合肥工业大学电子科学与应用物理学院
温州大学瓯江学院
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出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第8期1869-1872,共4页
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基金
安徽省教育厅省级自然科学研究计划重点基金(No.KJ2008A105)
东南大学MEMS教育部重点实验室开放研究基金
中央高校基本科研业务费专项资金(No.2011HGQC0997)
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文摘
针对硅微加工中的刻蚀工艺模拟应用,提出了一种基于点元网格和单位法向量的三维表面演化算法.在形成的连续曲面上,以高斯积分法得到点元步进的单位法向量,实现三维表面的构建与推进.根据典型的刻蚀工艺及其物理模型,该表面演化算法能够用于硅等离子体刻蚀等与表面演化方向相关的工艺模拟.参照简单的各向同性刻蚀,利用该三维算法实现了不同视角的三维硅刻蚀工艺的模拟结果,通过与相关实验结果的对比,验证了这种新型三维表面演化算法对相关工艺描述的实用性与准确性.
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关键词
硅刻蚀
工艺模拟
三维
表面演化算法
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Keywords
silicon etching
process simulation
three-dimensional
surface evolvement algorithm
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分类号
TN30
[电子电信—物理电子学]
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题名MEMS工艺中反应离子深刻蚀硅片的数值模型研究
被引量：7
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作者
张鉴
黄庆安
李伟华
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机构
东南大学MEMS教育部重点实验室
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出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第05A期1426-1429,1433,共5页
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基金
国家杰出青年科学基金资助课题(50325519)
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文摘
反应离子深刻蚀(DRIE)是目前MEMS加工中便捷有效的主流加工工艺之一.开发较为快捷有效的工艺仿真模型与工具,对于工艺的数值预报,有着重要的作用.通过对现有表面演化算法的比较,建立了一种基于单一表面演化算法的反应离子深刻蚀模型,有效地解决了运算效率、材料区分等问题及对原表面演化算法稳定性的改善,并对深刻蚀中的淀积模型进行了改进.与实验结果较为一致的模拟结果验证了本文模型的有效性.
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关键词
反应离子深刻蚀
表面演化算法
模型
仿真
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Keywords
Deep-RIE
surface evolvement algorithm
model
simulation
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分类号
TN43
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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