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晶圆直接键合及室温键合技术研究进展
被引量：
16
1
作者
王晨曦
王特
+2 位作者
许继开
王源
田艳红
《精密成形工程》
2018年第1期67-73,共7页
晶圆直接键合技术可以使经过抛光的半导体晶圆,在不使用粘结剂的情况下结合在一起,该技术在微电子制造、微机电系统封装、多功能芯片集成以及其他新兴领域具有广泛的应用。对于一些温度敏感器件或者热膨胀系数差异较大的材料进行键合时...
晶圆直接键合技术可以使经过抛光的半导体晶圆,在不使用粘结剂的情况下结合在一起,该技术在微电子制造、微机电系统封装、多功能芯片集成以及其他新兴领域具有广泛的应用。对于一些温度敏感器件或者热膨胀系数差异较大的材料进行键合时,传统的高温键合方法已经不再适用。如何在较低退火温度甚至无需加热的室温条件下,实现牢固的键合是晶圆键合领域的一项挑战。本文以晶圆直接键合为主题,简单介绍了硅熔键合、超高真空键合、表面活化键合和等离子体活化键合的基本原理、技术特点和研究现状。除此之外,以含氟等离子体活化键合方法为例,介绍了近年来在室温键合方面的最新进展,并探讨了晶圆键合技术的未来发展趋势。
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关键词
室温
键
合
硅熔
键
合
超高真空
键
合
表面活化键合
等离子体
活化
键
合
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职称材料
“后摩尔时代”芯片互连方法简析
被引量：
2
2
作者
张墅野
初远帆
+6 位作者
李振锋
鲍俊辉
张雨杨
刘一甫
易庆鸿
崔澜馨
何鹏
《材料导报》
CSCD
北大核心
2023年第15期121-130,共10页
随着半导体制程接近工艺物理极限,半导体工业进入“后摩尔时代”,集成技术成为继续提高电子产品性能的重要途径。现存的实现高度集成的关键技术都对更小尺寸的连接提出了要求。同时随着连接尺寸的减小,封装体在连接工艺中受到的影响导...
随着半导体制程接近工艺物理极限,半导体工业进入“后摩尔时代”,集成技术成为继续提高电子产品性能的重要途径。现存的实现高度集成的关键技术都对更小尺寸的连接提出了要求。同时随着连接尺寸的减小,封装体在连接工艺中受到的影响导致器件在使用温度下失效的问题越来越严重。封装内的互连部分是芯片热传导、电气连接的重要结构,也是器件失效的重要部位,在互连接头尺寸不断减小的背景下,互连部分的失效在器件整体失效的情况中占据着越来越重要的地位,研究高导热、低工艺影响的微纳连接技术有望解决高功率密度器件的可靠性问题。本文总结了微纳连接技术在新型焊料、能量传递方式两方面的发展,简单介绍了表面活化技术并讨论其应用在电子封装中的可能性,在此基础上讨论了微纳连接技术的发展方向。
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关键词
微纳连接
表面活化键合
低温焊料
纳米焊料
电子束辐照
超声连接
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职称材料
题名
晶圆直接键合及室温键合技术研究进展
被引量：
16
1
作者
王晨曦
王特
许继开
王源
田艳红
机构
哈尔滨工业大学先进焊接与连接国家重点实验室
出处
《精密成形工程》
2018年第1期67-73,共7页
基金
国家自然科学基金(51505106)
中国博士后科学基金(2017M610207)
黑龙江省博士后基金(LBH-Z16074)
文摘
晶圆直接键合技术可以使经过抛光的半导体晶圆,在不使用粘结剂的情况下结合在一起,该技术在微电子制造、微机电系统封装、多功能芯片集成以及其他新兴领域具有广泛的应用。对于一些温度敏感器件或者热膨胀系数差异较大的材料进行键合时,传统的高温键合方法已经不再适用。如何在较低退火温度甚至无需加热的室温条件下,实现牢固的键合是晶圆键合领域的一项挑战。本文以晶圆直接键合为主题,简单介绍了硅熔键合、超高真空键合、表面活化键合和等离子体活化键合的基本原理、技术特点和研究现状。除此之外,以含氟等离子体活化键合方法为例,介绍了近年来在室温键合方面的最新进展,并探讨了晶圆键合技术的未来发展趋势。
关键词
室温
键
合
硅熔
键
合
超高真空
键
合
表面活化键合
等离子体
活化
键
合
Keywords
room-temperature bonding
fusion bonding
ultra-high vacuum bonding
surface activated bonding
plasma activated bonding
分类号
TG456.9 [金属学及工艺—焊接]
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职称材料
题名
“后摩尔时代”芯片互连方法简析
被引量：
2
2
作者
张墅野
初远帆
李振锋
鲍俊辉
张雨杨
刘一甫
易庆鸿
崔澜馨
何鹏
机构
哈尔滨工业大学先进焊接与连接国家重点实验室
中国科学院硅器件技术重点实验室
出处
《材料导报》
CSCD
北大核心
2023年第15期121-130,共10页
基金
中国科学院硅器件技术重点实验室开放基金(KLSDTJJ2022-5)
国家重点研发计划(2020YFE0205300)
+2 种基金
重庆市自然科学基金(cstc2021jcyj-msxmX1002)
中央高校基本科研业务费专项资金(AUGA5710051221)
黑龙江省自然科学基金(YQ2022E024)。
文摘
随着半导体制程接近工艺物理极限,半导体工业进入“后摩尔时代”,集成技术成为继续提高电子产品性能的重要途径。现存的实现高度集成的关键技术都对更小尺寸的连接提出了要求。同时随着连接尺寸的减小,封装体在连接工艺中受到的影响导致器件在使用温度下失效的问题越来越严重。封装内的互连部分是芯片热传导、电气连接的重要结构,也是器件失效的重要部位,在互连接头尺寸不断减小的背景下,互连部分的失效在器件整体失效的情况中占据着越来越重要的地位,研究高导热、低工艺影响的微纳连接技术有望解决高功率密度器件的可靠性问题。本文总结了微纳连接技术在新型焊料、能量传递方式两方面的发展,简单介绍了表面活化技术并讨论其应用在电子封装中的可能性,在此基础上讨论了微纳连接技术的发展方向。
关键词
微纳连接
表面活化键合
低温焊料
纳米焊料
电子束辐照
超声连接
Keywords
micro nano connection
surface actived bonding
low temperature solder
nano solder
electron beam irradiation
ultrasonic connection
分类号
TG4 [金属学及工艺—焊接]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
晶圆直接键合及室温键合技术研究进展
王晨曦
王特
许继开
王源
田艳红
《精密成形工程》
2018
16
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职称材料
2
“后摩尔时代”芯片互连方法简析
张墅野
初远帆
李振锋
鲍俊辉
张雨杨
刘一甫
易庆鸿
崔澜馨
何鹏
《材料导报》
CSCD
北大核心
2023
2
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