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LDD MOSFET表面横向电场模型及其应用
1
作者
陈晓
阮刚
章倩苓
《应用科学学报》
CAS
CSCD
1990年第2期117-121,共5页
本文提出了一种计算LDD(Light-Doped Drain)MOSFET表面横向电场的解析模型.该模型含LDD MOSFET几何和掺杂参数,可用以计算具有不同长度、结深及掺杂的轻掺杂漏区的LDD MOSFET表面横向电场,并可计算常规MOSFET和缓交漏MOSFET的表面横向电...
本文提出了一种计算LDD(Light-Doped Drain)MOSFET表面横向电场的解析模型.该模型含LDD MOSFET几何和掺杂参数,可用以计算具有不同长度、结深及掺杂的轻掺杂漏区的LDD MOSFET表面横向电场,并可计算常规MOSFET和缓交漏MOSFET的表面横向电场.用该模型算得结果与用FD-MINIMOS进行数值计算得到的结果相符.基于该模型算得的电场结果,可计算衬底电流,并进而计算击穿电压.该模型可十分简便地确定LDDMOSFET的最佳几何参数的掺杂参数,为LDD MOSFET的设计提供便利的工具和快速的参数提取方法.
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关键词
MOSFET
表面横向电场
模型
LDD
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职称材料
题名
LDD MOSFET表面横向电场模型及其应用
1
作者
陈晓
阮刚
章倩苓
机构
复旦大学
出处
《应用科学学报》
CAS
CSCD
1990年第2期117-121,共5页
基金
国家自然科学基金资助课题
文摘
本文提出了一种计算LDD(Light-Doped Drain)MOSFET表面横向电场的解析模型.该模型含LDD MOSFET几何和掺杂参数,可用以计算具有不同长度、结深及掺杂的轻掺杂漏区的LDD MOSFET表面横向电场,并可计算常规MOSFET和缓交漏MOSFET的表面横向电场.用该模型算得结果与用FD-MINIMOS进行数值计算得到的结果相符.基于该模型算得的电场结果,可计算衬底电流,并进而计算击穿电压.该模型可十分简便地确定LDDMOSFET的最佳几何参数的掺杂参数,为LDD MOSFET的设计提供便利的工具和快速的参数提取方法.
关键词
MOSFET
表面横向电场
模型
LDD
分类号
TN386.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
LDD MOSFET表面横向电场模型及其应用
陈晓
阮刚
章倩苓
《应用科学学报》
CAS
CSCD
1990
0
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