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Yb掺杂(Ba,Sr)TiO_3系PTCR材料的研究Ⅰ.表面受主态密度的计算
1
作者 张中太 张枫 米庆 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期627-628,共2页
在Ｈｅｙｗａｎｇ 模型的基础上，采用了一种计算ＰＴＣＲ材料表面受主态密度的新方法。通过ｌｎ ρ－ １／ εａｐｐ Ｔ 曲线可以算得材料的表面受主态密度。具体计算了Ｙｂ 掺杂（ Ｂａ ，Ｓｒ）ＴｉＯ３材料的表面受主态密度。
关键词 表面受主态密度 PTCR 掺杂
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Sb吸附在GaAs(110)(1×1)-Sb(1ML)表面上的电子态特性 被引量：1
2
作者 贾瑜 马丙现 +2 位作者 顾华伟 魏英耐 范希庆 《郑州大学学报（自然科学版）》 CAS 1999年第1期38-43,共6页
采用紧束缚的ｓｐ３ｓ模型描述体电子态，用散射理论的格林函数方法研究了Ｓｂ吸附在ＧａＡｓ（１１０）表面上的电子特性．计算结果表明：在－１２ｅＶ—＋２ｅＶ的能区内有９个表面态存在，对于这样的金属／半导体系统仍有带隙存在... 采用紧束缚的ｓｐ３ｓ模型描述体电子态，用散射理论的格林函数方法研究了Ｓｂ吸附在ＧａＡｓ（１１０）表面上的电子特性．计算结果表明：在－１２ｅＶ—＋２ｅＶ的能区内有９个表面态存在，对于这样的金属／半导体系统仍有带隙存在，其带隙宽度为０．４ｅＶ左右；体系的性质表现为半导体的性质。 展开更多
关键词 吸附 表面态密度 电子套 锑 砷化镓 半导体
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BaTiO_3多晶陶瓷表面态研究
3
作者 曹明贺 周东祥 龚树萍 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期341-342,352,共3页
文中系统地对BaTiO3陶瓷的表面态进行综述 ,认为表面态确实是PTC效应产生的根源所在 ,同时对表面态的组成(主要对表面态中金属阳离子空位 ,氧空位 )、微量 3d元素对表面受主态的显著影响以及表面态密度的定量计算三方面进行分析 ,认为... 文中系统地对BaTiO3陶瓷的表面态进行综述 ,认为表面态确实是PTC效应产生的根源所在 ,同时对表面态的组成(主要对表面态中金属阳离子空位 ,氧空位 )、微量 3d元素对表面受主态的显著影响以及表面态密度的定量计算三方面进行分析 ,认为表面态研究的难点在于其组成的复杂性 ,认为用电介质理论定量计算表面态密度存在粗略性问题 ,同时对表面态的研究前景进行展望。 展开更多
关键词 3d元素 表面态组成 表面态密度 钛酸钡陶瓷
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MgF_2表面结构稳定性及电子特性的密度泛函理论研究 被引量：6
4
作者 张莉莉 韩培德 +3 位作者 张彩丽 董明慧 杨艳青 古向阳 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第7期1609-1614,共6页
用密度泛函理论(DFT)研究了MgF_2(010)、MgF_2(001)、MgF_2(011)及MgF_2(110)四种表面10种构型的稳定性和电子特性.结果表明:四种表面的邻近表面几层原子均出现了明显的驰豫现象,终止于单层F原子的表面相对稳定;进一步对比分析四种表面... 用密度泛函理论(DFT)研究了MgF_2(010)、MgF_2(001)、MgF_2(011)及MgF_2(110)四种表面10种构型的稳定性和电子特性.结果表明:四种表面的邻近表面几层原子均出现了明显的驰豫现象,终止于单层F原子的表面相对稳定;进一步对比分析四种表面(终止于单层F原子的稳定构型)的表面能发现,稳定性依次减弱排列为MgF_2(110)、MgF_2(011)、MgF_2(010)、MgF_2(001);最稳定的MgF_2(110)表面的态密度显示在费米能级以下较多的成键电子处于低能级区,同时由于表面的影响,导致表面F原子电荷聚集显负电性,促使表面活性增加. 展开更多
关键词 氟化镁:密度泛函理论:表面能:稳定性:态密度
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反常弛豫的CuCl(110)表面电子态研究
5
作者 徐小树 姚乾凯 +2 位作者 魏英耐 贾瑜 胡行 《郑州大学学报（自然科学版）》 CAS 2000年第4期37-42,共6页
采用考虑 d电子相互作用的 spd紧束缚模型描述具有闪矿结构的半导体 Cu Cl的体能带 ,用形势散射理论方法计算了弛豫的 Cu Cl(110 )表面电子结构 ,给出了表面投影能带结构和表面波矢分辨的层态密度 .计算结果表明 :表面弛豫主要是表面层 ... 采用考虑 d电子相互作用的 spd紧束缚模型描述具有闪矿结构的半导体 Cu Cl的体能带 ,用形势散射理论方法计算了弛豫的 Cu Cl(110 )表面电子结构 ,给出了表面投影能带结构和表面波矢分辨的层态密度 .计算结果表明 :表面弛豫主要是表面层 p- p和 p- 展开更多
关键词 紧束缚模型 散射理论 弛豫 投影能带结构 态密度(110)表面
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Au吸附在GaAs(110)表面的研究
6
作者 邱善勤 汪洁英 马本堃 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1992年第1期31-36,共6页
研究了Au吸附在GaAs(110)表面的吸附构型,并计算了表面态密度和表面能带结构.计算结果表明,可以认定Au与Ga的悬挂键杂化成键,从而引起2条附加的能带,一条位于禁带之中,距价带顶为0.9ev;另一条与价带共振,离价带顶为0.7ev,所得结果与实... 研究了Au吸附在GaAs(110)表面的吸附构型,并计算了表面态密度和表面能带结构.计算结果表明,可以认定Au与Ga的悬挂键杂化成键,从而引起2条附加的能带,一条位于禁带之中,距价带顶为0.9ev;另一条与价带共振,离价带顶为0.7ev,所得结果与实验结果相一致. 展开更多
关键词 化学吸附 金 砷化镓 表面态密度
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AlN(10-10)表面结构的第一性原理计算 被引量：1
7
作者 贾伟 王进 +4 位作者 韩培德 党随虎 迟美 刘旭光 许并社 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期149-151,161,共4页
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算了六方AlN及其(10-10)表面的原子及电子结构。其中计算出的六方AlN晶体中的晶格常数和体弹性模量与实验值很符合。用平板超原胞模型模拟计算AlN(10-10)表面的原子及电子结构,结果表明:AlN(10-... 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算了六方AlN及其(10-10)表面的原子及电子结构。其中计算出的六方AlN晶体中的晶格常数和体弹性模量与实验值很符合。用平板超原胞模型模拟计算AlN(10-10)表面的原子及电子结构,结果表明:AlN(10-10)表面弛豫后,表面顶层原子之间的键长收缩并发生扭转。表面原子均向体内移动,原子轨道重新杂化,N原子趋向于p3构型,Al原子趋向于sp2构型。 展开更多
关键词 AlN密度泛函理论表面态能带结构态密度
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多元施主掺杂对直流ZnO压敏陶瓷结构与电气性能的影响 被引量：5
8
作者 程宽 赵洪峰 周远翔 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第8期153-159,共7页
采用传统的陶瓷烧结工艺制备B_(2)O_(3),In_(2)O_(3),Al_(2)O_(3)多元施主掺杂的直流ZnO压敏陶瓷样品,考察不同掺杂比(0.1%~0.4%,摩尔分数)的B_(2)O_(3)对直流ZnO压敏陶瓷样品微观结构和电气性能的影响。利用X射线衍射仪、扫描电子显微... 采用传统的陶瓷烧结工艺制备B_(2)O_(3),In_(2)O_(3),Al_(2)O_(3)多元施主掺杂的直流ZnO压敏陶瓷样品,考察不同掺杂比(0.1%~0.4%,摩尔分数)的B_(2)O_(3)对直流ZnO压敏陶瓷样品微观结构和电气性能的影响。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、能量色散X射线光谱及数字源表等分别对样品的物相、微观形貌、成分及电性能进行表征。结果表明,多元施主掺杂剂(Al_(2)O_(3),In_(2)O_(3)和B_(2)O_(3))的共掺杂明显改善直流ZnO压敏陶瓷的综合性能,其中,Al_(3)+提高样品的电导率,降低样品的残压比;In^(3+)通过钉扎效应限制晶粒的生长,改善样品的电压梯度;B^(3+)的掺杂增加样品的表面态密度,提高势垒高度并有效抑制泄漏电流的增加。B_(2)O_(3)掺杂量为0.3%时,样品的综合性能最优:电压梯度为486 V/mm,泄漏电流密度为0.58μA/cm^(2),非线性系数为85,残压比为1.55。 展开更多
关键词 表面态密度 晶粒 电导率 残压比
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基于Voronoi网格研究ZnO压敏电阻微观参数对其电气性能的影响 被引量：1
9
作者 程宽 赵洪峰 《广东电力》 2023年第1期102-113,共12页
ZnO压敏电阻是由大量ZnO晶粒和晶界组成的多晶半导体器件,其内部ZnO晶粒微观结构的几何形状和拓扑结构以及晶界的性能和电气特性分布对ZnO压敏电阻的宏观电气特性的影响非常明显。因此,基于Voronoi网格建立ZnO压敏电阻的微观结构模型和... ZnO压敏电阻是由大量ZnO晶粒和晶界组成的多晶半导体器件,其内部ZnO晶粒微观结构的几何形状和拓扑结构以及晶界的性能和电气特性分布对ZnO压敏电阻的宏观电气特性的影响非常明显。因此,基于Voronoi网格建立ZnO压敏电阻的微观结构模型和晶界电路模型,研究微观参数的变化对其宏观电气性能的影响。仿真结果表明:通过减小平均晶粒尺寸、提高表面态密度或者降低施主浓度等措施,能够明显提高ZnO压敏电阻的电压梯度,电压梯度的提高有助于降低其残压比;降低晶粒电阻率,可减小ZnO压敏电阻的残压比,同时对其他电气参数无明显影响。因此,研发高梯度、低残压的ZnO压敏电阻,应采取以减小平均晶粒尺寸、降低晶粒电阻率作为主研究路线,以提高表面态密度、降低施主浓度等作为辅助措施的研发策略。 展开更多
关键词 Voronoi网格 电压梯度 晶粒电阻率 残压比 表面态密度
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氧化铝薄膜对硫钝化InP材料光学稳定性的影响
10
作者 田珊珊 魏志鹏 +9 位作者 赵海峰 高娴 方铉 唐吉龙 楚学影 方芳 李金华 王晓华 李梅 马晓辉 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第24期18-21,共4页
利用原子层沉积法(ALD)在硫钝化后的n型InP表面沉积Al2O3薄膜进行二次钝化处理。通过光致发光(PL)测试和原子力显微镜(AFM)测试对样品的光学性质及表面形貌进行表征。硫钝化能够有效降低样品的表面态密度及无辐射复合几率,因此样品PL发... 利用原子层沉积法(ALD)在硫钝化后的n型InP表面沉积Al2O3薄膜进行二次钝化处理。通过光致发光(PL)测试和原子力显微镜(AFM)测试对样品的光学性质及表面形貌进行表征。硫钝化能够有效降低样品的表面态密度及无辐射复合几率,因此样品PL发光强度得到了极大提高。而样品表面的Al2O3可防止钝化层被氧化,尽管相对于沉积Al2O3薄膜前样品的光致发光强度有所降低,但样品的稳定性得到了改善,因此可进一步提高样品的发光性能。 展开更多
关键词 INP 光致发光 硫钝化 表面态密度 AL2O3 薄膜
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