利用TCAD半导体器件仿真软件对N型插指背接触（Interdigitated Back Contact,IBC）单晶硅太阳电池发射区半宽度进行研究,全面系统地分析了在不同背表面复合速率的情况下,发射区半宽度对IBC太阳电池短路电流密度（JSC）、开路电压（VOC...利用TCAD半导体器件仿真软件对N型插指背接触（Interdigitated Back Contact,IBC）单晶硅太阳电池发射区半宽度进行研究,全面系统地分析了在不同背表面复合速率的情况下,发射区半宽度对IBC太阳电池短路电流密度（JSC）、开路电压（VOC）、填充因子（FF）及转换效率（Eff）的影响。结果表明：随着背表面复合速率的增大,对于不同发射区半宽度的情况,IBC太阳电池JSC、VOC、FF及Eff均显著降低。当背表面复合速率一定时,发射区半宽度越大,JSC、VOC越高,而FF越低。随着发射区半宽度的增大,IBC太阳电池Eff呈现先增大后减小的变化特点。当背表面复合速率较小（50~500 cm/s）时,最优的发射区半宽度为800μm。当背表面复合速率较高（≥5000 cm/s）时,最优的发射区半宽度为1200μm。展开更多
文摘利用TCAD半导体器件仿真软件对N型插指背接触（Interdigitated Back Contact,IBC）单晶硅太阳电池发射区半宽度进行研究,全面系统地分析了在不同背表面复合速率的情况下,发射区半宽度对IBC太阳电池短路电流密度（JSC）、开路电压（VOC）、填充因子（FF）及转换效率（Eff）的影响。结果表明：随着背表面复合速率的增大,对于不同发射区半宽度的情况,IBC太阳电池JSC、VOC、FF及Eff均显著降低。当背表面复合速率一定时,发射区半宽度越大,JSC、VOC越高,而FF越低。随着发射区半宽度的增大,IBC太阳电池Eff呈现先增大后减小的变化特点。当背表面复合速率较小（50~500 cm/s）时,最优的发射区半宽度为800μm。当背表面复合速率较高（≥5000 cm/s）时,最优的发射区半宽度为1200μm。
