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电解液－Si_3N_4绝缘体界面表面基／复合中心模型的研究
被引量：
1
1
作者
牛蒙年
丁辛芳
童勤义
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第11期38-42,共5页
本文在表面基模型基础上，借用半导体物理中复合／产生概念，提出表面基／复合中心模型，并研究了含两种类型表面基的Ｓｉ３Ｎ４绝缘体及其两种表面基（硅醇基和胺基）的比率对Ｓｉ３Ｎ４栅ｐＨ－ＩＳＦＥＴ敏感性能和稳定性的影响，其...
本文在表面基模型基础上，借用半导体物理中复合／产生概念，提出表面基／复合中心模型，并研究了含两种类型表面基的Ｓｉ３Ｎ４绝缘体及其两种表面基（硅醇基和胺基）的比率对Ｓｉ３Ｎ４栅ｐＨ－ＩＳＦＥＴ敏感性能和稳定性的影响，其结果与实验结果相符。对改善ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器的敏感特性具有实际指导意义。
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关键词
表面基模型
复合中心理论
半导体物理
传感器
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职称材料
题名
电解液－Si_3N_4绝缘体界面表面基／复合中心模型的研究
被引量：
1
1
作者
牛蒙年
丁辛芳
童勤义
机构
中科院上海冶金所
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第11期38-42,共5页
文摘
本文在表面基模型基础上，借用半导体物理中复合／产生概念，提出表面基／复合中心模型，并研究了含两种类型表面基的Ｓｉ３Ｎ４绝缘体及其两种表面基（硅醇基和胺基）的比率对Ｓｉ３Ｎ４栅ｐＨ－ＩＳＦＥＴ敏感性能和稳定性的影响，其结果与实验结果相符。对改善ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器的敏感特性具有实际指导意义。
关键词
表面基模型
复合中心理论
半导体物理
传感器
Keywords
Site-binding model,Si_3N_4 insulator,Recombination center theory,Ratio of silanol site to amine site,pH versus
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
电解液－Si_3N_4绝缘体界面表面基／复合中心模型的研究
牛蒙年
丁辛芳
童勤义
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996
1
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