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化学气相沉积碳化硅的热力学分析
被引量：
3
1
作者
卢翠英
成来飞
+2 位作者
张立同
徐永东
赵春年
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第6期1189-1192,共4页
根据吉布斯自由能最小原理,采用FACTSAGE计算软件,重点对MTS/H_2体系化学气相沉积碳化硅进行了均相平衡计算,评价了体系中主要化合物对沉积碳化硅的作用.结果表明,低温和高压下,SiCl_4和CH_4的含量最多,不饱和物质和自由基的含量非常少...
根据吉布斯自由能最小原理,采用FACTSAGE计算软件,重点对MTS/H_2体系化学气相沉积碳化硅进行了均相平衡计算,评价了体系中主要化合物对沉积碳化硅的作用.结果表明,低温和高压下,SiCl_4和CH_4的含量最多,不饱和物质和自由基的含量非常少,温度的升高和压力的下降可显著提高不饱和物质和自由基的浓度;高温和低压下,SiCl_2和C_2H_2可能是形成碳和硅的主要先驱体,其它稳定物质如碳氢化合物、有机硅化合物和硅烷等由于浓度太小和表面反应粘结系数低,对碳化硅的沉积可以不予考虑;体系中几乎没有含Si-C和Si-Si键的物质,说明碳化硅是经过碳和硅独立形成,二者的相对速率决定了碳硅比.
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关键词
热力学
表面反应粘结系数
浓度
化学气相沉积
碳化硅
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职称材料
题名
化学气相沉积碳化硅的热力学分析
被引量：
3
1
作者
卢翠英
成来飞
张立同
徐永东
赵春年
机构
西北工业大学超高温结构复合材料国家级重点实验室
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第6期1189-1192,共4页
基金
国家自然科学基金(90405015)
文摘
根据吉布斯自由能最小原理,采用FACTSAGE计算软件,重点对MTS/H_2体系化学气相沉积碳化硅进行了均相平衡计算,评价了体系中主要化合物对沉积碳化硅的作用.结果表明,低温和高压下,SiCl_4和CH_4的含量最多,不饱和物质和自由基的含量非常少,温度的升高和压力的下降可显著提高不饱和物质和自由基的浓度;高温和低压下,SiCl_2和C_2H_2可能是形成碳和硅的主要先驱体,其它稳定物质如碳氢化合物、有机硅化合物和硅烷等由于浓度太小和表面反应粘结系数低,对碳化硅的沉积可以不予考虑;体系中几乎没有含Si-C和Si-Si键的物质,说明碳化硅是经过碳和硅独立形成,二者的相对速率决定了碳硅比.
关键词
热力学
表面反应粘结系数
浓度
化学气相沉积
碳化硅
Keywords
thermodynamic
surface reactive sticking coefficient
chemical vapor deposition
silicon carbide
分类号
TB37 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
化学气相沉积碳化硅的热力学分析
卢翠英
成来飞
张立同
徐永东
赵春年
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
3
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职称材料
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