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PTCDA/ITO表面和界面的X射线光电子能谱分析
被引量：
5
1
作者
欧谷平
宋珍
+1 位作者
桂文明
张福甲
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第4期753-756,共4页
利用X射线光电子能谱对PTCDA/p-Si有机/无机光电探测器中PTCDA/ITO表面和界面进行了测试分析。结果表明,环上的C原子的结合能为284.6 eV,酸酐中的C原子的结合能为288.7 eV,并存在来源于ITO膜中的氧对C原子的氧化现象,界面处C(1s)谱中较...
利用X射线光电子能谱对PTCDA/p-Si有机/无机光电探测器中PTCDA/ITO表面和界面进行了测试分析。结果表明,环上的C原子的结合能为284.6 eV,酸酐中的C原子的结合能为288.7 eV,并存在来源于ITO膜中的氧对C原子的氧化现象,界面处C(1s)谱中较高结合能峰消失,且峰值向低结合能发生化学位移;C O键中O原子的结合能为531.5 eV,C—O—C键中的O原子的结合能为533.4 eV。
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关键词
表面及界面
X光电子能谱(XPS)
PTCDA/ITO
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职称材料
题名
PTCDA/ITO表面和界面的X射线光电子能谱分析
被引量：
5
1
作者
欧谷平
宋珍
桂文明
张福甲
机构
兰州大学物理科学与技术学院
北京机械工业学院基础部
出处
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第4期753-756,共4页
基金
国家自然科学基金(60276026)
甘肃省自然科学基金(ZS031-A25-012-G)资助项目
文摘
利用X射线光电子能谱对PTCDA/p-Si有机/无机光电探测器中PTCDA/ITO表面和界面进行了测试分析。结果表明,环上的C原子的结合能为284.6 eV,酸酐中的C原子的结合能为288.7 eV,并存在来源于ITO膜中的氧对C原子的氧化现象,界面处C(1s)谱中较高结合能峰消失,且峰值向低结合能发生化学位移;C O键中O原子的结合能为531.5 eV,C—O—C键中的O原子的结合能为533.4 eV。
关键词
表面及界面
X光电子能谱(XPS)
PTCDA/ITO
Keywords
Surface and interface
X-ray photoelectron spectroscopy（XPS）
PTCDA/ITO
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
O621.1 [理学—有机化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
PTCDA/ITO表面和界面的X射线光电子能谱分析
欧谷平
宋珍
桂文明
张福甲
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
5
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