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石英浮选中的表面化学反应 被引量:34
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作者 石云良 邱冠周 +1 位作者 胡岳华 陈淳 《矿冶工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期43-45,48,共4页
研究了石英在不同浓度的氯化钙和油酸钠中的浮选行为。当矿浆中油酸钠的浓度 (c(RCOO-) )是氯化钙浓度 (c(Ca2 + ) )的 2倍 (即化学计量 )时 ,石英的回收率最大。进一步研究表明 :氢氧化钙表面沉淀是活化石英的主要成分 ;油酸根再与石... 研究了石英在不同浓度的氯化钙和油酸钠中的浮选行为。当矿浆中油酸钠的浓度 (c(RCOO-) )是氯化钙浓度 (c(Ca2 + ) )的 2倍 (即化学计量 )时 ,石英的回收率最大。进一步研究表明 :氢氧化钙表面沉淀是活化石英的主要成分 ;油酸根再与石英表面的氢氧化钙发生交换反应 。 展开更多
关键词 石英 浮选 表面化学反应
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双(三苯基甲硅烷)铬酸酯催化剂及其配制过程中表面化学反应的研究
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作者 邱醒宇 平学真 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS 1981年第2期233-243,共11页
本文采用红外光谱分析等方法,研究了双(三苯基甲硅烷)铬酸酯的加热、光照和水解反应的一些性质;探讨了双(三苯基甲硅烷)铬酸酯催化剂配制过程的化学变化。当其沉淀在硅胶上时,与硅胶表面羟基反应,生成表面有机铬化合物,铬的价态不变。... 本文采用红外光谱分析等方法,研究了双(三苯基甲硅烷)铬酸酯的加热、光照和水解反应的一些性质;探讨了双(三苯基甲硅烷)铬酸酯催化剂配制过程的化学变化。当其沉淀在硅胶上时,与硅胶表面羟基反应,生成表面有机铬化合物,铬的价态不变。加入烷基铝后,表面铬化合物还原生成含有Cr—C或Cr—O键的低价表面化合物,其对乙烯聚合具有催化活性。并指出了本催化剂活性组份可能的负载机理。 展开更多
关键词 水解反应 表面羟基 表面化学反应 甲硅烷 催化活性 三苯基 配制过程 铬化合物
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红外激光诱导SF_6与硅和钨的表面化学反应
3
作者 何志芳 金忠 秦启宗 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1989年第1期67-71,共5页
本文研究了TEA CO_2激光诱导SF_6与单晶硅和金属钨的表面化学反应。实验结果表明这些反应的反应率与激光频率之间具有明显的依赖关系,在频率为942.2cm^(-1)处反应率呈极大值。对于SF_6-Si体系,反应率与硅的不同晶面有关,在相同条件下Si(... 本文研究了TEA CO_2激光诱导SF_6与单晶硅和金属钨的表面化学反应。实验结果表明这些反应的反应率与激光频率之间具有明显的依赖关系,在频率为942.2cm^(-1)处反应率呈极大值。对于SF_6-Si体系,反应率与硅的不同晶面有关,在相同条件下Si(100)面与SF_6的反应率大于Si(111)面。对于SF_6-W体系,测定了激光能量密度和脉冲辐照次数与反应率之间的关系,其反应阈值为1Jcm^(-2),并测得该反应的速率与SF_6分压呈一级反应关系。同时,还讨论了上述反应的机理,认为气态振动受激的六氟化硫分子与被激光激活的固相表面之间的相互作用是反应的主要过程。 展开更多
关键词 SF6 表面化学反应 激光
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表面等离激元共振驱动表面化学反应
4
作者 曾礼娜 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期298-298,共1页
表面等离激元共振(SPR)是指金属的自由电子在光的作用下发生集体振荡,已被发现可以高效、高选择性地驱动一些表面化学反应,如乙烯环氧化、氧气敏化、氢气和水的光分解等,但目前仍然缺乏直接的实验证据来说明它是如何驱动表面化学反应的.
关键词 表面化学反应 表面等离激元 驱动 共振 自由电子 高选择性 实验证据 环氧化
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吸附方波伏安法研究单偶氮化合物表面电化学反应
5
作者 徐刚 O'DeaJ.J. OsteryoungJ.G. 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第7期1032-1039,共8页
在静止汞滴电极上用吸附方波伏安法研究了9个单偶氮化合物的表面电化学反应,观察到3种类型的方波伏安图,其中两类可用提出的4电子二步还原反应机理解释.第一步为准可逆还原,第二步为完全不可逆.第三种类型的伏安图可解释为4电... 在静止汞滴电极上用吸附方波伏安法研究了9个单偶氮化合物的表面电化学反应,观察到3种类型的方波伏安图,其中两类可用提出的4电子二步还原反应机理解释.第一步为准可逆还原,第二步为完全不可逆.第三种类型的伏安图可解释为4电子一步还原.以这两种反应机理为数学模型,用非线性最小二乘法分析实验伏安图,理论曲线与实验曲线吻合极好.获得了各偶氮化合物表面电化学反应的动力学参数,初步归纳出反应机理与取代基的关系,为研究其在生物体内的降解反应及致癌性提供了有参考价值的化学信息. 展开更多
关键词 单偶氮化合物 表面化学反应 偶氮化合物 代谢
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反向流动垂直喷淋式MOCVD反应器生长GaN的化学反应数值模拟 被引量:6
6
作者 徐谦 左然 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期338-343,共6页
本文提出了MOCVD生长GaN的表面循环反应模型,将该反应模型应用于作者新近提出的反向流动垂直喷淋式反应器,进行三维数值模拟。得出反应器内流速、温度和TMGa浓度分布,以及GaN的生长速率分布。将此计算结果与传统的反应器情况进行对比,... 本文提出了MOCVD生长GaN的表面循环反应模型,将该反应模型应用于作者新近提出的反向流动垂直喷淋式反应器,进行三维数值模拟。得出反应器内流速、温度和TMGa浓度分布,以及GaN的生长速率分布。将此计算结果与传统的反应器情况进行对比,发现在相同参数情况下,两种反应器的衬底上方温度分布都比较均匀,近衬底处温度梯度较大,高温区域被压制在离衬底较近的区域,流线均比较平滑,在衬底上方没有明显的旋涡;新型反应器内反应气体在近衬底处的浓度均匀性以及GaN在基片表面的沉积均匀性都优于传统反应器,但沉积速率小于后者,大约只有后者的1/2。 展开更多
关键词 GAN生长 MOCVD反应 表面化学反应 数值模拟
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C-H-F氛围下金刚石薄膜的低温CVD生长过程分析
7
作者 简小刚 梁晓伟 +4 位作者 姚文山 张毅 张斌华 陈哲 陈茂林 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2024年第1期15-21,共7页
基于第一性原理的密度泛函理论对C-H-F氛围下低温CVD金刚石薄膜的生长过程进行仿真分析,计算H、F原子在氢终止金刚石表面发生萃取反应的吸附能、反应热与反应能垒,并分析CF_(3)、CF_(2)、CF 3种生长基团在带有活性位点基底上的吸附。结... 基于第一性原理的密度泛函理论对C-H-F氛围下低温CVD金刚石薄膜的生长过程进行仿真分析,计算H、F原子在氢终止金刚石表面发生萃取反应的吸附能、反应热与反应能垒,并分析CF_(3)、CF_(2)、CF 3种生长基团在带有活性位点基底上的吸附。结果表明:与H原子相比,F原子更容易在氢终止金刚石表面萃出H,并以HF形式脱附,且在C-H-F氛围下有利于在低温时产生更多的活性位点;CF_(3)、CF_(2)、CF基团在吸附后的结构和吸附能绝对值都更有利于金刚石相的生成,适当提高CF_(3)、CF_(2)、CF基团的浓度有助于实现金刚石相的更高速率生长。 展开更多
关键词 CVD金刚石薄膜 沉积机制 第一性原理 吸附 表面化学反应
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空心纳微粒子的模板法制备技术及应用 被引量:9
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作者 黄中梅 官建国 +1 位作者 甘治平 王振杰 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1281-1287,共7页
结合空心纳微粒子的形成机理和结构可控性,阐述了空心纳微粒子的硬模板法和软模板法两大制备技术,重点综述了逐层自组装(LBL)法、表面化学反应与沉积法、微封装法等的研究进展.概述了空心纳微粒子的结构与性能的关系及其在材料科学、生... 结合空心纳微粒子的形成机理和结构可控性,阐述了空心纳微粒子的硬模板法和软模板法两大制备技术,重点综述了逐层自组装(LBL)法、表面化学反应与沉积法、微封装法等的研究进展.概述了空心纳微粒子的结构与性能的关系及其在材料科学、生物医学、催化剂等领域的应用现状及前景. 展开更多
关键词 空心纳微粒子 模板 逐层自组装法 表面化学反应与沉积法 微封装法
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25~75℃酸性NaCl溶液中方铅矿的溶解动力学 被引量:6
9
作者 张生 李建平 +1 位作者 王玉荣 胡光黔 《地球化学》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期587-592,共6页
在25~75℃、pH=0.43~2.45的1mol/LNaCl溶液中进行了方铅矿的溶解动力学实验。发现在远平衡条件下,方铅矿的溶解速率r与氢离子活度犤H+犦呈线性关系,溶解速率方程(速率定律)为:r=k犤H+犦,即对H+而言,溶解反应为一级。其中速率常数k为2.... 在25~75℃、pH=0.43~2.45的1mol/LNaCl溶液中进行了方铅矿的溶解动力学实验。发现在远平衡条件下,方铅矿的溶解速率r与氢离子活度犤H+犦呈线性关系,溶解速率方程(速率定律)为:r=k犤H+犦,即对H+而言,溶解反应为一级。其中速率常数k为2.344×10-7mol/m2·s(25℃)、1.380×10-6mol/m2·s(50℃)、7.079×10-6mol/m2·s(75℃)。溶解反应的活化能为43.54kJ/mol,方铅矿的溶解机理为表面化学反应,速率决定步骤为表面配合物的离解。 展开更多
关键词 方铅矿 溶解动力学 速率方程 速率常数 活化能 表面化学反应 溶解机理
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超滤膜的改性研究及应用 被引量:36
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作者 陆晓峰 卞晓锴 《膜科学与技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期97-102,115,共7页
随着超滤膜技术的发展 ,人们对超滤膜提出了各种各样的特性要求 ,其中解决膜表面的污染问题变得越来越紧迫 .超滤膜改性 ,尤其是在膜表面引入亲水性基团是解决问题的关键 .本文从这点出发 ,结合自身的工作 ,总结了近年高分子超滤膜改性... 随着超滤膜技术的发展 ,人们对超滤膜提出了各种各样的特性要求 ,其中解决膜表面的污染问题变得越来越紧迫 .超滤膜改性 ,尤其是在膜表面引入亲水性基团是解决问题的关键 .本文从这点出发 ,结合自身的工作 ,总结了近年高分子超滤膜改性方面的研究进展 ,包括表面活性剂在膜表面的吸附改性、等离子体改性、辐照改性。 展开更多
关键词 超滤膜 表面改性 研究 应用 表面活性剂 吸附改性 等离子体改性 辐照改性 高分子合金 表面化学反应
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多孔介质模型在稀土电解槽优化模拟中的应用 被引量:2
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作者 王小青 王日昕 +2 位作者 伍永福 张小琴 刘中兴 《有色金属(冶炼部分)》 CAS 北大核心 2016年第4期32-36,共5页
针对熔盐电解法制取稀土金属钕槽型结构,首次提出了多孔介质模型与表面化学反应相结合的方法研究阳极电解反应过程,通过在靠近阳极表面取1~2mm的薄层设立为多孔介质层,并在多孔介质层上增设化学反应,模拟研究阳极表面的化学反应、槽体... 针对熔盐电解法制取稀土金属钕槽型结构,首次提出了多孔介质模型与表面化学反应相结合的方法研究阳极电解反应过程,通过在靠近阳极表面取1~2mm的薄层设立为多孔介质层,并在多孔介质层上增设化学反应,模拟研究阳极表面的化学反应、槽体内部流场运动情况以及气泡上浮过程,同时对比欧拉法的模拟结果得到了该模拟法与欧拉法模拟的区别及该法研究的优势。模拟结果表明,该方法更能反映实际电解过程气泡生成和运动规律。 展开更多
关键词 稀土电解槽 多孔介质模型 表面化学反应 流场
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HL-1装置中的等离子体—器壁相互作用
12
作者 朱毓坤 冯广泽 +4 位作者 严东海 洪文玉 唐素筠 张年满 徐云仙 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1989年第1期20-26,共7页
对HL—1装置欧姆加热放电时的等离子体—器壁相互作用进行了实验研究。由装在抽气管道上的四极分析器所测得的气相杂质的抽除特性,推论H_2O来源于器壁上受放电激活的零级表面化学反应,CO和CO_2为表面碰撞化学反应,CH_4则为表面多步骤合... 对HL—1装置欧姆加热放电时的等离子体—器壁相互作用进行了实验研究。由装在抽气管道上的四极分析器所测得的气相杂质的抽除特性,推论H_2O来源于器壁上受放电激活的零级表面化学反应,CO和CO_2为表面碰撞化学反应,CH_4则为表面多步骤合成化学反应。由置于等离子体刮离层中的硅收集探针的表面分析,表明Mo、Ni、Cr等为HL—1等离子体的中主要重杂质,来源于器壁表面的单极弧和和荷能粒子的碰撞溅射。设计了托卡马克中氢粒子流入射边界层中硅探针的蒙特卡罗模拟程序HISP。得到氢粒子流注入硅探针的特征深度Xm(nm)和其动力温度kT(eV)的关系式kT=50Xm-50,由此估算出入射硅探针表面的HL—1边界层等离子体动力温度约为55eV。由对收集探针的溅射AES剖面分析得出,HL—1高功率放电中在刮离层中总杂质通量的最大值可达8×10^(15)原子/厘米~2.秒,其中C、O、Mo、Ni和Cr分别占17.5%、34.8%、8.1%、8.5%和6.5%。最后提出了降低HL—1等离子体中杂质的建议。 展开更多
关键词 托卡马克 HL-1 表面化学反应 欧姆加热 抽气管 第一壁 蒙特卡罗模拟 器壁 边界层 杂散场
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原子层外延生长Ⅲ-Ⅴ族化合物薄膜机理的研究进展
13
作者 何晓崐 左然 +1 位作者 徐楠 于海群 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第17期16-20,共5页
介绍了用于外延生长Ⅲ-Ⅴ族化合物薄膜的原子层外延(ALE)的国内外进展。以GaAs为例,讨论了ALE生长Ⅲ-Ⅴ族化合物的表面反应机理。GaAs的ALE表面反应机理主要有两种:一种是吸附质阻挡机理,即Ga-(CH3)3在表面发生热解,最终Ga(CH3)x(x=1或2... 介绍了用于外延生长Ⅲ-Ⅴ族化合物薄膜的原子层外延(ALE)的国内外进展。以GaAs为例,讨论了ALE生长Ⅲ-Ⅴ族化合物的表面反应机理。GaAs的ALE表面反应机理主要有两种:一种是吸附质阻挡机理,即Ga-(CH3)3在表面发生热解,最终Ga(CH3)x(x=1或2)在表面吸附,依靠Ga(CH3)x中CH3的空间位阻效应,表面反应自动停止;另一种是选择性吸附机理,即Ga(CH3)3在表面热解后形成的吸附物质是Ga原子,当表面完全覆盖一层Ga原子,即表面Ga原子饱和,表面反应自动停止。还介绍了ALE生长中的气相反应以及H原子对ALE生长过程的影响。 展开更多
关键词 原子层外延 GAAS 表面化学反应
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原子层沉积技术用于红外透明导电薄膜
14
作者 段超 李坤 +1 位作者 高岗 朱嘉琦 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第8期1553-1553,F0004,共2页
二十世纪六七十年代,前苏联科学家Aleskovskii和Koltsov首次提出了原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)技术,但受限于沉积效率低、表面化学反应复杂、设备要求较高等因素而未得到发展。二十世纪九十年代以后,集成电路行业器件尺寸... 二十世纪六七十年代,前苏联科学家Aleskovskii和Koltsov首次提出了原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)技术,但受限于沉积效率低、表面化学反应复杂、设备要求较高等因素而未得到发展。二十世纪九十年代以后,集成电路行业器件尺寸不断减小,纵横比不断增大,器件表面更加复杂,镀膜困难程度不断提高。ALD技术以其可自限制生长和共形沉积的特点,在大平面、大曲率基底、小尺寸沟槽及缝隙等复杂三维表面均匀沉积薄膜,甚至可以用于辅助生长纳米催化剂,因而在众多薄膜沉积技术中脱颖而出。 展开更多
关键词 表面化学反应 透明导电薄膜 原子层沉积 纳米催化剂 纵横比 沉积薄膜 三维表面 沉积效率
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剑桥大学研究称黄铁矿或将成为新一代催化剂
15
《化学教学》 CAS 北大核心 2013年第1期81-81,共1页
《中国科学报》2012年4月5日讯,在过去,硫被认为是对表面化学反应最为有害的元素之一,通过占据催化剂的活性中心使之中毒,急剧降低其催化活性。然而近来的一些研究发现硫材料(如硫化钼)却呈现出有趣的催化性质。
关键词 催化剂 剑桥大学 黄铁矿 表面化学反应 硫化钼 活性中心 催化活性 催化性质
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Desilication kinetics of calcined boron mud in molten sodium hydroxide media 被引量:4
16
作者 NING Zhi-qiang SONG Qiu-shi +2 位作者 ZHAI Yu-chun XIE Hong-wei YU Kai 《Journal of Central South University》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第9期2191-2198,共8页
Desilication kinetics of calcined boron mud(CBM) occurring in molten sodium hydroxide media was investigated. The effects of factors such as reaction temperature and Na OH-to-CBM mass ratio on silicon extraction effic... Desilication kinetics of calcined boron mud(CBM) occurring in molten sodium hydroxide media was investigated. The effects of factors such as reaction temperature and Na OH-to-CBM mass ratio on silicon extraction efficiency were studied. The results show that silicon extraction efficiency increases with increasing the reaction time and Na OH-to-CBM mass ratio. There are two stages for the desilication process of the calcined boron mud. The overall desilication process follows the shrinking-core model, and the first and second stages of the process were determined to obey the shrinking-core model for surface chemical reaction and the diffusion through the product layer, respectively. The activation energies of the first and second stages were calculated to be 44.78 k J/mol and 15.94 k J/mol, respectively. 展开更多
关键词 boron mud sodium hydroxide silicon dioxide KINETICS DESILICATION
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Defect-free surface of quartz glass polished in elastic mode by chemical impact reaction 被引量:1
17
作者 彭文强 关朝亮 李圣怡 《Journal of Central South University》 SCIE EI CAS 2014年第12期4438-4444,共7页
Removal of brittle materials in the brittle or ductile mode inevitably causes damaged or strained surface layers containing cracks, scratches or dislocations. Within elastic deformation, the arrangement of each atom c... Removal of brittle materials in the brittle or ductile mode inevitably causes damaged or strained surface layers containing cracks, scratches or dislocations. Within elastic deformation, the arrangement of each atom can be recovered back to its original position without any defects introduced. Based on surface hydroxylation and chemisorption theory, material removal mechanism of quartz glass in the elastic mode is analyzed to obtain defect-free surface. Elastic contact condition between nanoparticle and quartz glass surface is confirmed from the Hertz contact theory model. Atoms on the quartz glass surface are removed by chemical bond generated by impact reaction in the elastic mode, so no defects are generated without mechanical process. Experiment was conducted on a numerically controlled system for nanoparticle jet polishing, and one flat quartz glass was polished in the elastic mode. Results show that scratches on the sample surface are completely removed away with no mechanical defects introduced, and microroughness(Ra) is decreased from 1.23 nm to 0.47 nm. Functional group Ce — O — Si on ceria nanoparticles after polishing was detected directly and indirectly by FTIR, XRD and XPS spectra analysis from which the chemical impact reaction is validated. 展开更多
关键词 defect-free surface chemical impact reaction nanoparticle jet polishing elastic mode
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