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基于表面势的碳化硅基VDMOS器件模型
1
作者
李秀军
刘斯扬
+1 位作者
李胜
孙伟锋
《东南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第1期13-18,共6页
为了满足功率电路及系统设计对碳化硅基垂直双注入金属氧化物半导体晶体管(VDM OS)模型的需求,建立了一套基于表面势计算方法的可描述碳化硅基VDM OS器件电学特性的模型.模型包括静态部分与动态部分.静态部分不仅分别针对沟道区、积累...
为了满足功率电路及系统设计对碳化硅基垂直双注入金属氧化物半导体晶体管(VDM OS)模型的需求,建立了一套基于表面势计算方法的可描述碳化硅基VDM OS器件电学特性的模型.模型包括静态部分与动态部分.静态部分不仅分别针对沟道区、积累区、寄生结型场效应晶体管(JFET)区及N-外延层建立电流模型,还考虑了界面态对于阈值电压偏移与沟道迁移率的影响.动态部分中引入了界面陷阱对于电容的影响,完善了基于端电荷划分理论的动态模型.结果表明,所提器件模型的输出特性和转移特性的仿真结果与实测结果之间的均方根误差均小于5%,开关特性的仿真结果与实测结果之间的均方根误差小于10%.
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关键词
表面势模型
碳化硅基
VDMOS
阈值电压偏移
界面态
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职称材料
深亚微米CMOS器件建模与BSIM模型
被引量：
1
2
作者
陈志坚
郑学仁
+1 位作者
姚若河
李斌
《微纳电子技术》
CAS
2004年第6期44-48,共5页
介绍了深亚微米CMOS器件基于电荷模型、基于表面势模型和基于电导模型的建模方法及其优缺点,并以BSIM系列模型为例,讨论了BSIM系列模型特点及半导体工艺发展对CMOS器件建模方法的影响。
关键词
深亚微米
CMOS
BSIM
电荷
模型
表面势模型
电导
模型
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职称材料
题名
基于表面势的碳化硅基VDMOS器件模型
1
作者
李秀军
刘斯扬
李胜
孙伟锋
机构
东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心
出处
《东南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第1期13-18,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(61604038
61674030)
江苏省自然科学基金资助项目(BK20160691)
文摘
为了满足功率电路及系统设计对碳化硅基垂直双注入金属氧化物半导体晶体管(VDM OS)模型的需求,建立了一套基于表面势计算方法的可描述碳化硅基VDM OS器件电学特性的模型.模型包括静态部分与动态部分.静态部分不仅分别针对沟道区、积累区、寄生结型场效应晶体管(JFET)区及N-外延层建立电流模型,还考虑了界面态对于阈值电压偏移与沟道迁移率的影响.动态部分中引入了界面陷阱对于电容的影响,完善了基于端电荷划分理论的动态模型.结果表明,所提器件模型的输出特性和转移特性的仿真结果与实测结果之间的均方根误差均小于5%,开关特性的仿真结果与实测结果之间的均方根误差小于10%.
关键词
表面势模型
碳化硅基
VDMOS
阈值电压偏移
界面态
Keywords
surface- potential-based model
silicon cabon （SiC）
vertical double-implantation metal oxide semiconductor transistor （VDMOS）
threshold voltage offset
interface state
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
深亚微米CMOS器件建模与BSIM模型
被引量：
1
2
作者
陈志坚
郑学仁
姚若河
李斌
机构
华南理工大学微电子研究所
出处
《微纳电子技术》
CAS
2004年第6期44-48,共5页
文摘
介绍了深亚微米CMOS器件基于电荷模型、基于表面势模型和基于电导模型的建模方法及其优缺点,并以BSIM系列模型为例,讨论了BSIM系列模型特点及半导体工艺发展对CMOS器件建模方法的影响。
关键词
深亚微米
CMOS
BSIM
电荷
模型
表面势模型
电导
模型
Keywords
CMOS device
device modeling
BSIM
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于表面势的碳化硅基VDMOS器件模型
李秀军
刘斯扬
李胜
孙伟锋
《东南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
0
在线阅读
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职称材料
2
深亚微米CMOS器件建模与BSIM模型
陈志坚
郑学仁
姚若河
李斌
《微纳电子技术》
CAS
2004
1
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职称材料
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参考文献
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