还原性气体对SnO_2表面势垒的影响 被引量：1

1

作者 林海安 吴冲若 《传感器技术》 CSCD 1994年第3期13-15,24,共4页

建立了SnO_2表面势垒与表面氧化—还原过程的定量关系,其中考虑了氧的O^-形式吸附和还原性气体的电离吸附。其结果表明,还原性气体的电离是SnO_2表面化学物理过程的关键步骤之一。

关键词 表面势垒 电离吸附 还原 二氧化锡

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N型低阻GaAs单晶的表面势垒高度和表面态密度的变温光伏测定研究 被引量：1

2

作者 颜永美 杨锦赐 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第3期62-64,共3页

本文报导了应用变温光伏方法无需制作特定样品结构而可以非破坏性地测定N型低阻GaAs单晶的表面势垒高度和表面态密度的研究。结合简并化影响的考虑,所得结果与有关报导一致。

关键词 GAAS晶体 表面势垒 变温 光伏测定

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表面势垒对俄歇电子极角分布的影响

3

作者 季振国 鲍德松 +1 位作者 刘古 张训生 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1991年第4期223-227,共5页

本文根据电子在固体与真空界面的折射反射效应及立体角元的变化,讨论了表面势垒对俄歇电子极角分布的影响,修正了俄歇电子的极角分布公式,首次从理论上证明了均匀体样品俄歇电子的极角分布基本符合cosθ规律而和样品是单晶或多晶及和俄... 本文根据电子在固体与真空界面的折射反射效应及立体角元的变化,讨论了表面势垒对俄歇电子极角分布的影响,修正了俄歇电子的极角分布公式,首次从理论上证明了均匀体样品俄歇电子的极角分布基本符合cosθ规律而和样品是单晶或多晶及和俄歇电子的能量大小无很大关系这一实验现象。 展开更多

关键词 俄歇电子 极角 表面势垒 分布公式 角分布 量大小 单晶材料 电子散射 出射角 表面偏析

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SnO_2表面势垒与温度、氧分压的关系

4

作者 林海安 吴冲若 《真空科学与技术》 CSCD 1993年第6期425-430,共6页

根据化学平衡原理和反应动力学理论,建立了SnO_2表面势垒的温度分区模型。描述了温度变化后,氧在SnO_2表面吸附状态的转化,得到了与实验相吻合的表面势垒与温度、氧分压的关系。从准异质结的概念出发,讨论了表面费米能级钉扎现象。

关键词 表面势垒 氧吸附 二氧化锡 能极

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关于金属表面势垒和逸出功的问题 被引量：3

5

作者 赵议鲁 《石河子大学学报（自然科学版）》 CAS 1997年第1期74-76,共3页

本文运用量子理论对金属表面势垒及逸出功进行了分析。

关键词 偶电层 费米能级 表面势垒 逸出功 金属

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InP单晶表面势垒高度与表面态密度的光伏测算

6

作者 谢廷贵 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1995年第6期924-927,共4页

应用变温光伏方法测定了Ｎ型低阻ＩｎＰ单晶的表面势垒高度，进而分析、计算了简并化的ＩｎＰ单晶表面态密度。

关键词 单晶 光伏法 表面势垒 半导体 磷化铟

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金属二次电子发射能谱的表面吸附势垒模型 被引量：5

7

作者 虞阳烨 曹猛 张海波 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第10期97-102,共6页

为了改善加速器和高功率微波源中金属器壁的表面状况,采用数学建模并结合实验验证的方法,建立了二次电子能谱的吸附势垒模型。首先,以到达金属内表面二次电子为参考对象,分析金属壁的吸附过程,发现水蒸气吸附造成的能级扭曲会使金属表... 为了改善加速器和高功率微波源中金属器壁的表面状况,采用数学建模并结合实验验证的方法,建立了二次电子能谱的吸附势垒模型。首先,以到达金属内表面二次电子为参考对象,分析金属壁的吸附过程,发现水蒸气吸附造成的能级扭曲会使金属表面势垒降低,由此建立了水吸附形态下的薛定谔方程,并求解得到吸附势垒的透射系数;然后,结合内二次电子能量分布建立吸附势垒模型,得到二次电子能谱特征参数与吸附量的定量关系。模型分析结果表明:吸附量的增加会引起表面势垒的降低,从而导致金属器壁二次电子发射增强,能谱变窄,加剧电子云效应;通过加热、氩离子清洗等手段可减少或去除加速器壁水蒸气吸附,抑制器壁表面二次电子发射。实验对比发现,离子清洗可减少吸附量,使Ag样品的吸附度从初始值0.5降至0,伴随能谱半峰宽从5.17eV展宽至12.5eV。 展开更多

关键词 二次电子发射 二次电子能谱 吸附 表面势垒 透射系数

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高温Cs激活GaAs光电阴极表面机理研究 被引量：2

8

作者 杨智 邹继军 +2 位作者 牛军 张益军 常本康 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期2038-2042,共5页

研究了高温Cs激活过程中,GaAs光电阴极表面势垒的变化机理。在考虑GaAs材料体内负电性p型掺杂杂质与材料表面正电性Cs+所形成的偶极子对表面势垒的作用后,通过求解均匀掺杂阴极中电子所遵循的一维连续性方程,得到了反射式均匀掺杂阴极... 研究了高温Cs激活过程中,GaAs光电阴极表面势垒的变化机理。在考虑GaAs材料体内负电性p型掺杂杂质与材料表面正电性Cs+所形成的偶极子对表面势垒的作用后,通过求解均匀掺杂阴极中电子所遵循的一维连续性方程,得到了反射式均匀掺杂阴极的量子效率公式,通过求解薛定谔方程得到了到达阴极表面的光电子的逸出概率公式,利用公式对GaAs光电阴极的Cs激活过程进行了分析。分析发现,激活过程中GaAs光电阴极的量子效率和光电子的逸出概率正比于偶极子层的电场强度。 展开更多

关键词 GAAS光电阴极 偶极子 表面势垒 量子效率

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表面电荷转移效应研究 被引量：1

9

作者 苗润才 李乃英 《陕西师大学报（自然科学版）》 CSCD 1989年第3期25-28,共4页

本文报道笔者从光吸收谱上观察、分析分子吸附在银表面出现电荷转移跃迁的结果,并从表面势垒角度定性解释了电荷转移跃迁几率与吸附状态的关系以及Cl^-离子对吸附状态的影响。

关键词 表面势垒 电荷转移 吸附

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GaAs光电阴极光谱响应曲线形状的变化 被引量：10

10

作者 邹继军 常本康 +1 位作者 杜晓晴 杨智 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期1465-1468,共4页

利用光谱响应测试仪测试了反射式GaAs光电阴极在激活过程中以及激活后衰减过程中的光谱响应曲线,测试结果显示在这两个过程中光谱响应曲线形状都在不断发生变化。在激活过程中随着GaAs表面双偶极层的形成,阴极表面有效电子亲和势不断降... 利用光谱响应测试仪测试了反射式GaAs光电阴极在激活过程中以及激活后衰减过程中的光谱响应曲线,测试结果显示在这两个过程中光谱响应曲线形状都在不断发生变化。在激活过程中随着GaAs表面双偶极层的形成,阴极表面有效电子亲和势不断降低,光谱响应则不断提高,但长波响应提高得更快。在激活结束后,位于激活室中受白光照射的GaAs光电阴极由于Cs的脱附影响了双偶极层结构,阴极表面有效电子亲和势不断升高,光谱响应则不断下降,但长波响应下降得更快。上述现象无法用常用的反射式阴极量子效率公式进行解释,它们与阴极高能光电子的逸出有关。由于反射式阴极发射电子能量分布随着入射光子能量的升高而向高能端偏移,同时阴极表面势垒形状的变化对低能电子比对高能电子的影响更大,从而导致了光谱响应曲线形状的变化。 展开更多

关键词 GAAS光电阴极 光谱响应曲线 电子能量分布 表面势垒 电子逸出概率

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新型金阴极及其紫外光电发射特性 被引量：4

11

作者 王瑜英 高扬 +5 位作者 王雪敏 曹柱荣 易早 徐习斌 易有根 吴卫东 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第10期2627-2630,共4页

采用直流磁控溅射法制备了不同厚度的金纳米薄膜，在高纯氮气气氛、800℃条件下快速退火，在石英基底上制备了具有表面微纳颗粒的新型金阴极。应用扫描电子显微镜对阴极的表面形貌进行表征，结果表明：阴极表面形成了均匀分布的金纳米... 采用直流磁控溅射法制备了不同厚度的金纳米薄膜，在高纯氮气气氛、800℃条件下快速退火，在石英基底上制备了具有表面微纳颗粒的新型金阴极。应用扫描电子显微镜对阴极的表面形貌进行表征，结果表明：阴极表面形成了均匀分布的金纳米颗粒，平均粒径随金纳米薄膜厚度的增加（5nm至20nm）从300nm增大到800nm。在190～360nm紫外光下，对阴极的光电子发射特性进行了研究，结果表明：相对于平面阴极，新型金阴极的光电子发射效率提高了10倍以上，最高可达到平面阴极的16倍，且随颗粒粒径的减小而增大。采用“三步”光电发射模型对上述结果进行理论分析，表明阴极光电效率的提高主要由于阴极光电发射面积的增加和局域强电场导致的表面势垒降低。 展开更多

关键词 光阴极 金纳米薄膜 表面结构 紫外光电发射特性 表面势垒

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梯度掺杂GaN光电阴极的光谱响应测试与分析

12

作者 李飙 常本康 陈文聪 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期99-105,共7页

用光谱响应测试仪得到了反射式梯度掺杂GaN光电阴极在激活和衰减过程中的光谱响应曲线,发现此曲线不断发生变化。在激活过程中光谱响应不断提高,且长波响应提高较快;衰减过程中光谱响应不断下降,长波响应下降得更快。结果表明:光谱响应... 用光谱响应测试仪得到了反射式梯度掺杂GaN光电阴极在激活和衰减过程中的光谱响应曲线,发现此曲线不断发生变化。在激活过程中光谱响应不断提高,且长波响应提高较快;衰减过程中光谱响应不断下降,长波响应下降得更快。结果表明:光谱响应曲线的变化与光电阴极高能光电子的逸出有关。GaN光电阴极发射的电子能量分布随入射光子能量升高而向高能端偏移,阴极表面势垒形状的变化对低能光激发电子的影响更大,导致光谱响应曲线随入射光波长改变而产生了不同的变化。 展开更多

关键词 光电子学 光谱响应曲线 氮化镓 光电阴极 电子能量分布 表面势垒

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氧分压影响SnO_2气敏传感器响应的机理

13

作者 林海安 吴冲若 邱洁真 《电子科学学刊》 CSCD 1993年第6期659-662,共4页

本文报道了一种SnO_2气敏传感器敏感机理的新模型。SnO_2晶粒表面势垒由3个过程控制:(1)氧吸附(作电子受主)和脱附,(2)还原性气体吸附(作电子施主)和脱附,(3)表面氧化还原反应。据此可以很好地解释实验中发现的氧分压对气敏传感器响应... 本文报道了一种SnO_2气敏传感器敏感机理的新模型。SnO_2晶粒表面势垒由3个过程控制:(1)氧吸附(作电子受主)和脱附,(2)还原性气体吸附(作电子施主)和脱附,(3)表面氧化还原反应。据此可以很好地解释实验中发现的氧分压对气敏传感器响应的影响。 展开更多

关键词 表面势垒 施主 气敏传感器 氧分压

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氢离子在含铍合金中的渗透

14

作者 刘翔 山口宪司 山胁道夫 《核科学与工程》 CSCD 北大核心 1993年第4期333-338,7,共6页

测量了氢离子束通过 Cu-1.85 wt%Be 薄膜的渗透率,样品的表面成分由在位的俄歇电子谱仪(AES)监测。表面分析表明在本实验条件下,样品表面形成了致密的氧化铍(BeO),深度分布证实其厚度约为4 nm。氧化铍在表面的覆盖来源于真空中残余氧气... 测量了氢离子束通过 Cu-1.85 wt%Be 薄膜的渗透率,样品的表面成分由在位的俄歇电子谱仪(AES)监测。表面分析表明在本实验条件下,样品表面形成了致密的氧化铍(BeO),深度分布证实其厚度约为4 nm。氧化铍在表面的覆盖来源于真空中残余氧气在样品表面的化学吸附,从而导致了铍的择优氧化。而这种表面偏析可能会对氢渗透起到表面势垒的作用。为此在573 K到873 K 的温度范围内,测量了能量为3 keV,束流强度为5.6×10^(13)H/cm^2·s 的氯离子束通过样品的渗透率。实验结果与纯铜和纯铍的渗透率相比较,并按照氧化铍的表面势垒作用对渗透行为的影响进行了讨论。 展开更多

关键词 氢渗透 表面势垒 化学吸附 氧化铍

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BaTiO_3半导瓷晶界结构分析

15

作者 黄安荣 《传感技术学报》 CAS CSCD 1990年第3期47-50,共4页

Heywang假定施主掺杂BaTiO₃陶瓷（BFT）的晶粒边界（GB）存在着二维受主型表面态,这些受主中心能从晶粒表层俘获电子,形成一定数量的表面电荷,建立表面电势垒.在耗尽层假设前提下,由解Poisson方程得表面电子势垒... Heywang假定施主掺杂BaTiO₃陶瓷（BFT）的晶粒边界（GB）存在着二维受主型表面态,这些受主中心能从晶粒表层俘获电子,形成一定数量的表面电荷,建立表面电势垒.在耗尽层假设前提下,由解Poisson方程得表面电子势垒（?）₀=N_s²/ε₀ε_r （1）式中:N_s为表面态密度,ε₀ε_r为材料介电常数.在居里点以上,有效介电常数按Curic-Wciss定律急剧减小,表面势垒急剧增加,电阻率（ρ（?）exp（（?）₀ 展开更多

关键词 表面态 表面势垒 BaTiO₃ 晶粒边界 耗尽层 表面电势 居里点 外来原子 结构分析 主型

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PTC热敏电阻材料低阻化研究 被引量：5

16

作者 陈新奇 叶勐 +1 位作者 何宇 陈寿田 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 1994年第3期66-69,共4页

通过调整Ａｌ_２Ｏ_３／ＳｉＯ_２的摩尔比，在晶界中形成了对Ｆｅ_２Ｏ_３、ＭｇＯ等杂质有较大固溶能力的莫来石微晶，降低了晶粒表面势垒，达到降低室温电阻率的目的．总结了高温淬火与室温电阻率及ＰＴＣ效应之间的规律，确定了适... 通过调整Ａｌ_２Ｏ_３／ＳｉＯ_２的摩尔比，在晶界中形成了对Ｆｅ_２Ｏ_３、ＭｇＯ等杂质有较大固溶能力的莫来石微晶，降低了晶粒表面势垒，达到降低室温电阻率的目的．总结了高温淬火与室温电阻率及ＰＴＣ效应之间的规律，确定了适于低阻ＰＴＣ材料的烧成工艺，并研制出了室温电阻率ρ_（２０℃）为１２．１Ω·ｃｍ，Ｒ_（ｍａｘ）／Ｒ_（２０℃）为２．３×１０￣３的低阻样品． 展开更多

关键词 PTC 电阻率 表面势垒 热敏电阻

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一种新的功函数测量法 被引量：1

17

作者 黄金林 张强基 《仪器仪表学报》 EI CAS 1986年第2期179-183,共5页

一、前言功函数是表面现象研究中一个重要的参数,目前已有多种测量方法〔1〕。但是要在超高真空条件下,对样品表面进行具有相当空间分辨率的功函数测量,仍是一项十分困难的工作。本文将介绍一种利用二次电子低能峰上升沿(以下简称上升沿... 一、前言功函数是表面现象研究中一个重要的参数,目前已有多种测量方法〔1〕。但是要在超高真空条件下,对样品表面进行具有相当空间分辨率的功函数测量,仍是一项十分困难的工作。本文将介绍一种利用二次电子低能峰上升沿(以下简称上升沿)和功函数有关的原理来测量功函数的方法。用现成的俄歇谱仪不作改动或略作改动即可进行测量。如果俄歇谱仪具有电子束扫描功能,则还能达到一定的空间分辨率〔2〕。对于扫描电镜,如果配备上电子能量分析器,也能同样实现功函数测量〔3〕。 展开更多

关键词 电子能量分析器 功函数 二次电子 表面现象 空间分辨率 测量方法 上升沿 扫描功能 电压扫描 表面势垒

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横向应力场对原子尺度摩擦的调制 被引量：3

18

作者 郭一伯 庞华 刘大猛 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期187-193,220,共8页

目的探索横向应力场对原子尺度摩擦能量耗散的调制规律。方法采用微机械剥离方法制备单层至多层MoS2样品,利用光学显微镜、高波数拉曼光谱、低波数拉曼光谱精确确定MoS2的层数。通过原子力显微镜,对单层至多层MoS2进行原子尺度摩擦实验... 目的探索横向应力场对原子尺度摩擦能量耗散的调制规律。方法采用微机械剥离方法制备单层至多层MoS2样品,利用光学显微镜、高波数拉曼光谱、低波数拉曼光谱精确确定MoS2的层数。通过原子力显微镜,对单层至多层MoS2进行原子尺度摩擦实验,探索横向应力场对原子尺度摩擦参数及摩擦能量耗散的调制规律。基于独立振子模型,分别评价等效刚度k和表面势垒U0对MoS2原子尺度摩擦行为的影响,并通过独立振子模型计算MoS2原子尺度摩擦能量耗散。结果在无应变的情况下,随着MoS2层数的增加,等效刚度从2.92 N/m增加至7.41 N/m,表面势垒从0.36 eV增加至0.58 eV。单层MoS2平均摩擦力最大,双层MoS2次之,多层MoS2最小。当应变从0增加至1.06%时,单层MoS2的等效刚度从2.92 N/m增加到12.03 N/m,表面势垒从0.36 eV增加至2.94 eV,但是应力场对表面势垒的调制作用更强,从而导致相对势垒η与应力场呈正相关。随着应力场的增加,原子尺度摩擦能量耗散增加,而且当应力场刚开始作用于MoS2时,摩擦能量耗散显著增大。单层MoS2的摩擦能量耗散从无应变时的1.3×10^-13 J增加到应变为0.53%时的1.9×10^-12 J。结论研究能量耗散不仅有助于探究摩擦本质,而且可实现能量耗散的调制。该工作促进了原子尺度摩擦能量耗散的研究,为摩擦能量耗散调制提供了新的方向。 展开更多

关键词 原子尺度摩擦 应力场调制 二维材料 PT模型 摩擦能量耗散 等效刚度 表面势垒

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GaAs光阴极激活稳定性研究 被引量：1

19

作者 刘晖 冯刘 +3 位作者 张连东 程宏昌 高翔 张晓辉 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2014年第4期1222-1225,共4页

为了提高Cs-O激活后GaAs光阴极的稳定性,延长像管的使用寿命,从Cs-O激活方面着手进行研究,寻找解决途径。改变GaAs光阴极激活中的Cs过量,并在线监测真空环境下光电流的变化情况,寻找激活对GaAs光阴极稳定性的影响因素。分别进行3组5种... 为了提高Cs-O激活后GaAs光阴极的稳定性,延长像管的使用寿命,从Cs-O激活方面着手进行研究,寻找解决途径。改变GaAs光阴极激活中的Cs过量,并在线监测真空环境下光电流的变化情况,寻找激活对GaAs光阴极稳定性的影响因素。分别进行3组5种比例的激活实验,在光电流下降至Cs峰峰值90%、70%、50%、30%和10%时给O进行交替激活。激活结束后,在低于1×10-8Pa的真空环境下在线监控30 min内的光电流,发现过Cs90%、70%、50%激活的光阴极稳定性好,过Cs30%次之,过Cs10%相对最差。结果表明:GaAs光阴极Cs-O激活时,Cs量越多,表面势垒的建构越完整,光阴极的稳定性就越好,对改善GaAs光阴极稳定性,延长使用寿命具有重要意义。 展开更多

关键词 GaAs光阴极 激活 稳定性 表面势垒

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逸出功的某些特性 被引量：4

20

作者 张恩虬 《电子科学学刊》 CSCD 1989年第3期244-249,共6页

在实用热阴极中,测量得的发射常数值经常小于120A/cm^2T^2。这是由于逸出功有一分布所致,而不是由于电子遇到表面势垒时的反射。用单晶面测量时,理论和实验值便相符了。事实上发射来源于已穿透进势垒的表面电子。这些电子既不能进入真空... 在实用热阴极中,测量得的发射常数值经常小于120A/cm^2T^2。这是由于逸出功有一分布所致,而不是由于电子遇到表面势垒时的反射。用单晶面测量时,理论和实验值便相符了。事实上发射来源于已穿透进势垒的表面电子。这些电子既不能进入真空,也不能在金属导带中自由运动,否则不同晶面便不可能有不同的逸出功。异族元素的吸附增加表面电子的数目和能量,因而使逸出功下降。 展开更多

关键词 热阴极 逸出功 发射常数 表面势垒

全文增补中