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表面修饰对硅锗合金纳米线的内部键长分布及能带影响的机理研究
1
作者
徐祥福
雷露军
+2 位作者
李天乐
朱伟玲
陈星源
《原子与分子物理学报》
CAS
北大核心
2019年第6期946-952,共7页
采用密度泛函第一性原理方法,研究了三种不同官能团修饰对硅锗<111>方向纳米线内部键长分布的不均匀性及能带影响,计算结果表明CH 3修饰加剧了键长分布不均性,与其它两个官能团相比,键长峰值弱化,键长范围扩大,也就是键长发生了...
采用密度泛函第一性原理方法,研究了三种不同官能团修饰对硅锗<111>方向纳米线内部键长分布的不均匀性及能带影响,计算结果表明CH 3修饰加剧了键长分布不均性,与其它两个官能团相比,键长峰值弱化,键长范围扩大,也就是键长发生了再分布,F修饰对键长表现出了拉力效应,但并没有引起键长的再分布.同时,通过计算电子性质,以H修饰纳米线为参考,因不同官能团修饰对键长不均匀性的影响不同,使能带Z点位置下移幅度不同,CH 3修饰纳米线下移幅度最大,F次之,H修饰的下移幅度最小,这为利用不均匀性调控电子结构提供了理论依据.
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关键词
第一性原理
硅锗合金纳米线
表面修饰官能团
键长再分布
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职称材料
题名
表面修饰对硅锗合金纳米线的内部键长分布及能带影响的机理研究
1
作者
徐祥福
雷露军
李天乐
朱伟玲
陈星源
机构
广东石油化工学院应用物理系
出处
《原子与分子物理学报》
CAS
北大核心
2019年第6期946-952,共7页
基金
国家自然科学基金(61475195,11547201)
广东省自然科学基金(2015A030313873,2017A030307008)
文摘
采用密度泛函第一性原理方法,研究了三种不同官能团修饰对硅锗<111>方向纳米线内部键长分布的不均匀性及能带影响,计算结果表明CH 3修饰加剧了键长分布不均性,与其它两个官能团相比,键长峰值弱化,键长范围扩大,也就是键长发生了再分布,F修饰对键长表现出了拉力效应,但并没有引起键长的再分布.同时,通过计算电子性质,以H修饰纳米线为参考,因不同官能团修饰对键长不均匀性的影响不同,使能带Z点位置下移幅度不同,CH 3修饰纳米线下移幅度最大,F次之,H修饰的下移幅度最小,这为利用不均匀性调控电子结构提供了理论依据.
关键词
第一性原理
硅锗合金纳米线
表面修饰官能团
键长再分布
Keywords
First principles
Si-Ge alloy nanowires
Surface passivation
Band length redistribution
分类号
O562 [理学—原子与分子物理]
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作者
出处
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1
表面修饰对硅锗合金纳米线的内部键长分布及能带影响的机理研究
徐祥福
雷露军
李天乐
朱伟玲
陈星源
《原子与分子物理学报》
CAS
北大核心
2019
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