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表面传导电子发射显示器件电学特性研究 被引量:1
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作者 李新贝 张方辉 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期527-532,共6页
利用平板电容器和电磁场理论对表面传导电子发射显示器件的单个子像素在笛卡尔坐标系内建立合适的电学物理模型,并对其内部电场强度和电势进行了深入研究,推导出了模型不同部分的面电荷密度、电场强度和电势的具体表达式;为了形象地表... 利用平板电容器和电磁场理论对表面传导电子发射显示器件的单个子像素在笛卡尔坐标系内建立合适的电学物理模型,并对其内部电场强度和电势进行了深入研究,推导出了模型不同部分的面电荷密度、电场强度和电势的具体表达式;为了形象地表征其电学特性,利用MATLAB6.5对电场强度和电势的分布情况进行了模拟,从理论上对模拟曲面给出了合理的解释,分析了子像素内部电子的发射机理和电学行为;最终理论计算和软件模拟印证了所建物理模型在误差允许的范围内是完全正确的。 展开更多
关键词 表面传导电子发射显示 物理模型 面电荷密度 电场强度
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颗粒膜厚度对表面传导电子发射的影响 被引量:1
2
作者 盛蕾 梁海锋 蔡长龙 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期513-516,共4页
制备了不同厚度下的C-Ti颗粒膜用作表面传导电子发射的阴极发射薄膜,研究了不同颗粒膜厚度对电子发射特性的影响。将所制备阴极器件加载不同电压幅值下的等幅三角波,对器件进行电形成,结果表明:颗粒膜厚度为69nm的器件开启电压为32V,在... 制备了不同厚度下的C-Ti颗粒膜用作表面传导电子发射的阴极发射薄膜,研究了不同颗粒膜厚度对电子发射特性的影响。将所制备阴极器件加载不同电压幅值下的等幅三角波,对器件进行电形成,结果表明:颗粒膜厚度为69nm的器件开启电压为32V,在33V时具有最大发射效率;颗粒膜厚度为855nm的器件开启电压为15V,在23V时发射效率最高;颗粒膜厚度为69nm的器件所形成的电压范围和电子发射效率都明显高于颗粒膜厚度为855nm的器件。 展开更多
关键词 碳钛颗粒膜 表面传导电子发射 薄膜厚度 电子发射
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纳米裂缝位置可控的表面传导电子发射薄膜 被引量:1
3
作者 杨小艳 沈志华 吴胜利 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期911-915,共5页
提出一种新型结构的表面传导电子发射导电薄膜,该导电薄膜在中间位置向内有凹陷,基于电形成过程中焦耳热引起薄膜龟裂的原理,会在凹陷附近诱导纳米级裂缝形成,控制纳米裂缝形成位置。分析了此结构导电薄膜对裂缝产生位置的影响及2种不... 提出一种新型结构的表面传导电子发射导电薄膜,该导电薄膜在中间位置向内有凹陷,基于电形成过程中焦耳热引起薄膜龟裂的原理,会在凹陷附近诱导纳米级裂缝形成,控制纳米裂缝形成位置。分析了此结构导电薄膜对裂缝产生位置的影响及2种不同电形成方法对裂缝形貌的影响,测试了电子发射性能,得到了发射电流特性曲线和发光图像。实验结果表明,这种新型导电薄膜能一定程度上控制纳米裂缝的形成位置,有利于改进表面传导电子发射的均匀性,在阳极高压2.0kV、阴极板电子发射单元施加的器件电压14V时,新型结构导电薄膜实现了均匀发光,发射电流最大为18μA。 展开更多
关键词 表面传导电子发射 内陷型导电薄膜 电形成
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表面传导电子发射显示器件制备工艺研究
4
作者 刘婷 周子云 +1 位作者 吴胜利 胡文波 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期408-412,共5页
介绍了表面传导电子发射显示器件阴极基板和阳极基板的制备方法及其详细的真空封接工艺。所封接器件排气到高真空后,首先对其阴极基板进行了电形成工艺处理以形成纳米裂缝作为电子发射源,然后测试了器件的发光显示,得到了比较均匀的阵... 介绍了表面传导电子发射显示器件阴极基板和阳极基板的制备方法及其详细的真空封接工艺。所封接器件排气到高真空后,首先对其阴极基板进行了电形成工艺处理以形成纳米裂缝作为电子发射源,然后测试了器件的发光显示,得到了比较均匀的阵列发光。最后,针对发光显示图像从三个方面分别进行了分析,为整个器件性能的改进提供了很好的参考价值。 展开更多
关键词 表面传导电子发射显示器 阴极基板 阳极基板真空封接
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碳钛颗粒膜表面电子发射特性
5
作者 任雯 梁海锋 蔡长龙 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期22-25,共4页
采用磁控溅射技术沉积碳钛颗粒膜,应用图形化工艺制作基于碳钛颗粒膜的表面电子发射原型器件。在幅值渐增的三角波电压作用下,器件在电压幅值低于17V时,伏安特性呈明显的线性特性,对应的薄膜表面没有变化;进一步升高器件电压幅值,伏安... 采用磁控溅射技术沉积碳钛颗粒膜,应用图形化工艺制作基于碳钛颗粒膜的表面电子发射原型器件。在幅值渐增的三角波电压作用下,器件在电压幅值低于17V时,伏安特性呈明显的线性特性,对应的薄膜表面没有变化;进一步升高器件电压幅值,伏安特性呈明显的负阻特性,同时可以观测到表面电子发射,表面电子发射最大达到7.2μA,发射效率达到了0.094 3%,薄膜表面失色,产生明显的孔洞结构。根据F-N理论拟合器件电压和发射电流,所得Ie-Vf特性曲线呈直线,表明发射电子源于场致电子发射。 展开更多
关键词 碳钛颗粒膜 表面传导电子发射 伏安特性 场致发射
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