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题名InSb芯片表面抛光及腐蚀研究
被引量：3
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作者
郭胜
信思树
龚晓霞
袁俊
郭杰
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机构
云南师范大学物理与电子信息学院
云南省光电信息技术重点实验室
昆明物理研究所
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出处
《红外技术》
CSCD
北大核心
2018年第2期133-138,共6页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61274137
11304274)
云南省教育厅基金资助项目(2014Z043)
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文摘
表面抛光及腐蚀是In Sb红外焦平面探测器芯片制备的重要工艺。本文针对腐蚀后粗糙表面、腐蚀坑和精抛后"亮点"等问题,分析了压力、转速、抛光料配比、滴料速度等工艺条件对In Sb形貌的影响。实验发现,在压力低于4.5 N、转速低于80 r/min、抛料配比为1:1、滴料速度小于1滴/s或加入氧化剂H2O2时,In Sb芯片表面"亮点"得到了有效的解决。采用自行研制的AB腐蚀液对抛光后的材料进行腐蚀,消除损伤层,处理后In Sb芯片表面光亮、平整。经表面处理过的芯片制备而得器件所测I-V曲线得出:暗电流大幅降低,R0A为8.16×102Ω·cm2,黑体探测率D*为3.1×1010 cm·Hz1/2·W-1。
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关键词
InSb芯片
表面亮点
机械抛光
材料腐蚀
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Keywords
InSb chip,bright spot on the surface,mechanical polishing,material corrosion
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分类号
TN304
[电子电信—物理电子学]
TN215
[电子电信—物理电子学]
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