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表面台阶对超高真空下Si(111)基片表面银原子吸附与重构的影响
被引量：
2
1
作者
邓冬梅
于新彪
+2 位作者
曹世勋
白丽华
张金仓
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第6期775-779,共5页
利用真空蒸发技术制备出了良好的Si(111)-3×3-Ag和Si(111)-3×1-Ag重构表面。通过低能电子衍射法和光学表面二次谐波法研究了两种类型切割角的单晶硅基片在超高真空银蒸镀过程中表面结构随衬底温度和蒸镀量的变化情况。vicina...
利用真空蒸发技术制备出了良好的Si(111)-3×3-Ag和Si(111)-3×1-Ag重构表面。通过低能电子衍射法和光学表面二次谐波法研究了两种类型切割角的单晶硅基片在超高真空银蒸镀过程中表面结构随衬底温度和蒸镀量的变化情况。vicinal样品产生的弱SinPout信号表明表面台阶的存在对Si(111)-3×3-Ag表面的成核生长过程有显著影响。低能电子衍射图片显示,500℃以上的高温下两种基片表面所形成的Si(111)-3×1-Ag重构分别为类单畴和三畴结构。类单畴和三畴结构Si(111)-3×1-Ag的光学表面二次谐波SinSout信号的一致性可能揭示了Si(111)-3×1-Ag结构中孪畴结构的存在。
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关键词
表面
台阶
表面
重构
Si(111)-3×3-Ag
Si(111)-3×1-Ag
表面二次谐波法
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职称材料
题名
表面台阶对超高真空下Si(111)基片表面银原子吸附与重构的影响
被引量：
2
1
作者
邓冬梅
于新彪
曹世勋
白丽华
张金仓
机构
上海大学物理系
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第6期775-779,共5页
基金
国家自然科学基金项目(批准号:10804067
60908006)
文摘
利用真空蒸发技术制备出了良好的Si(111)-3×3-Ag和Si(111)-3×1-Ag重构表面。通过低能电子衍射法和光学表面二次谐波法研究了两种类型切割角的单晶硅基片在超高真空银蒸镀过程中表面结构随衬底温度和蒸镀量的变化情况。vicinal样品产生的弱SinPout信号表明表面台阶的存在对Si(111)-3×3-Ag表面的成核生长过程有显著影响。低能电子衍射图片显示,500℃以上的高温下两种基片表面所形成的Si(111)-3×1-Ag重构分别为类单畴和三畴结构。类单畴和三畴结构Si(111)-3×1-Ag的光学表面二次谐波SinSout信号的一致性可能揭示了Si(111)-3×1-Ag结构中孪畴结构的存在。
关键词
表面
台阶
表面
重构
Si(111)-3×3-Ag
Si(111)-3×1-Ag
表面二次谐波法
Keywords
Surface step
Surface reconstruction
Si（111）-3×3-Ag
Si（111）-3×1-Ag
Second-harmonic generation
分类号
O485 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
表面台阶对超高真空下Si(111)基片表面银原子吸附与重构的影响
邓冬梅
于新彪
曹世勋
白丽华
张金仓
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
2
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